Actualités informatiques du 28-07-2015

Intel et Micron viennent d'annoncer conjointement une nouvelle technologie de mémoire baptisée « 3D XPoint » (à prononcer « 3D Crosspoint »). Les deux sociétés ont présenté cette technologie comme une nouvelle classe de mémoire, à mi-chemin entre la DRAM et la NAND. Il s'agit d'une technologie mémoire non volatile (comme la NAND) mais annoncée comme significativement plus rapide.

Les deux sociétés ont été relativement muettes sur les détails mais on peut tirer quelques informations des grandes lignes qui ont été révélées. Techniquement on peut considérer 3D XPoint comme une « variante » de la NAND dont elle modifie les deux éléments principaux, le switch et la cellule de stockage.

Au niveau de la cellule de stockage, et contrairement à de la NAND, on ne retrouve plus de transistor : les données ne sont plus stockées sous forme d'électrons mais en utilisant le changement de propriétés des matériaux utilisés pour créer les cellules (les blocs jaunes/verts sur le schéma). Le type de matériaux utilisés (deux, étant donné les deux couleurs ?) n'est malheureusement pas précisé et l'on n'aura pas eu plus de détails sur le fonctionnement exact durant la présentation, même si Intel a confirmé à nos confrères d'EETimes  qu'il s'agissait bien de "changement de résistance", ce qui permet de classer 3D XPoint comme une variante de ReRAM. On sait que Micron s'intéresse à la ReRAM depuis un moment, par exemple avec cette recherche avec Sony, mais a l'époque le concept utilisé était différent, utilisant des transistors. D'un point de vue structurel, on semble s'approcher un peu plus de ce que proposait Crossbar, même si là encore l'absence de transistors est l'une des différences principale.

L'autre innovation se situe au niveau du switch qui permet de sélectionner les cellules auxquelles on souhaite accéder en faisant varier la tension, un mécanisme là aussi dénué de transistor. En pratique, exit le concept de blocs de la NAND, on peut lire et écrire les bits de données individuellement ! Qui plus est, il est possible de superposer ces structures switch/cellules en hauteur pour améliorer la densité.


Les deux sociétés se félicitent de gros chiffres qui malheureusement ne sont pas expliqués, avançant des performances 1000x supérieures à la mémoire NAND, sans préciser de quelle NAND il s'agit, ou même tout simplement du type d'opération concerné ! On suppose, à la lecture de certains documents qu'Intel ne parle pas de débits mais de latence puisqu'il annonce que contrairement à la NAND dont la latence est mesurée en microsecondes, la latence de XPoint est mesurée en nanosecondes (une affirmation bien floue !) [MAJ : Un document dédié aux équipes marketing d'Intel - voir en commentaires - semble confirmer qu'il s'agit bien de la latence qui est utilisée pour le facteur de 1000x évoqué. Un facteur de 10x entre la latence XPoint et DRAM est également sous entendu. Le même document évoque, par rapport aux offres NVMe actuelles, un avantage de 10x sans plus de détails ce qui est déjà plus raisonnable]. On imagine en pratique que l'écart sera surtout le plus visible sur les écritures aléatoires - ce qui a été vaguement sous-entendu lors de la session de questions/réponses - ou l'écart avec la NAND parait le plus élevé d'un point de vue technique. La question de l'écart de performance sur les opérations de lectures a été écartée par les représentants des sociétés. On se félicitera tout de même (avec les mêmes réserves) du fait que l'endurance est annoncée comme 1000x supérieure à la NAND.

Par rapport à la mémoire DRAM, les sociétés ne qualifient cependant pas le niveau de performances, indiquant juste que la densité est 10 fois plus élevée.

Pour le reste les détails sont minces, aucune information sur le process de fabrication utilisé n'a été donnée par exemple (certains de nos confrères indiquent un process 20nm, mais nous n'avons pas pu confirmer l'information). Pour ce qui est de produits en pratiques, le premier sera une puce de 128 Gbit qui à l'intérieur superpose deux couches de cette nouvelle structure switch/cellule. Des échantillons de ces puces devraient être disponibles « cette année » tandis que côté produits finaux il faudra attendre 2016.


