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128 Gb de Flash en 20nm chez IMFT
MLC 20nm chez Intel / Micron
MLC 3BPC en 25nm chez IMFT
MLC 25nm Intel/Micron en production
La 3D NAND Intel fait son apparition
Micron affûte ses armes pour la NAND 3D
3D NAND en 2015 chez Intel / Micron
Intel lance son SSD 335 en MLC 20nm
Les Intel 335 arrivent en boutique
La 3D NAND Intel fait son apparition
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Alors que Samsung propose depuis quelques années maintenant de la 3D NAND, cette technologie se fait attendre chez les autres constructeurs. La puce de 256 Gbits MLC 32 couches développée par Intel et Micron et annoncée il y a un an vient enfin de faire son apparition sur une première gamme de SSD, les DC P3320.
Destinés aux serveurs et gérant le protocole NVMe, ils communiquent avec le système via un bus PCIe 3.0 x4 via un connecteur U.2 en version 2.5" (450 Go, 1.2 To et 2 To) mais sont également déclinés en carte fille pour les deux plus grosses capacités.
Côté performances ont a droit pour la version 2 To à 1600 Mo /s en lecture, 1400 Mo /s en écriture pour 365K IOPS en lecture mais "seulement" 22K IOPS en écriture, une valeur qui a toutefois le mérite d'être soutenue. Intel n'ayant rien communiqué sur l'endurance ou le positionnement tarifaire des SSD, il faudra attendre pour en savoir plus sur les apports concrets de cette 3D NAND.
Micron affûte ses armes pour la NAND 3D
Micron vient d'annoncer que les travaux visant à doubler la capacité de production de sa Fab10 de Singapour avaient débutés. Avec 23 700m² supplémentaires, cette extension nommée F10X permettra à elle-seule de graver de la NAND 3D Micron de 2nde génération sur 140 000 wafers par mois, soit le niveau actuel de production de la Fab 10 qui produit pour l'instant de la NAND 16nm.
Micron a également donné quelques détails supplémentaires sur ses avancées côté NAND lors d'une conférence destinée aux analystes en février . On a notamment appris à cette occasion de la 16nm TLC était actuellement produite à Singapour et que le fabricant avait pour intention de lancer des SSD l'utilisant au second semestre. Pour la suite Micron mise à 100% sur la NAND 3D et la première génération devrait pour sa part être produite à compter de la mi-2015, pour une introduction sur des SSD en toute fin d'année.
Micron travaille pour rappel conjointement avec Intel sur cette NAND 3D, un domaine dans lequel ils accusent du retard sur Samsung. Ils ont toutefois l'intention de le rattraper ce retard avec une puce 256 Gb 32 couches qui offrira une meilleure densité par mm² que Samsung et un coût inférieur. On notera que si les projections de coût font état de versions MLC et TLC pour la NAND 3D 32 couches, pour les futures versions générations 48, 64 et 96 couches seule la TLC est mentionnée. Actuellement en développement, la NAND 3D de 2nde génération qui sera produite dans l'extension de F10X débarquera un an après la 1ère, suivie un an plus tard de la 3è génération.
3D NAND en 2015 chez Intel / Micron
Lors d'une conférence destinée aux investisseurs, Intel a dévoilé quelques informations sur sa prochaine génération de NAND 3D qui verra le jour en 2015. Le constructeur prévoit une densité par die de 256 Gbits en MLC, le double des puces "2D actuelles" et quasi 3x plus que la dernière génération de V-NAND Samsung 40nm qui atteint 86 Gbits en MLC.
Pour ce faire Intel, qui travaille sur le sujet avec Micron au sein de leur joint-venture IMFT, utilise probablement une finesse de gravure plus fine puisque dans les deux cas le nombre de couches est de 32. On ne connait par contre pas la taille du die en comparaison de celui de Samsung, mais Intel met en avant une percée en termes de coût de production par rapport à la V-NAND Samsung. Ce dernier devrait toutefois répondre au second semestre 2015 avec une nouvelle génération de V-NAND.
Intel profite de cette densité accrue pour annoncer qu'il serait possible d'obtenir une capacité de stockage de 1 To sur seulement 2mm de hauteur, logiquement en empilant 32 de ces die, et qu'il sera également possible d'utiliser ce type de puce pour atteindre des capacités supérieures à 10 To des SSD (professionnels, même si ce n'est pas précisé).
Les autres constructeurs ont également dans leur carton de la NAND 3D, mais il faudra a priori attendre 2016 chez SanDisk/Toshiba comme chez Hynix.
Intel lance son SSD 335 en MLC 20nm
Intel vient d'annoncer son Intel SSD 335, que l'on avait déjà aperçu au japon il y a peu. Décliné dans une unique capacité de 240 Go, il s'agit du premier SSD utilisant de la mémoire Flash NAND MLC IMFT gravée en 20nm. Cette mémoire avait été annoncée en avril 2011 pour une production en volume au cours du second semestre 2011, et il y a donc a priori eu quelques imprévus.
Intel ne donne que peu de précisions sur ce SSD pour le moment. Le contrôleur reste comme sur le 330 un SandForce SF-2281, associé cette fois à de la mémoire IMFT MLC 20nm synchrone. Les performances suivantes sont donc dans le cas de données très compressibles :
- Lecture séquentielle : 500 Mo /s
- Ecriture séquentielle : 450 Mo /s
- Lecture aléatoire 4K QD32 : 42 000 IOPS
- Ecriture aléatoire 4K QD32 : 52 000 IOPS
Le SSD 335 240 Go utilise une interface SATA 6 Gbps, il est garanti 3 ans et Intel annonce une endurance minimale de 20 Go d'écritures par jour sur cette durée. Cette nouvelle génération de mémoire 20nm est censée être aussi endurante que la 25nm, mais moins chère à produire. Toshiba grave de son côté de la mémoire MLC 19nm, utilisée sur le Plextor M5P, alors que Samsung est en 21nm sur les mémoires MLC et TLC respectivement utilisées sur les Samsung 840 Pro et 840.
Les Intel 335 arrivent en boutique
Pas encore officiels... mais ils pointent déjà le bout de leur nez à Akihabara. Depuis ce début de semaine les clients japonais peuvent en effet s'offrir un SSD Intel 335 de 240 Go pour un peu moins de 17 000 Yens, soit à peu près 170€ au cours actuel du Yen.
Ces SSD sont les premiers modèles utilisant de la NAND 20 nm produits par la joint-venture IMFT, fruit du rapprochement d'Intel et de Micron. Les premiers modules à ces finesses de gravures ont été annoncées par IMFT mi-avril 2011. Il aura donc fallu patienter près de 18 mois entre l'annonce et l'arrivée en magasin. Portant la référence SSDSC2CT240A4K5, ce SSD utilise un contrôleur SF-2281 et affiche des performances avec des données compressibles de 500/450 Mo/s en lecture/écriture, et des accès séquentiels à 42K IOPS / 52K IOPS en lecture/écriture.
Pour rappel le taux de TVA est (encore) de 5% au Japon; ce qui laisse présager d'une arrivée en Europe de ces SSD aux alentours des 200€. La gamme SSD 335 devrait également s'enrichir de modèles 180 Go et 80 Go dès le premier trimestre 2013.
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