Actualités informatiques du 21-02-2011

La version 1.57 de CPU-Z est désormais disponible sur le site de CPUID . Côté nouveautés on notera plus particulièrement :

• Un menu flottant qui indique les fréquences individuelles de chaque cœur (accessible clic droit sur les fréquences)
  
• Support officiel des Zacate/Ontario d’AMD (coefficient multiplicateur corrigé) et des Xeon Westmere-EX
  
• Un affichage des TDP des processeurs sur la page principale
  
• Ajout de la détection du stepping des chipsets H67/P67 d’Intel

Notons également que le logiciel Aida64 à lui aussi été mis à jour (disponible en téléchargement ici ), on trouve entre autre :

• Support des Zacate/Ontario (correction d’un bug sur les tests de mémoire cache)
  
• Ajout du jeu d’instruction AVX dans les benchmarks pour les processeurs Sandy Bridge
  
• Version multithreadée du benchmark VP8 (format vidéo WebM de Google)

Nous vous avions annoncé en décembre dernier que la marque OCZ serait l’une des premières à appliquer la transition de ses SSD vers des puces mémoires NAND en 25nm. Une transition qui s’est effectuée sans changer le nom du produit, ce qui aura vallu au constructeur de se faire épingler par certains de ses clients. Pour rappel, les Vertex 2 qui utilisent un contrôleur SandForce sont en effet passés de puces NAND Intel Micron 34nm utilisant deux dies superposés de 32 Gb à des puces 25nm utilisant un seul die de 64 Gb. Problème, les caractéristiques techniques des nouvelles puces mémoires ne sont pas identiques, particulièrement au niveau des cycles d’écritures tolérés.

Pour prendre en compte les limitations de cycles d'écritures, on rappellera qu’une partie des cellules sur chaque puce de mémoire flash est mise de côté (à la manière des secteurs supplémentaires sur un disque dur traditionnel), technique appelée overprovisionning. Le passage au 25nm fait qu’Intel/Micron recommande d’augmenter le pourcentage d’overprovisionning. Résultat, les Vertex 2 d’OCZ en 25nm ne font plus que 115 Go au lieu des 120 Go de la génération 34nm. Les clients qui ont acheté sans le savoir le modèle équipé de puces 64 Gb et souhaiteraient repasser à des modèles 32 Gb peuvent consulter le forum d’OCZ ou la >procédure d’échange, (désormais) gratuite, est expliquée . Deux options sont possibles, les utilisateurs de RAID qui ont besoin d’un second disque identique peuvent demander un « ancien » disque 34nm. OCZ semble cependant proposer à la majorité des utilisateurs des disques équipés de puces de 32 Gb en 25nm.

Le F115-A de Corsair, utilisant les mêmes puces NAND Micron/Intel 25nm.

Afin d’éviter de tomber dans les mêmes écueils, Corsair a annoncé que pour l’arrivée de ses modèles en 25nm, une nouvelle nomenclature serait utilisée. Seuls deux modèles sont pour l’instant concernés, les Force Series en 80 et 120 Go qui prennent désormais les noms de F80-A et F-115-A. Le A permet de distinguer les modèles basés sur des puces mémoires en 25 nm, tandis que les capacités réelles sont indiquées (le F115 correspond à l’ancien F120, et dispose d’une capacité formatée de 115 Go). Le constructeur propose une FAQ détaillant les changements sur son blog .

Intel vient d’annoncer la construction d’une nouvelle usine de fabrication de semiconducteurs. Basée à Chandler en Arizona (ou la firme dispose déjà d’usines depuis 1981, incluant une mise à jour récemment pour le 22nm), cette nouvelle fab visera la construction de processeurs 14nm. Elle devrait être opérationnelle en 2013. Si la nomenclature IRTS  définit 16nm comme appellation officielle au successeur du 22nm, Intel avait déjà dérogé à la règle en 2009 ou Mark Bohr, lors de l’IDF avait évoqué 15nm (et 16nm dans d’autres slides). TSMC en avril dernier avait évoqué 14nm, suivi par IBM en début d’année. Intel suit donc le mouvement.

Au-delà des batailles de communiqués de presse, le 14nm devrait voir l’arrivée chez Intel d’un nouveau type de transistors. Baptisés TriGate (3G) par Intel, ces transistors ne sont plus construits à plat mais dans l’espace :

L’avantage du design dans l’espace est que la gate entoure désormais le channel (l’espace entre la source et le drain) par trois côtés, réduisant les fuites de courant et améliorant aussi la dissipation d’énergie

Notons que si Intel avait évoqué précédemment que le passage au 16nm verrait l’arrivée des Tri Gate, le constructeur ne l’a pas encore confirmé. TSMC avait annoncé lui aussi l’année dernière qu’il utiliserait une technologie similaire pour son process 14 nm. Notons enfin que l’usine de Chandler utilisera des wafers de 300mm standards, l’industrie des outils tiers n’étant pas aussi pressée qu’Intel de passer au 450mm.