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Micron vient d'annoncer par un communiqué de presse la disponibilité de ses tous premiers échantillons de test d'Hybrid Memory Cube. Pour rappel, l'Hybrid Memory Cube est un concept relativement simple qui superpose plusieurs dies de mémoire DRAM qui sont reliés les uns aux autres par des TSV (des fils qui passent au travers des différents dies), et reliés en dessous à une couche logique qui contient les contrôleurs.

Un consortium qui regroupe Micron et d'autres sociétés (notamment ARM, HP, Hynix, IBM et Samsung, mais bizarrement pas Intel qui pourtant avait effectué des démonstrations de la technologie) a publié une spécification pour ce nouveau type de mémoire en avril, annonçant des débits très élevés allant de 160 à 240 Go/s (et même 320 Go/s pour des modèles plus complexes). Vous pouvez retrouver plus de détails sur le fonctionnement de l'HMC dans cette actualité.


Micron fournit pour l'occasion cette magnifique photo ou l'on voit clairement le concept
Micron avait annoncé il y a peu son intention de lancer la production en 2014 et de livrer avant la fin de l'année ses premiers échantillons. C'est donc chose faite et l'on a droit en prime à quelques détails techniques. Ce premier échantillon est un modèle 2 Go composé de quatre dies de mémoire DRAM de 4 Gb. Avec quatre liens, cette puce offre 160 Go/s de bande passante mémoire comme attendu. Ces premiers échantillons permettront avant tout le développement pour les partenaires, l'HMC déportant une grande partie de la logique des contrôleurs mémoires directement dans sa couche logique. Micron annonce qu'il proposera début 2014 des échantillons 4 Go et que les deux modèles seront bel et bien en production en 2014, sans s'avancer plus précisément. Les curieux pourront retrouver ces modèles, annoncés en packaging BGA et FBGA sur cette page  du site de la société.

L'incendie dans l'usine SK Hynix de Wuxi continue d'influer sur le prix de la mémoire DDR3, puisque par rapport à il y a 10 jours les prix ont encore augmentés de 16 et 6,6% sur les puces 256 Mo et 512 Mo de DDR3-1600, portant leurs prix à 2,263$ et 4,210$. Par rapport au début du mois, la hausse totale est de 43,6% pour les 256 Mo et 33,9% pour les 512 Mo.

On notera par contre que depuis mercredi dernier, les prix n'augmentent plus. L'évolution des prix à moyen terme est toujours aussi incertaine, puisque si Hynix a annoncé qu'il allait augmenter la production dans son usine d'Icheon en Corée du Sud il faut compter environ deux mois pour que l'effet se fasse ressentir (le temps de produire les puces). Les prix baisseront-ils dans l'intervalle ? Rien n'est moins sûr.

Du côté de l'usine de Wuxi, Hynix a précisé qu'il mettait tout en œuvre pour retrouver un délai de production normal durant le mois de novembre.

Il y a une semaine nous vous parlions d'un incendie dans une usine de DRAM de SK Hynix qui avait entrainé une hausse du prix de la mémoire DDR3-1600. Les puces de 256 et 512 Mo de mémoire DDR3-1600 avaient grimpées de 23,2% et 11,5% ; passant de 1,576 et 3,143$ à 1,941$ et 3,505$.

Depuis, le prix des puces de 256 Mo est resté relativement stable à 1,95$, mais les puces de 512 Mo ont rattrapé leur retard avec une nouvelle hausse de 12,7% portant leur prix à 3,95$. Il faut dire qu'en fin de semaine passée une puce 512 Mo ne coutait que 1.8x le prix d'une 256 Mo, le rattrapage est donc logique même si on aurait bien entendu préféré que ce soit la puce de 256 Mo qui baisse. Au final la hausse est donc de de 23,7% pour 256 Mo et 25,7% pour 512 Mo.

Quid de l'avenir ? Il semblerait qu'un jeu de poker menteur soit en train de se mettre en place. Du côté d'Hynix, il semblerait que la moitié des capacités de production de cette usine soit atteinte, soit l'équivalent de 5 à 6% de la demande mondiale. A ce jour aucune information officielle n'a été donnée concernant la date de retour à un niveau de production normal, mais alors que SK Hynix affichait la semaine passée un certain optimisme depuis rien n'a filtré alors que d'autres sources sont plus pessimistes, parlant de 3 à 6 mois.

Peut-on toutefois faire confiance à ces informations sachant que le marché de la DRAM est très volatile et que n'importe quel acteur, que ce soit au niveau des fabricants ou des intermédiaires, disposant d'un stock à tout intérêt à le vendre au meilleur prix ? Impossible à dire. Toujours est-il que les lignes de production de DRAM sont loin d'être surchargées au global, Hynix comme Micron avait même pour projet de passer une partie de la production de sa production de la DRAM vers la NAND. Dès lors, ce ne sont pas 5-6% de production en moins dans une usine qui devrait permettre de maintenir un tel niveau de prix à moyen terme, tout du moins en théorie …

Alors que les Ivy Bridge-E ont été lancés un peu plus tôt dans la semaine, on pouvait entrevoir dans les couloirs de l'IDF des plateformes Haswell-E qui ne sont pas attendues avant la fin de l'année 2014. Côté plateformes il s'agira pour le chipset du X99 comme nous vous l'indiquions un peu plus tôt dans l'année.

Plusieurs constructeurs montraient leurs barrettes de DDR4, nous en avons vus par exemple chez G.Skill, équipées de puces Micron. Un engineering sample fonctionnant en DDR4-2133.

G.Skill profite du lancement des Core i7 LGA 2011 Ivy Bridge-E pour lancer pas moins de 15 nouveaux kits DDR3 ! Les capacités sont de 16, 32 et 64 Go, avec dans le premier cas une vitesse maximale de DDR3-2933 et dans les deux autres DDR3-2666.

Pour une même fréquence G.Skill propose parfois deux niveaux de timings différents, ce qui explique la multiplication des versions, alors qu'à compter de la DDR3-2666 les kits sont fournis avec des ventilateurs afin de refroidir la mémoire. Les tarifs de ces kits n'ont pas été communiqué, mais le précédent kit de 64 Go DDR3-2400 10-12-12-31 @ 1.65V se trouve aux alentours de 700 €.