IDF automne 2009

Le 32nm arrive et le 22nm n’est pas loin

La star de l’IDF, selon Intel et ses exécutifs qui voulaient tous prendre la pose en sa compagnie, c’est le premier wafer de puces SRAM gravées en 22 nanomètres, une technologie qui devrait être introduite dans deux ans. Intel affirme donc ici son leadership mais n’a voulu donner aucun détails sur ce futur procédé de fabrication, pour éviter de donner la moindre indication à la concurrence qui est plus que jamais prise au sérieux compte tenu des récents regroupements opérés dans le secteur. Pointant du doigt AMD et GlobalFoundries, Intel insiste sur le fait que posséder ses propres fabs lui permet de développer process et nouveaux CPUs en même temps et ainsi de gagner du temps.


Le premier wafer en 22 nm.

Plus près de nous, Intel a affiché la première photo d’un de ses transistors fabriqués en 32 nanomètres, mais ici aussi, sans rentrer dans les détails. Marc Bohr, monsieur process chez Intel, a cependant précisé que son 32 nanomètres était plus performant et permettait une meilleure densité que toutes les technologies concurrentes, y compris le 28 nanomètres de GlobalFoundries. Il a cependant précisé ne pas être devin et donc se baser sur les présentations publiques effectuées par ses concurrents.


Si Intel s’est lancé dans un partenariat avec TSMC pour la fabrication de SoC (System on a Chip) à base d’Atom, il s’efforce depuis le 45 nanomètres de mettre au point une variante optimisée SoC de ses process de fabrication. Un marché très important mais complexe puisque les SoC, qui incluent presque tous les composants nécessaires au système, ont besoin de structures beaucoup plus variées qu’un « simple » CPU. Le fondeur précise ici garder le rythme en introduisant la variante SoC une année après le process classique, soit 2010 pour le 32 nanomètres SoC et 2012 pour le 22 nanomètres SoC.