Nouvelle usine SiS
Publié le 22/12/2000 à 12:51 par Marc Prieur
SiS a commencé la construction d'une nouvelle usine à Taiwan. Cette usine sera terminée en 2002 et utilisera dans un premier temps une technologie en 0.15 Micron. Grosse originalité, tout comme les dernières usines Intel cette usine est prévue pour utiliser des wafer d'un diamètre de 300 mm. Un wafer de 300m dispose d'une surface double (x2.25 exactement) de celle d'un wafer de 200 mm, ce qui permet de graver environ le double de processeur par wafer et d'abaisser le coût de production de 30% environ (selon Intel).
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