Actualités mémoires
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Prototype de ReRAM chez Elpida
Elpida, Nanya et Micron ?
G.Skill ouvre un centre de retour en Europe
Rapprochement Elpida-Nanya ?
Micron 3DS au JEDEC ?
G.Skill Trident X pour Ivy Bridge
G.Skill va lancer une nouvelle ligne de mémoire pour ceux qui voudraient utiliser le contrôleur mémoire DDR3 des Ivy Bridge dans ses derniers retranchements. Les Trident X fonctionnent en 1.65v, sont dotés d'un radiateur spécifique et seront déclinées dans les versions suivantes :
- DDR3-2400 en 10-12-12-31 en barrettes 4 et 8 Go
- DDR3-2600 en 10-12-12-31 en barrettes 4 Go
- DDR3-2600 en 11-13-13-35 en barrettes 8 Go
- DDR3-2666 en 10-12-12-31 en barrettes 4 Go
- DDR3-2666 en 11-13-13-35 en barrettes 4 et 8 Go
- DDR3-2800 en 11-13-13-35 en barrettes 4 Go
La DDR4 en 2014 pour Intel ?
Selon VR-Zone , Intel pourrait adopter la DDR4 dès début 2014 au sein de la plate-forme Haswell-EX. Destinée aux serveurs, cette plate-forme utilisera l'architecture Haswell 22nm qui sera introduite en 2013 sur LGA 1150, mais ira plus loin puisqu'il pourrait y avoir jusqu'à 16 cœurs par Socket, soit un besoin en bande passante énorme.
Côté desktop il ne faut toutefois pas attendre la DDR4 avant 2015 puisque la plate-forme LGA 1150 destinée à accueillir les Haswell au cours du premier semestre 2013 en restera à la DDR3. Broadwell, qui est un "tick" d'Haswell, c'est-à-dire une architecture proche mais portée sur un nouveau process 14nm, devrait a priori conserver cette infrastructure et donc la DDR3. Il faudra donc attendre la suite prévue pour 2015 pour un passage en DDR4. En attendant afin de satisfaire les besoins de l'IGP en terme de bande passante Intel aurait pour rappel l'intention de faire appel à un cache L4.
Hynix concentré sur la NAND
Au milieu des incertitudes dues à Elpida sur le marché de la mémoire DRAM, Hynix a indiqué vouloir cette année se concentrer principalement sur le marché de la mémoire flash NAND.
Nos confrères du Korea Herald rapportent les propos d'une conférence de presse tenue par le CEO d'Hynix qui aura indiqué qu'il envisage de convertir l'une de ses actuelles usines de production de DRAM (celle de Wuxi en Chine) vers la production de mémoire NAND pour augmenter la capacité de production de l'entreprise. Hynix dispose pour l'instant de 12% du marché de la NAND.
En attendant l'éventuelle transition de son usine chinoise, Hynix indique que la montée en production de sa Fab M12 (située à Ichon en Corée) augmentera sa capacité mensuelle de 130000 à 170000 wafers de NAND 300mm.
Côté mémoire Hynix indique travailler sur trois alternatives à la DRAM pour l'avenir, la Spin Transfer Torque RAM qui joue sur le fait que les électrons ont un léger mouvement cinétique lié à leur charge, mais aussi les mémoires à changement de phase (PRAM) que nous avons évoqués à plusieurs reprises ainsi que la ReRAM, évoquée entre autre par Elpida en début d'année.
Elpida annonce sa banqueroute, la DRAM grimpe
Après de multiples rumeurs d'éventuelles alliances, le dernier constructeur de mémoire japonais, Elpida, vient d'annoncer sa mise sous protection par les autorités de régulation financières japonaises, première étape d'une possible liquidation/faillite.
Numéro trois actuel du marché, Elpida était né en 1999 de la consolidation des acteurs japonais du marché de la mémoire (NEC et Hitachi, puis Mitsubishi en 2003) et souffrait depuis plusieurs années sur un marché de la DRAM ultra concurrentiel. En annonçant sa banqueroute, la marque a indiqué que les éventuels plans de refinancements ou d'alliances n'ont pas réussi à voir le jour. Avec une dette de plus de 5.6 milliards de dollars, les chances de voir la société sortir positivement de ce contrôle judiciaire, si elles ne sont pas nulles, restent minces et liées à un hypothétique repreneur de dernière minute, avant que les actifs de la société ne soient liquidés.
Le prix des puces mémoires augmente de facto sur les marchés (Elpida disposait de 12% du marché) aujourd'hui de plus de 16% pour les puces 2 Gb 1333 et 1600 MHz, sur les craintes d'un éventuel arrêt des livraisons d'Elpida, ce qui devrait avoir un impact mesurable (mais probablement mesuré) sous peu sur le prix des barrettes mémoires.
G.Skill lance les Ares, des DDR3 de 3.2cm
Si les barrettes G.Skill Ripjaws et leurs 4cm de hauteur sont compatibles avec de nombreux ventirads, certains modèles tels que les Thermalright nécessitent des barrettes avec des radiateurs plus compacts pour les mémoires situées en dessous des ventilateurs.
G.Skill vient donc de sortir une nouvelle gamme de mémoire répondant à cet impératif, les Ares. Avec une hauteur de 3.2cm elles élargissent le champ de compatibilité, et il faut bien dire qu'un radiateur imposant n'est pas vraiment utile sur de la DDR3 à une tension classique. Côté spécification de nombreux kits sont annoncés :
- DDR3-1333 en 9-9-9-24 à 1.5v en kit 4x2, 4x4, 8x2 et 8x4 Go
- DDR3-1600 en 10-10-10-30 à 1.5v en kit 8x2 et 8x4 Go
- DDR3-1600 en 9-9-9-24 à 1.5v en kit 4x2 et 4x4 Go
- DDR3-1600 en 8-8-8-24 à 1.5v en kit 4x2 et 4x4 Go
- DDR3-1866 en 9-10-9-28 à 1.5v en 4x2 et 4x4 Go
- DDR3-1866 en 10-11-10-30 à 1.5v en 8x2 et 8x4 Go
- DDR3-2133 en 11-11-11-31 à 1.6v en 4x2 et 4x4 Go
- DDR3-2133 en 9-11-10-28 à 1.65v en 4x2 et 4x4 Go
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