Actualités mémoires

G.Skill lance un nouveau kit mémoire extrême destiné à la plate-forme X79 Express, plus spécifiquement pour l'ASUS Rampage IV Extreme.

Ces RipjawZ sont constituées de 8 barrettes de 8 Go, soit 64 Go au total, certifiées pour un fonctionnement en DDR3-2400 avec des latences de 10-12-12-31 et une tension de 1.65v. Auparavant le kit 64 Go le plus rapide de la marque atteignait le mode DDR3-2133 en 11-11-11-30 et 1.5v.

Sachant que ce kit est affiché à presque 2800 € , on n'ose imaginer le tarif du nouveau ! En version DDR3-1600, c'est bien moins cher puisqu'on trouve des RipjawZ à "seulement" 1150 €  (sic). Avis aux amateurs...

Micron vient d'annoncer qu'il allait faire fabriquer par IBM sa mémoire Hybrid Memory Cube. La gravure se fera dans l'usine IBM de East Fishkill située dans l'état de New-York avec un process 32nm HKGM. L'Hybrid Memory Cube est composée d'une couche logique qui est interconnectée à empilement de plusieurs die mémoire via le TSV (Through Silicon Via).

Cette technologie permet de relier plusieurs die entre eux via des connexions verticales qui passent donc au travers même des die. Cette verticalité permet de réduire drastiquement la longueur des connexions, ce qui permet entre autre d'améliorer la vitesse, d'abaisser la consommation et de réduire la taille du packaging.

Les débits atteints par une mémoire HMC sont très élevés puisqu'une puce de 512 Mo atteindrait les 128 Go /s soit 10 fois la bande passante de la DDR3-1600. Avec 8 watts la consommation rapportée à la bande passante est également en baisse, mais elle est en hausse si on la rapporte à la capacité.


Pour le moment la HMC devrait être assez chère et réservée à des applications industrielles. A terme on peut penser que ce type de mémoire pourrait être utilisé dans des produits plus grand public, afin par exemple de servir de mémoire locale pour un APU.

Les ingénieurs de Samsung effectueront la présentation d'une nouvelle puce de type PRAM en février prochain lors de la conférence dédiée aux circuits intégrés, l'ISSCC  qui se tiendra du 19 au 23 février prochain à San Francisco. La technologie PRAM, également dite de mémoire à changement de phases est une technologie mémoire non volatile qui présente comme avantages théoriques principaux une augmentation drastique de la bande passante et de la durée de vie, tout en réduisant le cout de la remise à zéro d'une cellule, particulièrement gourmand sur les technologies Flash. L'implémentation pratique sous la forme de produits reste cependant assez limitée même si IBM (voir cette actualité précédente) et Samsung investissent assez fortement sur le sujet.

Un prototype de PRAM d'IBM en 90nm
Après avoir fait la démonstration d'une puce PRAM gravée en 58nm l'année dernière, Samsung annonce ici avoir produit une puce PRAM en 20nm, un bond en avant significatif pour la technologie. Côté densité, la puce atteint 8 Gbit, là ou le modèle 58nm atteignait simplement 1 Gb. La tension d'alimentation de la puce reste à 1.8V et atteint une bande passante de 40 Mo /s. La puce continue d'utiliser en effet une interface mémoire LPDDR2-N, équivalente à celle utilisée dans les smartphones. Le reste des caractéristiques techniques et des avancées seront dévoilées en partie la semaine prochaine par Samsung lors d'une réunion de l'IEDM.

Après une première tentative relativement discrète, AMD vient de mettre à jour sa gamme de barrettes mémoires DDR3. La marque s'est cette fois ci officiellement associé à deux partenaires, VisionTek et Patriot qui proposeront trois gammes de produits :

AMD indique également que les modèles performances se différencieront de la gamme entertainment par des latences plus faibles, tandis que les modèles Radeon sont optimisés pour l'overclocking via l'application OverDrive du constructeur.


Le lancement de ces gammes mémoires se fera dans un premier temps en Amérique du Nord, mais elle devrait également arriver en Europe, AMD indiquant un partenaire anglais dans la liste des revendeurs. Le site d'AMD  a été mis à jour pour prendre en compte ces nouvelles gammes.

La société Rambus vient de perdre  un procès important contre les fabricants de mémoire Micron et Hynix. Lancé en 2004, cette procédure antitrust visait à l'époque quatre acteurs du marché de la SDRAM : Samsung, Infineon, Hynix et Micron. Ces sociétés étaient accusées par Rambus d'avoir conspiré pour éliminer la mémoire RDRAM du marché, notamment en limitant la production et en augmentant les prix, à la faveur du standard SDRAM. Samsung et Infineon avaient trouvé un accord à l'amiable avec Rambus (contre 800 et 150 millions de dollars), tandis que Micron et Hynix ont préféré aller jusqu'au procès. Rambus indiquait que la perte de ventes subie atteignait 3.95 milliards de dollars.

Le procès a été l'occasion de quelques éclaircissements sur l'utilisation de la mémoire RDRAM qui avait débuté en 1999 avec le chipset i820 dédié aux Pentium III. Un manager d'Intel aurait en effet témoigné qu'un accord complexe les liait à Rambus à l'époque et qu'une clause dans le contrat autorisait Rambus à bloquer les livraisons de processeurs (!) si certaines conditions de promotion marketing de la part d'Intel n'étaient pas réunies. Un attachement à cette clause de la part de Rambus aurait envenimé ses relations avec Intel et serait - sur un plan non technique - la véritable raison du non succès de la RDRAM.

Outre l'importance des dommages espérés par Rambus, cette défaite reste un événement rare pour la société qui jouissait jusqu'ici d'une certaine vista auprès des tribunaux, malgré le fait que la FTC et la commission européenne  aient reconnu que la société avait trompé les membres du JEDEC (un consortium développant de manière ouverte les standards mémoire, auquel Rambus avait participé avant de le quitter) en déposant des brevets sur des technologies qui seraient adoptées dans le standard SDRAM, sans pour autant en avoir informé les autres membres du comité de standardisation comme le prévoyaient pourtant les statuts du consortium.

L'action de Rambus aura baissé de près de 61% après cette annonce. La société dispose encore de procès en cours pour l'utilisation des brevets dont nous parlions plus haut auprès de Micron et Hynix, mais également Nvidia qui reste l'un des rares acteurs majeurs du marché à avoir refusé de prendre un accord de licence avec Rambus (AMD en avait signé un en 2006).