Actualités processeurs

MSI annonce la disponibilité de son premier ventirad, le Core Frozr L qu'il avait eu l'occasion de montrer cet été lors de la Gamescon. Mesurant 140x155x84mm pour 960 grammes, il est constitué de 4 caloducs de 8mm de diamètre et d'un ventilateur 140mm fonctionnant entre 500 et 1800 rpm pour 19.8 à 71.3 CFM et 17.2 à 33.6d dBA. La partie supérieure est en aluminium mais MSI fournit un cache plastique noir en sus.

 

 

Le tout est compatible avec les socket AMD AMx/FMx et Intel LGA 115x, LGA 1366 et LGA 2011-v3. Sa disponibilité en France est annoncé pour ce mois au tarif approximatif de 55 €.

Benchlife.info  publie un tableau concernant les futurs Coffee Lake d'Intel. Pour rappel, il s'agit d'une quatrième génération de Core en 14nm alors que dans le même temps CannonLake sera lancé fin 2017 en 10nm mais uniquement en version 2 coeurs.

Coffee Lake serait désormais prévu pour la rentrée 2018, alors qu'il était plutôt question du second trimestre jusqu'alors. Il sera décliné en deux versions pour PC portables, CFL-U avec 4 coeurs et un iGPU musclé avec eDRAM (GT3e), et CFL-H qui aura un iGPU plus light mais 6 coeurs, les die étant respectivement de 185 et 149mm².

Ce dernier die de 149mm² sera aussi utilisé pour une version LGA destiné au PC de bureau et intégrant donc 6 coeurs et un iGPU de type GT2, une version à 4 coeurs de 126mm étant également prévue. A noter que côté graphique Coffee Lake n'apportera pas de changement par rapport à Kaby Lake.

Un Coffee Lake-X est également prévu : comme Skylake-X et Kaby Lake-X prévus pour le second trimestre 2017, il utilisera un nouveau Socket R. Cette nouvelle plate-forme marque un changement stratégique dans la manière qu'à Intel d'adresser le marché de desktop haut de gamme et de la station de travail. Jusqu'alors, Intel disposait de 2 plates-formes Xeon, une très haut de gamme et l'autre déclinée en versions 4, 2 et 1 Socket. A l'avenir Intel va unifier les plates-formes Xeon (et Xeon Phi) en une seule qui ne sera cette fois pas déclinée en version mono-Socket.

Plutôt qu'une plate-forme Xeon "castrée", il proposera sur ce segment une plate-forme Core i7 "musclée" utilisant le même chipset que les Kaby Lake LGA 1151. Selon les dernières rumeurs cette plate-forme accueillera des CPU assez différents, avec donc dès le second semestre 2017 Skylake-X et Kaby Lake-X, le second étant limité à 4 coeurs contre 6, 8 et 10 coeurs pour le premier. Skylake-X ne devrait donc pas en être complètement remplacé par Coffee Lake-X, d'autant que lui seul proposera jusqu'à 44 lignes PCIe Gen3 et 4 canaux DDR4 comme le permet le Socket R. Il est par ailleurs assez probable qu'à l'avenir l'overclocking ne soit plus permis que sur cette plate-forme Socket R et les processeurs "X" qui vont avec.

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

En sus des différents Core i5 et i7 Kaby Lake dévoilés il y a peu au travers d'un PCN, Intel aurait pour projet de lancer différents i3 aux fréquences assez élevées :

• Core i3-7100, 3 Mo de cache, 3.9 GHz
• Core i3-7300, 4 Mo de cache, 4.0 GHz
• Core i3-7320, 4 Mo de cache, 4.1 GHz
• Core i3-7350K, 4 Mo de cache, 4.2 GHz

Les fréquences sont en hausse de 200 à 300 MHz par rapport à Skylake, ce qui permettra de compenser l'absence d'amélioration d'IPC. Mais le point le plus notable est la présence d'une version K au travers de l'i3-7350K ! Cette version sera donc logiquement débloquée au niveau du coefficient multiplicateur.

Seul problème ce K étant en même temps le plus hautement cadencé, il sera également l'un des plus onéreux. Chez Shopblt.com  il est ainsi affiché à 177$, contre 122$ pour le Core i3-7100 et 195$ pour un Core i5-7400 qui dispose lui de 4 coeurs à 3.5 GHz et sans possibilité d'overclocking. C'est cher, et il faudra que le potentiel d'overclocking de Kaby Lake soit élevé pour que cette version soit intéressante vu sa fréquence de base déjà élevée. Pour rappel les Kaby Lake devraient voir le jour en début d'année 2017.

ASML a annoncé hier qu'il comptait s'offrir un quart de Carl Zeiss SMT  (24.9%) pour un montant de près de un milliard d'euros. Zeiss SMT est la filiale "Semiconductor Manufacturing Technology" du groupe allemand Zeiss spécialisé dans l'optique.

