V-NAND TLC en production chez Samsung

Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa mémoire Flash 3D Vertical NAND (V-NAND) en version TLC, c'est-à-dire avec des cellules capables de contenir chacune 3 bits via 8 niveaux de tensions distincts. Le constructeur confirme au passage son avance sur ce type de mémoire Flash "3D", les autres constructeurs ayant prévus de débuter la production de ce type de mémoire en 2015 voir 2016.

Comme les versions MLC à 2 bits par cellule, ce sont 32 couches qui sont utilisées. Pour rappel la V-NAND permet un empilement vertical des cellules, ce qui permet malgré une finesse de gravure de 40nm d'atteindre une densité de bits par mm² comparable voir supérieure à celle obtenue par Micron et Toshiba/Sandisk en 16/15nm tout en conservant sur le papier une endurance supérieure.


Les nouvelles puces offrent une capacité de 128 Gbits, en comparaison des 86 Gbits proposés par les puces V-NAND MLC utilisées sur le 850 Pro. Un mois séparait l'annonce de leur production de celle du 850 Pro, l'annonce du 850 EVO utilisant la V-NAND TLC ne devrait donc plus tarder.