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Pour rappel, Intel a réservé aux nouveaux chipsets de la série 200 le support de la technologie Optane. Ces SSD de petite taille, 16 ou 32 Go, utilisent de la mémoire 3D Xpoint ultra rapide et sont utilisés pour faire office d'intermédiaire entre le support de stockage et la mémoire.

Mais sur la page dédiée à Optane  du site d'Intel, on peut lire noir sur blanc que Optane est compatible avec les chipsets portables HM175 et QM175, qui appartiennent bel et bien à la série 100. Sortis à l'occasion de l'arrivée de Kaby Lake, ils ne constituent en réalité qu'une évolution très ténue des HM170 et QM170, seule la révision du firmware étant modifiée selon Ark .

On peut dès lors se poser une question simple : Intel bride-t-il Optane sur les chipsets de la série 100 (qui disposent de la compatibilité NVMe et d'un port M.2) via ses pilotes RST afin de mettre en avant sa série 200 ? Même si on s'en doutait déjà, cela ne fait que renforcer cette supposition.

Heureusement ce bridage, contrairement à d'autres, n'est pas très problématique vu l'intérêt limité d'Optane : Intel lui-même met en avant une réactivité comparable à un SSD en couplant HDD et Optane… autant utiliser un SSD directement alors ? Voilà qui nous rappelle les SSD lorsqu'ils étaient utilisés comme accélérateur via la technologie Intel Smart Response, ce qui ne nous avait pas non plus convaincu à l'époque.

A lire également : Les premiers portables avec Optane présentés au CES

Lenovo a présenté un peu en avance sur son blog  les prochains modèles de PC portables qu'ils introduiront au CES.

Ce qui retient notre attention est la présence du support de la technologie Optane d'Intel. Pour rappel, Intel avait présenté un nouveau type de mémoire sous le nom 3D Xpoint, s'intercalant entre la mémoire RAM (peu dense mais très rapide) et la NAND (très dense, moins rapide).

Le premier produit qui utilisera cette nouvelle mémoire est un accélérateur connu sous le nom de code Stony Beach et qui sera commercialisé comme Optane 8000p. Ces accélérateurs système se présentent sous la forme de cartes au format M.2 et Intel devrait lancer deux versions, en 16 et 32 Go. Lenovo indique qu'il proposera le modèle 16 Go sur certains de ses portables haut de gamme, en M.2 2241 (4.1 cm de long).

La manière exacte dont "l'accélération" sera effectuée reste assez floue aujourd'hui, une piste probable étant le mode SRT (Smart Response Technology)  des pilotes disques RST d'Intel. Dans ce cas l'accélérateur servira de cache pour les disques systèmes. Si Intel avait mis au point ce système de cache pour les disques durs SATA traditionnels à plateaux, on notera que les dernières versions supportent également les SSD NVMe.

Si Optane a un avantage de latence net par rapport à la NAND, les chiffres d'IOPS annoncés pour les modèles 16 Go ne changent pas dramatiquement la donne par rapport aux derniers SSD haut de gamme

Intel devrait dévoiler un peu plus de détails sur le fonctionnement exact de la technologie dans quelques jours lors du CES, ainsi qu'effectuer des démonstrations.

Il sera intéressant de voir en pratique ce que cela apporte, car si proposer un cache en amont d'un disque dur à plateaux sera forcément bénéfique, l'impact pratique d'Optane accolé à un SSD rapide utilisant ses propres stratégies de cache (RAM + utilisation de MLC/TLC comme SLC en écriture) risque d'être plus difficilement perceptible sur une utilisation grand public, au delà de quelques benchs savamment choisis !

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

Nos confrères de Benchlife  ont publié une actualité concernant l'arrivée de ce qui serait le premier produit Intel Optane grand public. Pour rappel, Optane est le nom commercial donné à la mémoire PRAM 3D Xpoint d'Intel, une mémoire non volatile à mi chemin entre la RAM et la NAND.

En juin dernier, ces mêmes confrères avaient publié un extrait de la roadmap d'Intel ou l'on pouvait voir les trois produits Optane qui seraient proposés. Le premier devant arriver sur le marché utilisant le nom de code Stony Beach. Il est décrit comme un "accélérateur système".

C'est sur ce dernier que nos confrères ont publié de nouvelles informations, ce Stony Beach prendra le nom d'Intel Optane 8000p. On les retrouvera au format M.2 dans des déclinaisons 2241 et 2280 (4.1 et 8cm de long).

