Actualités mémoires

Alors que l'on parlait hier des rumeurs de rapprochements possibles entre Elpida, Nanya et Micron, Elpida vient d'annoncer par le biais d'un communiqué de presse  la création d'une première puce prototype de Resistive RAM, ou ReRAM. Il s'agit d'un autre type de mémoire non volatile basé sur le memristor développé par Hewlett Packard. Une technologie supplémentaire qui s'ajoute à d'autres concurrents pour le titre de mémoire parfaite, la ReRAM ayant l'avantage d'être plus simple à implémenter que la MRAM et de disposer d'un temps de réponse plus bas que la PRAM.

Elpida n'est pas le premier à travailler sur la technologie puisque outre HP (lié à Hynix sur le sujet), Samsung avait également mis au point un prototype plus tôt dans l'année. Fabriquée en 50nm, le prototype d'Elpida est une puce de 64 megabits disposant d'un temps d'effacement de 10ns. Côté production, Elpida (en partenariat avec Sharp) vise toujours 2013 pour la production en volume de puces fabriquées en 30nm avec une densité autour du gigabit.

Après les rumeurs le mois dernier concernant un rapprochement entre le fabricant de mémoire japonais Elpida et le taïwanais Nanya, le quotidien Japonais Yomiuri (via Reuters) rapporte aujourd'hui que les discussions démenties entre Nanya et Elpida sont toujours en cours, et concernerait un troisième acteur : l'américain Micron. Le président d'Elpida aurait ainsi effectué un déplacement aux Etats Unis la semaine dernière dans ce but.

Les sociétés Micron et Nanya sont déjà liées sur le marché de la DRAM puisqu'ils développent en partenariat leurs technologies mémoire. Après des résultats décevant au dernier trimestre pour Micron, blâmés en partie sur la baisse de l'activité PC mais aussi sur le prix trop faible de la mémoire, Micron, Nanya et Elpida envisageraient une consolidation de leurs activités avec un financement de capital externe de près d'un milliard d'euros.

Bonne nouvelle, G.Skill vient d'annoncer l'ouverture d'un centre de retour en Europe. Situé au Pays-Bas, il permettra aux utilisateurs européens de renvoyer leur mémoire à moindre frais et de bénéficier d'un délai d'immobilisation réduit, G.Skill parlant d'un délai de 5 jours pour recevoir une nouvelle pièce après que celle-ci ai été identifiée comme défectueuse.

Il fallait jusqu'alors passer par G.Skill Taiwan pour un retour au-delà de la durée prise en charge par votre revendeur (généralement un an), ce qui limitait quelque peu l'usage de la garantie à vie proposée par le constructeur sur l'ensemble de sa gamme mémoire.

Le quotidien Nikkei Business Daily rapporte aujourd'hui (via Reuters ) que le fabricant de mémoire japonais Elpida (le dernier acteur japonais du marché) envisagerait un rapprochement stratégique avec son concurrent taïwanais Nanya. Dans un marché particulièrement concurrentiel et dominé par Samsung et Hynix (respectivement 45 et 21.5%), Elpida reste aujourd'hui à la troisième place avec 12.1% de parts (au coude à coude avec Micron) pour le troisième trimestre 2011.

Ayant déjà profité d'un plan de refinancement de la part du gouvernement japonais, Elpida reste à la tête de 5 milliards de dollars de dettes. Le rapprochement, sous la forme d'une joint venture avec Nanya (faisant partie du Formosa Plastics Group, également maison mère de VIA) serait évoqué comme l'un des scénarios possibles avec une transition de la production sur Taiwan. Nanya a démenti être en pour parlers, indiquant que la seule relation en cours entre les deux sociétés concerne un procès en cours autour de brevets détenus par Elpida.

Micron a publié la semaine dernière  sur l'un de ses blogs un billet intéressant sur un nouveau type de die stacking en développement baptisé 3DS et dédié spécifiquement à la mémoire.

Dans le cas ou l'on superpose les puces mémoires, une approche traditionnelle est de connecter directement les puces au contrôleur mémoire. Pour 3DS, Micron propose d'utiliser un système maitre/esclave entre les puces. Seule la puce inférieure étant connectée directement au contrôleur mémoire, les puces supplémentaires étant simplement connectées à la puce directement en dessous d'eux.

L'introduction d'un système maitre/esclave permet de réduire la partie logique des puces mémoires, chaque pile de puces partageant une seule DLL et une seule interface externe. L'existence d'une interface intermédiaire peut cependant créer une latence lors d'accès successifs entre les deux puces. Estimée à un cycle normalement, Micron indique que sa technologie permet de supprimer cette latence par une innovation (non précisée) au niveau de la gestion des commandes de lectures.

La marque a publié une vidéo Youtube  mettant en avant une barrette mémoire registered de 32 Go via 36 stacks de 8 Gb, chacune d'entre elle utilisant une puce maitre de 4 Gb et une puce esclave de 4 Gb également. Micron indique travailler avec le reste du JEDEC sur l'adoption du die stacking, le 3DS étant l'une des technologies considérées par le consortium de standardisation dédié à la mémoire.