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16 die NAND en TSV empilés par Toshiba
3D NAND 32 Go TLC chez SanDisk et Toshiba
Un bug de TRIM sous Linux pour les SSD Samsung ? Non
Intel et Micron annoncent la ReRAM 3D XPoint
Contrôleur NVMe x4 chez Phison
IDF: Revodrive 400 chez OCZ
De nombreuses sociétés disposent de stands pendant l'IDF et nous avons pu croiser sur celui d'OCZ leur prochain Revodrive 400. Il s'agit d'un disque au format M.2/NVMe (PCIe 3.0 x4) qui utilise à la fois un contrôleur et de la NAND en provenance de chez Toshiba.
Le firmware est actuellement en cours de finalisation, les spécifications devraient arriver d'ici au mois d'octobre mais des débits séquentiels aux alentours de 2 Go/s sont attendus. Le modèle présenté était une version 512 Go même si un modèle 1 To est au programme.
Les WD Black et Red Pro passent à 6 To
Après les WD Red et Green à 6 To il y a un peu plus d'un an, Western Digital passe à la vitesse supérieure puisque les gammes WD Black et Red Pro sont lancés en versions 5 et 6 To. Ces deux gammes disposent de plateaux fonctionnant à 7200 tpm, contre 5400 tpm pour les Red et Green.
Basés sur une architecture commune, les Black et Red Pro disposent de 128 Mo de cache et affichent des débits séquentiels atteignant 218 Mo /s en début de plateau pour le 6 To et 194 Mo /s pour le 5 To. A titre de comparaison le 4 To était à 171 Mo /s et le 3 To à 168 Mo /s. La densité est donc en hausse par rapport à ces versions qui utilisaient des plateaux de 800 Go, sans que l'on connaisse le détail : s'agit-il de plateaux de 1 To pour la version 5 To et de 1.2 To pour la 6 To ?
Côté Black comme Red Pro la garantie est de 5 ans, mais les Red Pro intègrent en sus une compensation matérielle des vibrations leur permettant d'être intégrés dans des systèmes NAS 8 à 16 disques. Le taux d'erreur non recouvrable par bit lu est également 10 fois moindre et ils supportent le SMART Command Transport Error Recovery Control (SCT ERC). Les WD Black 5 To et 6 To (WD5001FZWX et WD6001FZWX) sont annoncés à 264$ et 294$, il faut ajouter 5$ de plus pour les Red Pro WD5001FFWX et WD6001FFWX.
4 bits par cellule Flash chez Toshiba
Toshiba a indiqué lors du Flash Memory Summit qu'il travaillait à la mise au point de NAND 3D en technologie BiCS en version MLC, TLC mais aussi QLC, c'est-à-dire avec respectivement 2, 3 et 4 bits stockés dans une cellule. Pour arriver à un tel niveau il faudra une programmation très fine puisque sur le même intervalle il y'aura 16 plages de tension correspondant à 16 états différents (de 0000 à 1111) contre 4 en MLC.
Sandisk, avec lequel Toshiba est partenaire sur la Flash, avait annoncé en 2009 une première puce Flash avec 4 bits par cellule. A l'époque gravée en 43nm elle affichait une capacité record de 8 Go pour un die, mais s'était vu cantonnée à des cartes mémoires. Depuis à notre connaissance Sandisk n'a pas renouvelé l'expérience.
Il faut dire que la programmation d'une cellule Flash de ce type est plus lente et usera plus la cellule. Toshiba se veut toutefois rassurant en précisant que si on donne à la MLC 15nm actuelle un niveau d'endurance de 1, la TLC 15nm est à 0.5 alors que la BiCS MLC est à 6, la BiCS TLC à 3 et la BiCS QLC à 1.5. D'après le constructeur la NAND 3D avec 4 bits par cellule serait donc plus endurante que la NAND 2D 15nm actuelle avec 2 bits par cellule. Dans le même temps il indique pourtant que la QLC devrait être réservée aux SSD destinés à l'archivage, bien qu'il faille prendre certaines précautions pour cet usage. L'avenir nous dira ce qu'il en est vraiment !
SSD de 15,36 To chez Samsung !
Samsung vient d'annoncer un SSD d'une capacité record, le PM1633a qui atteindra une capacité de 15,36 To. Utilisant la dernière V-NAND de 3è génération en TLC offrant 32 Go par die, il dépasse au passage la capacité du plus gros disque dur, 10 To, le tout dans un format 2.5" avec certes 9,5mm de hauteur. Il est possible d'intégrer 48 de ces SSD dans 2U, ce qui permet d'atteindre les 737 To ! Le tarif n'est pas précisé, il sera forcément très élevé, mais on n'a rien sans rien…
La V-NAND Samsung en 48 couches et 32 Go
Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa troisième génération de V-NAND, le nom maison pour sa NAND 3D. Le gros changement est le passage à 48 couches, contre 32 pour la seconde génération lancée il y a un an et 24 pour la première qui a deux ans.
Le géant coréen en profite pour doubler la capacité qui passe à 32 Go par die en TLC (3 bits par cellule), contre 16 Go à l'heure actuelle, alors que la consommation serait réduite de 30% pour un même volume de données stockées. De quoi doubler la capacité des SSD Samsung V-NAND, alors que le 850 EVO atteignent déjà 2 To avec des die 16 Go ! En attendant Samsung a déjà annoncé que les 850 EVO allaient désormais être équipés de telles puces, reste à voir si cela aura une influence négative sur les performances des modèles aux plus petites capacités.
Cette nouvelle arrive quelque jours après celle de SanDisk et Toshiba qui ont annoncé une puce similaire il y a quelques jours, mais qui ne sera pas produite avant l'an prochain.
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