1ers échantillons d'Hybrid Memory Cube !

Micron vient d'annoncer par un communiqué de presse la disponibilité de ses tous premiers échantillons de test d'Hybrid Memory Cube. Pour rappel, l'Hybrid Memory Cube est un concept relativement simple qui superpose plusieurs dies de mémoire DRAM qui sont reliés les uns aux autres par des TSV (des fils qui passent au travers des différents dies), et reliés en dessous à une couche logique qui contient les contrôleurs.

Un consortium qui regroupe Micron et d'autres sociétés (notamment ARM, HP, Hynix, IBM et Samsung, mais bizarrement pas Intel qui pourtant avait effectué des démonstrations de la technologie) a publié une spécification pour ce nouveau type de mémoire en avril, annonçant des débits très élevés allant de 160 à 240 Go/s (et même 320 Go/s pour des modèles plus complexes). Vous pouvez retrouver plus de détails sur le fonctionnement de l'HMC dans cette actualité.


Micron fournit pour l'occasion cette magnifique photo ou l'on voit clairement le concept
Micron avait annoncé il y a peu son intention de lancer la production en 2014 et de livrer avant la fin de l'année ses premiers échantillons. C'est donc chose faite et l'on a droit en prime à quelques détails techniques. Ce premier échantillon est un modèle 2 Go composé de quatre dies de mémoire DRAM de 4 Gb. Avec quatre liens, cette puce offre 160 Go/s de bande passante mémoire comme attendu. Ces premiers échantillons permettront avant tout le développement pour les partenaires, l'HMC déportant une grande partie de la logique des contrôleurs mémoires directement dans sa couche logique. Micron annonce qu'il proposera début 2014 des échantillons 4 Go et que les deux modèles seront bel et bien en production en 2014, sans s'avancer plus précisément. Les curieux pourront retrouver ces modèles, annoncés en packaging BGA et FBGA sur cette page  du site de la société.