ASML indique dans son communiqué  qu'il s'agit de renforcer la collaboration entre les deux sociétés, Zeiss SMT fournissant les systèmes optiques utilisés notamment dans les machines de lithographie EUV.

ASML investira en prime 220 millions d'euros dans le centre de recherche et développement de Zeiss SMT, et financera 540 millions d'investissements sur les 6 prochaines années.

L'enjeu de l'investissement, selon ASML, concerne les futures générations d'EUV avec la possibilité d'étendre la durée de vie de la technologie. Car si certains fabricants de semiconducteurs comme Samsung disent désormais (enfin !) qu'ils utiliseront l'EUV à 7nm, les très nombreux retards de la technologie font qu'elle court le risque de voir sa fenêtre d'utilisation réduite, au risque d'être remplacée par d'autres technologies.

Des systèmes optiques plus complexes avec une ouverture numérique de 0.5 (contre 0.33 pour les premières générations d'EUV) est ce que vise ASML dans cet investissement, qui ne devrait porter ses fruits que d'ici 2024. Il permettrait cependant d'étendre la durée de vie de l'EUV sous les 5nm et pour "plusieurs générations". On sait - en parallèle - qu'autour de 5nm, on atteindra les limites du silicium et l'utilisation d'autres matériaux deviendra nécessaire.

L'intérêt de la lithographie EUV est pour rappel de remplacer la source lumineuse utilisée actuellement par les scanners (elle est générée par des lasers à exciplexe Argon/Fluor avec une longueur d'onde de 193nm) par une source dont la longueur d'onde n'est que de 13.5nm, améliorant fortement les possibilités et réduisant le nombre d'étapes nécessaires pour arriver a fabriquer les puces en évitant la généralisation du multi-patterning.

ASML aurait réitéré à nos confrères d'EEtimes  que quatre fabricants de puces, et deux fabricants de mémoires, se sont engagés à faire entrer l'EUV en production en 2018, quelque chose que la firme avait également indiqué dans une présentation aux investisseurs (qui évoquait 2018/2019). Une affirmation qui nous parait bien optimiste !

Aujourd'hui, seuls Samsung et GlobalFoundries se sont engagés publiquement à 7nm, pour des dates qui coïncident. En ce qui concerne TSMC, il faudra attendre le 5nm pour le voir arriver de manière extensive, sa production risque est prévue pour 2019 uniquement. Intel avait annoncé de son côté qu'il n'utiliserait pas l'EUV à 10nm, et qu'au mieux l'EUV était "une option" pour le 7nm. Le 7nm d'Intel utilisera une solution de lithographie a immersion classique. Et côté dates, 2019 semble extrêmement optimiste considérant l'exécution d'Intel ces dernières années (retards massifs sur le 14nm, introduction de Kaby Lake pour retarder le 10nm, lancement du 10nm repoussé à fin 2017 et uniquement sur des références mobiles, sans parler de l'introduction dans la roadmap de Coffee Lake en 2018... et en 14nm !).

En ce qui concerne les fabricants mémoire, Samsung avait évoqué la possibilité sans pour autant s'engager fermement. SK Hynix évoquait l'utilisation de l'EUV vers 2019.

Les machines qui seront utilisées en production, les NXE:3400B, atteindraient d'après ASML un débit de 125 wafers/heure, un progrès notable par rapport à mars 2015 ou ASML se félicitait de 42 wafers/heure (entre 50 et 100 wafers/heure étaient considérés comme le minimum pour éventuellement utiliser la technologie d'après Mark Bohr d'Intel). Pour arriver à ce chiffre, ASML devra augmenter fortement la puissance de la source lumineuse. Le constructeur aurait livré des sources 125W à ses clients cette année qui ont permis d'atteindre 85 wafers/heure.

La question de la disponibilité des machines semble également être meilleure, de seulement 55% à l'époque, ASML atteint aujourd'hui entre 70 et 80%, avec l'objectif d'être a 90% en 2018.

L'enthousiasme d'ASML - le seul à se lancer dans l'EUV - est forcément élevé pour sa technologie mais il faut une fois de plus rappeler que les scanners ne sont qu'une partie de la chaîne de fabrication. Les progrès réalisés, bien qu'importants, ne veulent pas dire que l'EUV est "prêt", loin de là.

La question des masques (la plaque transparente qui contient l'image de la puce à graver) et de l'inspection de leurs éventuels défauts n'a pas encore été résolue. Et si là aussi ASML tente d'apporter sa propre réponse, en pratique le problème reste complexe a solutionner avec des conséquences massives sur la viabilité de la technologie en production (plus de détails dans cet excellent article ).