Les derniers contenus liés aux tags Samsung et Micron

Le prix de la RAM pousse les ventes de Samsung

Publié le 24/11/2017 à 17:14 par Guillaume Louel

Comme nous vous l'indiquons régulièrement, les prix de la RAM n'ont cessé d'augmenter ces derniers mois. En septembre dernier, on pointait un doublement du prix en un an. Depuis les choses ne se sont pas arrangées avec une hausse en octobre, et encore en novembre.

Par rapport à notre relevé de septembre, les puces DDR4-2133 de 512 et 1Go ont augmenté 27.1 et 25% respectivement, atteignant aujourd'hui 4.795 et 9.595$. La DDR3 de son côté suit le mouvement, restant 10% moins chère sur les puces 512 Mo, un écart semblable a ceux que l'on a pu constater ces derniers mois.

Au delà des conséquences très concrètes sur le prix des barrettes mémoires pour les utilisateurs de PC (en se rappelant qu'aujourd'hui, le PC compte pour une part limitée de la demande mondiale de mémoire), ces écarts favorisent largement les vendeurs de mémoire et de NAND comme Samsung qui, selon IC Insights  devrait prendre la tête du classement des ventes de semi conducteurs pour l'année 2017, une place historiquement réservée à Intel !


Le classement d'IC Insights se base sur les ventes de semi conducteurs des sociétés en excluant les fabs comme TSMC et GlobalFoundries.

Ces chiffres sont préliminaires, l'année n'étant pas terminée, mais sur 2017, l'ensemble du marché des semi-conducteurs devrait progresser assez fortement, d'environ 20% par rapport à 2016.

Ce sont les acteurs de la RAM/NAND qui sont principalement derrière ces gains, et pas qu'un peu puisque l'on note des progressions de ventes de 48% pour Samsung, 75.8% pour SK Hynix et 73% pour Micron ! Ces deux dernières passent pour l'occasion devant Broadcom et Qualcomm. On notera enfin que Nvidia devrait rentrer dans le top 10 cette année au dépend de MediaTek.

Des détails sur le 7nm à l'ISSCC 2017

Publié le 15/11/2016 à 16:29 par Guillaume Louel

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

Nouveaux BIOS pour les GTX 1070 Micron

Publié le 28/10/2016 à 14:51 par Guillaume Louel

Depuis quelques semaines, certains possesseurs de GTX 1070 se sont plaints de problèmes en cas d'overclocking mémoire, comme des crashs en entrée ou sortie de jeu. En pratique, le problème apparaît lorsque la tension de la mémoire change rapidement (passage des fréquences idle aux fréquences 3D et inversement).

Le problème a été isolé plus spécifiquement aux cartes équipées de mémoire GDDR5 Micron (on retrouve à la fois de la GDDR5 Samsung et de la Micron sur les 1070), mais ne semble pas forcément toucher tous les modèles ou toutes les marques de la même manière. Le design des VRM mémoires faisant éventuellement la différence d'un constructeur à l'autre.

Certaines solutions ont été trouvées pour contourner le problème, comme forcer une tension minimale plus élevée pour la GDDR5 via un outil d'overclocking (plus de détails sur ce lien  pour les intéressés).

Pour corriger définitivement le problème, les constructeurs proposent tour à tour de nouveaux BIOS pour leurs cartes qui en règle général améliorent la stabilité en overclocking pour leurs utilisateurs. Si vous avez rencontré ce type de problèmes, vous pouvez vous reporter sur les pages suivantes pour les constructeurs en question (il faudra en général aller sur la page correspondant à votre modèle, puis choisir support pour télécharger le BIOS) :

Gigabyte et Zotac ont indiqué à nos confrères de ComputerBase  qu'ils proposeraient également des BIOS dans les jours à venir, MSI de son côté a indiqué à Guru3D  travailler également sur de nouveaux BIOS.

Inno3D, KFA2 et PNY n'ont pas pour l'instant de nouveau BIOS disponibles pour leurs cartes.