Deux capacités sont annoncées, et c'est la première surprise : seulement 16 et 32 Go. Des chiffres particulièrement contenus, sachant qu'un des avantages mis en avant pour la technologie est sa densité 10x supérieure à celle de la mémoire DRAM traditionnelle.

L'autre surprise concerne les performances annoncées. Côté débits là aussi les chiffres annoncés pour ces accélérateurs ne sont pas révolutionnaires :

Les chiffres d'IOPS bruts sont même en dessous de ceux annoncés par les tous derniers SSD en M.2 comme le 960 Pro de Samsung par exemple.

La différence devrait se faire sur la latence, plus faible, mais on peut se demander comment ce tiers de mémoire supplémentaire s'intercalera dans les systèmes d'exploitations. L'hypothèse la plus probable est que ces modules seront vus comme des disques de stockage qui fonctionneront sous Windows via la technologie ReadyBoost (qui peut utiliser un périphérique USB comme cache disque). Un scénario d'utilisation qui ne profiterait pas forcément énormément de l'avantage de latence, surtout sur un système qui disposerait déjà d'un SSD. On se souviendra il y a quelques jours de l'annonce du consortium Gen-Z pour tenter de répondre, entre autre, à cette problématique.

On attendra de voir comment Intel mettra en avant ces produits, et s'il s'accompagnera d'une annonce d'un mode de support alternatif sous Windows. La question du prix sera également d'importance. Leur lancement est attendu avant la fin de l'année avec un support exclusif (on imagine pour des raisons marketing) de la plateforme Kaby Lake.

Samsung est lui aussi bien évidemment présent au Flash Memory Summit et en profite pour annoncer sa quatrième génération de mémoire NAND 3D (connue sous le nom marketing V-NAND). L'année dernière, Samsung annonçait sa troisième génération qui faisait passer à 48 couches pour obtenir jusque 32 Go par die.

 

 

Cette année, Samsung annonce 64 couches pour une densité maximale de 512 Gbit en TLC, soit 64 Go par die. De quoi permettre d'atteindre pas moins de 1 To par package (en superposant 16 dies). Samsung proposera donc un SSD BGA de 1 To avec 1500 Mo/s en lecture et 900 Mo/s en écriture.

Le PM1643 de 32 To, photo The SSD Review 

Le SSD PM1633a de 16 To (qui avait été annoncé lors du Flash Memory Summit 2015 il y a un an, mais seulement commercialisé ces dernières semaines sera remplacé à terme par un modèle 32 To, le PM1643.

Une version 32 To en NVMe est également annoncée sous la référence PM1735 et un modèle M.2 de 4 To est également au programme en taille standard, et Samsung compte proposer en 2017 un "nouveau" format de M.2 dédié aux serveurs, le M.2 32114 (32mm de large pour 114 de long) avec une capacité pouvant atteindre 8 To, ce qui permettra d'atteindre 256 To de stockage dans un rack 1U.

Bien évidemment, et le lancement ces derniers jours du PM1633a le prouve, les annonces de Samsung se traduiront au fur et a mesure dans les mois à venir, le communiqué de presse du constructeur  évoque le quatrième trimestre pour les premières disponibilités de produits basés sur la V-NAND de quatrième génération. Le PM1643 est quand à lui annoncé pour 2017 sans plus de précision.

 

 

On notera enfin une dernière annonce très floue de la part de Samsung avec la Z-NAND, un "nouveau type de mémoire" qui partage "la même structure fondamentale que la V-NAND" en utilisant un "design de circuit et un contrôleur unique". Si cela ne nous dit pas grand chose sur la manière dont fonctionne la technologie, il faut y voir la réponse de Samsung à la PRAM 3D XPoint d'Intel/Micron, le constructeur ne s'en cache en reprenant les mêmes arguments, une mémoire qui vient s'intercaler entre la DRAM (volatile, très rapide) et la NAND (non volatile, moins rapide).

La Z-NAND aurait une latence similaire à la PRAM, des performances séquentielles 20% supérieures, et une efficacité énergétique significativement meilleure. Bien entendu ces chiffres sont assez creux sachant que Samsung ne précise pas à quelle PRAM il se compare, mais on voit bien qu'Intel et Micron sont visés par cette annonce. Plus de détails devraient être disponibles d'ici quelques mois, Samsung annonçant une disponibilité en 2017.