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SK Hynix annonce sa GDDR6 pour GPU en 2018

Publié le 24/04/2017 à 17:14 par Marc Prieur

SK Hynix est le premier à annoncer sa GDDR6, alors même que le standard n'a pas encore été annoncé par le JEDEC. Gravée en 2x nm (sans plus de précision) et d'une capacité de 1 Go par puce, elle offre un débit de 16 Gbps. Interfacée en 384-bit, elle offre ainsi un débit de 768 Go/s soit 45% de mieux que la GDDR5X qui plafonne à l'heure actuelle à 11 Gbps.

SK Hynix précise qu'il a collaboré avec un fabricant de GPU sur cette puce qui sera produite en volume pour un lancement de GPU prévu pour début 2018. S'agit-il d'une déclinaison de Nvidia Volta avec un bus 384-bit habituel ces derniers temps chez Nvidia ou d'une d'AMD Navi, Hynix ayant déjà collaboré avec AMD par le passé pour la mise au point de la HBM ? L'avenir nous le dira !

Samsung évoque la GDDR6

Publié le 22/08/2016 à 17:28 par Guillaume Louel

En parallèle à la mémoire HBM, Samsung à évoqué le futur de la GDDR5, ignorant quelque peu l'existence de la GDDR5X de Micron qui, bien que standardisée par le JEDEC, n'a pas été adoptée par ses concurrents.

Pour la GDDR6, Samsung évoque certaines des pistes de travail envisagées. Côté objectifs la mémoire visera dans un premier temps 14 à 16 Gbps, ce qui était la cible haute pour rappel de la GDDR5X lors de sa présentation par Micron. Lors de la certification de la GDDR5X par le JEDEC, 14 Gbps est devenu le maximum visé. On notera que la GTX 1080 utilise pour rappel de la GDDR5X 10 Gbps. Techniquement, la GDDR5X abaissait la tension de la GDDR5 à 1.35V et doublait la bande passante en doublant le prefetch.

Samsung donne ici quelques idées sur la GDDR6, reprenant par exemple l'idée de la tension à 1.35V. L'élaboration de la spécification finale se fera au sein du consortium JEDEC dans les mois à venir.

Côté timing, Samsung évoque 2018, aligné avec la DDR5 et la LPDDR5, et un gain d'efficacité énergétique autour des 30%. On notera au passage que Samsung continue lui aussi de pousser son propre standard "X" avec la LPDDR4X, une variante de la mémoire mobile LPDDR4 qui fait "seulement" baisser la tension VDDQ à 0.6V pour obtenir un gain d'efficacité de 20%. Si le JEDEC n'a pas encore ratifié la LPDDR4X, on notera que SK Hynix avait annoncé en juin qu'il produirait lui aussi ce type de mémoire.

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