En pratique ces puces devraient pouvoir permettre de réaliser, côté grand public, des SSD PCI Express très rapides dans toutes les circonstances même si la question du prix a été éludée. Intel a cependant parlé de l'intérêt de cette mémoire pour le jeu en général, laissant penser qu'il y aura des applications grand public. Au-delà du stockage, c'est surtout côté serveur que cette mémoire devrait se présenter comme un tiers intermédiaire entre la DRAM classique et la NAND, autour des applications type « big data ». La manière dont ces produits se matérialiseront, ou s'interconnecteront, reste malgré tout floue. Intel et Micron proposeront chacun de leurs côté des produits issus de la technologie.

Sans plus de détails sur le cout de la technologie ou ses performances réelles il est difficile d'en tirer plus, d'autant que le représentant de Micron a indiqué que cette technologie ne remplacerait pas la NAND 3D en tant que produit (nous supposons que la NAND 3D gardera, au moins au début, un avantage de cout massif). Malgré tout, les innovations techniques semblent extrêmement intéressantes et pourraient remplacer à terme la NAND traditionnelle. Nous espérons qu'Intel dévoilera un peu plus de détails techniques lors son traditionnel Intel Developer Forum qui se tiendra cette année du 18 au 20 août.

Asus a mis en ligne sur son site les caractéristiques d'un nouveau modèle de cartes mères X99 dans sa gamme, la X99-M WS. Cette carte LGA2011-3 se distingue par son format Micro-ATX compact. Si Asus n'en proposait pas à ce format jusqu'ici, il faut noter qu'il existe encore plus petit, notamment chez Asrock qui propose un modèle Mini-ITX , mais avec de sérieuses concessions principalement sur les canaux mémoires supportés.

A l'inverse, on retrouve sur la carte d'Asus quatre slots mémoires DDR4 pour gérer entièrement les quatre canaux des processeurs. Côté PCI Express on a droit à trois slots x16 reliés au CPU (configurables en x16/x16/x8 avec un CPU 40 lignes) ainsi qu'un slot PCIe 2.0 x1 relié au chipset. Pour le stockage on a droit à huit ports SATA 6 Gbps (4 supportant le RAID) via le chipset ainsi qu'un slot M.2 (fonctionnant en mode SATA et PCIe).

Pour le réseau on retrouve deux contrôleurs Gigabit Ethernet Intel, ainsi qu'un module WiFi 802.11ac/Bluetooth 4.0. Côté son c'est un contrôleur Realtek ALC1150 qui officie avec l'option DTS Connect.

On notera sur l'USB la présence de 6 ports USB 3.0 et 6 ports 2.0 gérés par le chipset (respectivement 4 et 2 en façade arrière, le reste via des headers sur la carte) mais aussi deux ports USB 3.1 via un contrôleur Asmedia. Deux ports qui se présentent en façade arrière sous la forme de deux connecteurs Type-A traditionnels, et non au nouveau format Type-C.

Nous attendons plus d'informations sur le prix et la disponibilité de la part d'Asus France.

La marque de contrôleurs de mémoire flash vient de publier sur son site web les spécifications  d'un nouveau modèle haut de gamme. Baptisée PS5007-E7, il s'agit d'un contrôleur SSD type NVMe (qui permet de connecter les SSD directement aux lignes PCI Express de la carte mère) qui s'interface en mode PCIe 3.0 x4. On pourra lui adjoindre 256 ou 512 Mo de cache DDR3.

Le contrôleur est annoncé comme compatible avec la version 1.1b de NVMe et est fabriqué en 28nm chez TSMC. Il supporte la mémoire MLC et TLC sur 8 canaux mémoires et 64 CE (jusqu'à 8 dies par canal via interleaving).

Côté performances, avec de la mémoire MLC, Phison annonce atteindre 2600 Mo/s en lecture (et la moitié en écriture) en performances séquentielles, et 300K/200K iops en lecture/écriture aléatoire. Des annonces de SSD PCIe tiers devraient donc arriver sous peu chez les partenaires de Phison, ce contrôleur devrait permettre de voir grossir l'offre des SSD NVMe qui se limite aujourd'hui principalement à Samsung et Intel. On notera que si JMicron a lui aussi annoncé travailler sur un modèle de contrôleur NVMe abordable, celui-ci se limite à une interface PCIe x2.