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La mémoire à changement de phase, appelée également PCM (Phase-change Memory) ou PRAM (Phase-change Random Access Memory), vient de franchir une nouvelle étape avec la mise au point par IBM d'un prototype capable de stocker 2 bits mémoires dans une cellule. Ce pas est important puisqu'il permet à la PCM d'avoir une meilleure densité et donc coût par bit inférieur, comme c'est le cas pour la Flash MLC qui stocke également deux bits par cellule.

Pour l'instant on est toutefois loin d'une commercialisation et le prototype est une puce de 64 Mo gravée en 90nm, contre 25nm pour les dernières mémoires Flash. IBM vise pour le moment 2016 pour des applications serveurs, et a donc le temps de transposer la technologie sur des process plus fins d'ici là.

Comme la mémoire Flash NOR ou NAND, la PCM est non volatile et est donc capable de conserver les données même si elle n'est plus alimentée. Chaque cellule contient du chalcogénure, un matériau capable de passer d'un état vitreux (molécules en désordre) à un état cristallin (molécules rangées selon un motif). Ces deux états diffèrent par leur propriété électrique et la mesure de la résistance permet donc de lire les données qui sont écrites en changeant l'état par échauffement.

L'avancée d'IBM consiste donc à stocker gérer des états intermédiaires pour un total de 4 états correspondants à 00, 01, 10 ou 11 en termes binaires. Haris Pozidis, qui a mis au point la technologie, estime qu'il sera à terme possible de stocker 3 bits par cellules, voir 4 en changeant de matériaux.

Un problème à régler en urgence reste la gestion de l'évolution de la résistance des cellules au fil du temps. En utilisant des états intermédiaires, une telle mémoire est plus sensible à l'évolution de la résistance offerte par une cellule au fil du temps et qui peut entrainer des erreurs de lecture (lire 00 par exemple alors qu'on avait stocké 01). Pour contourner le problème IBM à mis au point un algorithme qui ne se base pas sur la résistance absolue pour mesurer l'état mais sur la résistance relative entre les cellules. Ceci permet à IBM d'annoncer un taux d'erreur d'environ 1 pour 100 000 après 37 jours à température ambiante, ce qui devrait permettre d'atteindre les 1 pour 10^15 (1 millions de milliards) avec une correction d'erreur, mais pour le moment l'algorithme n'as été utilisé que sur une puce de test plus petite et sur seulement 200 000 cellules.

Les promesses de la mémoire PCM sont multiples par rapport à la Flash, puisque IBM annonce des vitesses en écriture améliorées par un facteur de 100 avec une latence en écriture de seulement 10 microsecondes et une endurance d'au moins 10 millions de cycles. Reste maintenant à voir si ces promesses seront tenues en pratiques d'ici 2016 !

Pour rappel Samsung fabrique depuis 2009 de la PRAM , mais pour l'instant avec des spécifications qui la limite aux applications mobiles. Hynix et Micron travaillent également sur ce type de mémoire.

Pour ce Computex, G.Skill avait décidé de mettre l'accent sur de nouveaux kits grande capacité avec des modules hautes performances qui passent en général de 2 à 4 Go, à l'exception d'un kit 2x 2 Go destiné à la plateforme P67/Z68. Dans la série Ripjaws X, ce kit de DDR3-2133 a la particularité d'accepter une latence très faible : 6-10-6-28, en 1.65V. Le second kit présenté, de la série Flare et lui aussi en DDR3-2133, est cette fois en 4x 4 Go et destiné à la plateforme AMD, avec une latence de 9-11-9-28.

G.Skill exposait également un kit Trident haute fréquence 2x 4 GB en DDR3-2400 CL9-11-10-28 ainsi qu'une plateforme Classified SR-2 d'EVGA équipée de 12 modules Ripjaws de 4 Go en DDR3-2000 CL8-9-8-24. Dans ce dernier cas il ne s'agit bien entendu pas d'un seul kit de 48 Go mais de plusieurs kits de 12 Go.

ADATA, le second plus gros fabricant de barrettes mémoire PC, s'apprête à commercialiser des kits dans sa série Gaming basés sur des modules de pas moins de 8 Go. Ces modules DDR3 seront certifiés à hauteur du 1333 CAS 9 et fonctionneront en 1.35V, avec une disponibilité annoncée pour cet été. Si le prix n'a pas encore été fixé, ADATA indique qu'il faut s'attendre à ce qu'un module 8 Go soit légèrement plus cher que 2 modules de 4 Go. De tels kits permettront de monter à 16 Go sur les cartes-mères mini-ITX et de passer à 32 Go voire plus sur les plateformes haut de gamme. Reste bien entendu qu'une telle quantité de mémoire n'aura que peu d'utilité pour le commun des mortels.


Pour ADATA il s'agit avant tout d'essayer de travailler son image de marque et de faire oublier le côté "bas de gamme dont il n'est pas nécessaire de retenir le nom", puisque bien qu'étant un acteur très important de la mémoire, la société reste méconnue de beaucoup.

Comme de nombreux fabricants de mémoire, ADATA attend avec impatience l'arrivée des CPUs Bulldozer et SandyBridge-E, en espérant qu'ils puissent profiter des mémoires haut de gamme et relancer la course aux performances à ce niveau. Notez à ce sujet qu'un fabricant de cartes-mères taiwanais nous a indiqué que si quelque chose fonctionnait bien sur Bulldozer il s'agissait de l'overclocking de la mémoire, qui peut monter très haut sur les échantillons actuels !

Corsair annonce le premier kit de 8 Go de DDR3 certifié pour un fonctionnement en DDR3-2400. G.Skill détenait depuis le mois le dernier ce record avec un kit DDR3-2300.

Les deux barrettes de 4 Go le composant fonctionnent à des latences de 9-11-10-30 à 1.65v, et Corsair précise que seules 5% des puces mémoires testées fonctionnent à cette fréquence. Les quantités sont limitées et Corsair en assure la vente directe via son site pour la modique somme de 499$. C'est environ 5 fois le prix de la DDR3-1600, et 2 fois celui de la DDR3-2133... une mémoire qui est donc à réserver aux amateurs de gros chiffres, dans tous les sens du termes !