V-NAND Gen4 et Z-NAND pour Samsung

Publié le 11/08/2016 à 15:54 par Guillaume Louel

Samsung est lui aussi bien évidemment présent au Flash Memory Summit et en profite pour annoncer sa quatrième génération de mémoire NAND 3D (connue sous le nom marketing V-NAND). L'année dernière, Samsung annonçait sa troisième génération qui faisait passer à 48 couches pour obtenir jusque 32 Go par die.

 
 
Photos Golem.de 

Cette année, Samsung annonce 64 couches pour une densité maximale de 512 Gbit en TLC, soit 64 Go par die. De quoi permettre d'atteindre pas moins de 1 To par package (en superposant 16 dies). Samsung proposera donc un SSD BGA de 1 To avec 1500 Mo/s en lecture et 900 Mo/s en écriture.


Le PM1643 de 32 To, photo The SSD Review 

Le SSD PM1633a de 16 To (qui avait été annoncé lors du Flash Memory Summit 2015 il y a un an, mais seulement commercialisé ces dernières semaines sera remplacé à terme par un modèle 32 To, le PM1643.

Une version 32 To en NVMe est également annoncée sous la référence PM1735 et un modèle M.2 de 4 To est également au programme en taille standard, et Samsung compte proposer en 2017 un "nouveau" format de M.2 dédié aux serveurs, le M.2 32114 (32mm de large pour 114 de long) avec une capacité pouvant atteindre 8 To, ce qui permettra d'atteindre 256 To de stockage dans un rack 1U.

Bien évidemment, et le lancement ces derniers jours du PM1633a le prouve, les annonces de Samsung se traduiront au fur et a mesure dans les mois à venir, le communiqué de presse du constructeur  évoque le quatrième trimestre pour les premières disponibilités de produits basés sur la V-NAND de quatrième génération. Le PM1643 est quand à lui annoncé pour 2017 sans plus de précision.

 
 
Photos Anandtech 

On notera enfin une dernière annonce très floue de la part de Samsung avec la Z-NAND, un "nouveau type de mémoire" qui partage "la même structure fondamentale que la V-NAND" en utilisant un "design de circuit et un contrôleur unique". Si cela ne nous dit pas grand chose sur la manière dont fonctionne la technologie, il faut y voir la réponse de Samsung à la PRAM 3D XPoint d'Intel/Micron, le constructeur ne s'en cache en reprenant les mêmes arguments, une mémoire qui vient s'intercaler entre la DRAM (volatile, très rapide) et la NAND (non volatile, moins rapide).

La Z-NAND aurait une latence similaire à la PRAM, des performances séquentielles 20% supérieures, et une efficacité énergétique significativement meilleure. Bien entendu ces chiffres sont assez creux sachant que Samsung ne précise pas à quelle PRAM il se compare, mais on voit bien qu'Intel et Micron sont visés par cette annonce. Plus de détails devraient être disponibles d'ici quelques mois, Samsung annonçant une disponibilité en 2017.

Samsung 1er du SSD avec 1/3 du marché

Publié le 21/04/2015 à 19:13 par Marc Prieur

Selon les estimations du cabinet IHS publiées par ZD Net , Samsung est resté de loin le numéro un du SSD en 2014 avec 34% du marché mondial. Il est suivi par Intel et Sandisk qui se partagent chacun 17%, puis de Micron à 8%, Toshiba à 7%, Lite-On à 6%, WDC à 5%, Kingston à 3% et Seagate et SK Hynix à 1% chacun.


Nous ne disposons pas des estimations d'IHS pour les années précédentes, mais selon un autre institut (Gartner) le géant coréen était à 28,5% en 2013 contre 23,2% en 2012. Intel serait également en progression si un compare ces données après une baisse de 14,7% en 2012 à 13,1% en 2013 alors que Sandisk poursuit une croissance forte puisqu'il était à 5% en 2012 et 11,7% en 2013. Micron était pour sa part à 3,3% en 2012 et 6,9% en 2013, contre 9,2% et 5,6% pour Toshiba.

Top articles