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Micron vient d'annoncer que les travaux visant à doubler la capacité de production de sa Fab10 de Singapour avaient débutés. Avec 23 700m² supplémentaires, cette extension nommée F10X permettra à elle-seule de graver de la NAND 3D Micron de 2nde génération sur 140 000 wafers par mois, soit le niveau actuel de production de la Fab 10 qui produit pour l'instant de la NAND 16nm.

Micron a également donné quelques détails supplémentaires sur ses avancées côté NAND lors d'une conférence destinée aux analystes en février . On a notamment appris à cette occasion de la 16nm TLC était actuellement produite à Singapour et que le fabricant avait pour intention de lancer des SSD l'utilisant au second semestre. Pour la suite Micron mise à 100% sur la NAND 3D et la première génération devrait pour sa part être produite à compter de la mi-2015, pour une introduction sur des SSD en toute fin d'année.


Micron travaille pour rappel conjointement avec Intel sur cette NAND 3D, un domaine dans lequel ils accusent du retard sur Samsung. Ils ont toutefois l'intention de le rattraper ce retard avec une puce 256 Gb 32 couches qui offrira une meilleure densité par mm² que Samsung et un coût inférieur. On notera que si les projections de coût font état de versions MLC et TLC pour la NAND 3D 32 couches, pour les futures versions générations 48, 64 et 96 couches seule la TLC est mentionnée. Actuellement en développement, la NAND 3D de 2nde génération qui sera produite dans l'extension de F10X débarquera un an après la 1ère, suivie un an plus tard de la 3è génération.

Lors d'une conférence destinée aux investisseurs, Intel a dévoilé quelques informations sur sa prochaine génération de NAND 3D qui verra le jour en 2015. Le constructeur prévoit une densité par die de 256 Gbits en MLC, le double des puces "2D actuelles" et quasi 3x plus que la dernière génération de V-NAND Samsung 40nm qui atteint 86 Gbits en MLC.

Pour ce faire Intel, qui travaille sur le sujet avec Micron au sein de leur joint-venture IMFT, utilise probablement une finesse de gravure plus fine puisque dans les deux cas le nombre de couches est de 32. On ne connait par contre pas la taille du die en comparaison de celui de Samsung, mais Intel met en avant une percée en termes de coût de production par rapport à la V-NAND Samsung. Ce dernier devrait toutefois répondre au second semestre 2015 avec une nouvelle génération de V-NAND.


Intel profite de cette densité accrue pour annoncer qu'il serait possible d'obtenir une capacité de stockage de 1 To sur seulement 2mm de hauteur, logiquement en empilant 32 de ces die, et qu'il sera également possible d'utiliser ce type de puce pour atteindre des capacités supérieures à 10 To des SSD (professionnels, même si ce n'est pas précisé).

Les autres constructeurs ont également dans leur carton de la NAND 3D, mais il faudra a priori attendre 2016 chez SanDisk/Toshiba comme chez Hynix.

Micron vient d'annoncer qu'il avait commencé à échantillonner de nouvelles puces de NAND Flash MLC 16 Go (128 Gb) gravées en 16nm. Par rapport aux puces 20nm existantes et qui sont notamment utilisées sur les Crucial M500, la densité de bits au mm² sera donc en hausse et on peut s'attendre à terme à une nouvelle baisse du prix au Go des SSD.

Micron s'abstient malheureusement de communiquer la surface exacte la puce, se contentant d'indiquer qu'il est possible de stocker environ 6 To de données sur un wafer de 300mm de diamètre (à vos calculettes !). De même, le constructeur ne donne aucune précision quant à l'endurance des puces, sera-t-elle de l'ordre de 3000 cycles d'écritures comme les MLC 20 et 25nm ou alors faut-il s'attendre à une baisse ?

Actuellement en cours d'échantillonnages auprès de partenaires privilégiés, les puces de 16 Go de MLC 16nm devrait être produites en volume à compter du quatrième trimestre 2013. Une nouvelle ligne de SSD basés sur ces puces (M600 ?) sera déjà en cours de développement avec un lancement prévu pour 2014, probablement plutôt au cours du second semestre.

Micron avait déjà annoncé une puce de NAND de 16 Go gravée en 20nm, c'était en décembre 2011, et cette mémoire utilisait la technologie MLC (2 bits par cellule). Aujourd'hui le fondeur annonce une puce de 16 Go (128 Gb) qui utilise la TLC (3 bits par cellule). Elle ne mesure que 146mm², soit une baisse de la surface supérieure à 25% par rapport à la même puce en 20nm MLC.

A titre de comparaison une puce 8 Go en MLC et 25nm est à 167mm², la densité augmente donc par un facteur de 2,29 ce qui devrait permettre de faire sensiblement baisser le coût au Go. Actuellement en cours d'échantillonnage, cette puce sera produite en volume à compter du second trimestre.

Il faut noter qu'elle combine deux désavantages en terme de performances et de longévité : d'une part, du fait de la technologie TLC par rapport au MLC, Micron ne communiquant d'ailleurs pas sur son endurance, d'autre part parce que les puces de 16 Go utilisent des pages de 16 Ko, contre 8 et 4 Ko pour les puces de 8 et 4 Go. Pour rappel une page est la plus petite unité lisible et programmable d'une puce Flash.

Pour le moment il n'est pas question d'une utilisation dans les SSD, Micron la destinant au stockage amovible (cartes mémoires et clés USB), un marché qui devrait tout de même monopoliser 35% de la Flash en 2013.