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En juillet dernier, Western Digital évoquait l'arrivée d'un die de 512 Gb de NAND 3D 64 couches en TLC. Le constructeur confirme ses dires, puisque la production d'échantillons a débuté.

Western Digital et Toshiba, via la joint-venture Flash Forward, sont donc les premiers à mettre en production un tel die, alors même que la concurrence s'active en la matière : Micron a tout récemment annoncé prendre la même direction, tout comme Samsung.

C'est toujours la structure de type BiCS (Bit Cost Scalable) qui est de mise, et après les 48 couches en 2015, Western Digital/Toshiba était parvenu à une première réussite en 64 couches sur un die de 256 Gb en juillet dernier.

Le constructeur a décidé de passer directement à une densité de données plus importante encore avec ce die de 512 Gb, qui devrait passer en production de masse au cours du second semestre de cette année dans l'usine de Yokkaichi au Japon, usine qu'elle partage avec Toshiba.

Comme nous l'évoquions récemment, Toshiba est bel et bien à la recherche d'un investisseur capable de prendre une participation à hauteur de 20 à 30% dans une nouvelle entité consacrée à son activité autour des semi-conducteurs.

Le constructeur japonais l'a confirmé ce matin lors d'une conférence de presse au cours de laquelle le PDG du groupe, Satoshi Tsunakawa, a indiqué vouloir "donner plus de force à cette activité clé".

Toshiba ne semble en effet plus avoir les moyens d'assurer seul le développement dans ce domaine où les investissements nécessaires sont d'importance, à l'heure de la NAND 3D, d'une concurrence accrue sur ce secteur et d'une demande de plus en plus importante.

Après le scandale financier qui a secoué le groupe en 2015 et un coûteux investissement dans le secteur du nucléaire américain, Toshiba n'est plus en odeur de sainteté auprès des agences de notations, et peine à obtenir de l'argent frais pour financer son activité. Toshiba va donc chercher les fonds ailleurs.

Le directeur général adjoint chargé du marché "stockage de données" a ainsi précisé "étudier les offres". Pour l'heure, le quotidien Nikkei croît savoir que quatre fonds d'investissement prépareraient les leurs : les américains Silver Lake, Bain Capital, Kohlberg Kravis Roberts (KKR), ainsi que le britannique Permira.

Toujours d'après le journal, Canon et Micron seraient aussi intéressés, tandis que Western Digital, partenaire industriel de Toshiba depuis le rachat de SanDisk, semble être un candidat naturel. Sans compter la piste qui mène à SK Hynix...

Une assemblée générale d'actionnaires se tiendra en mars pour se prononcer sur le sujet. Elle devra faire vite : Toshiba espère obtenir cet argent avant la clôture de son exercice, fin mars.

En pleine tourmente financière, Toshiba se voit contraint de trouver des investisseurs pour sa filiale semi-conducteurs. Un véritable casse-tête pour le constructeur japonais, qui souhaite conserver une participation majoritaire tout en concluant un accord au plus vite.

Après le scandale concernant la manipulation des comptes en 2015, les fonds propres de Toshiba se sont vus réduits à "seulement" trois milliards d'euros. Confortable pour beaucoup d'entreprises, mais insuffisant pour le géant japonais, au moment où la dépréciation d'actifs de ses activités nucléaires américaines est susceptible de d'atteindre les 4, voire les 5,6 milliards d'euros, ce chiffre variant selon les sources.

Toshiba, qui ne souhaite pas avoir un actif net négatif au moment de la clôture de son exercice fin mars, souhaite donc remplir les caisses avec l'un de ses actifs les mieux valorisés, à savoir sa filiale semi-conducteurs.

Le fond d'investissement Silver Lake se serait montré intéressé, tout comme Canon. Toshiba a également sollicité l'établissement public Development Bank of Japan, mais pourrait avoir aussi contacté Western Digital, société avec laquelle le constructeur japonais collabore déjà au travers de la joint-venture Flash Forward pour la production de mémoire NAND. Cela serait une occasion pour Western Digital de franchir un nouveau cap dans la transition vers la NAND qu'il a déjà largement amorcé avec le rachat de SanDisk... qui l'a aussi beaucoup endetté.

Si cette piste semble sérieuse, elle se heurte au timing de Toshiba : un tel accord nécessiterait de nombreuses autorisations, ce qui n'arrange pas les affaires du japonais.

Les fonds d'investissements pourraient intervenir plus rapidement, mais ne seraient intéressés que par une prise de participation au moins égale à 33%, afin de disposer d'un droit de veto au sein du conseil d'administration. Toshiba, de son côté, souhaite conserver la gouvernance de sa filiale et ne serait pas prêt à faire ce sacrifice.

Un vrai casse-tête pour le constructeur japonais, situation qui devrait toutefois trouver une issue rapidement, compte tenu du timing serré de Toshiba.

Backblaze a publié les statistiques de panne de ses disques durs pour le troisième trimestre . Ces chiffres sont particulièrement intéressants car ils coïncident avec la période où la société termine sa migration en retirant ses disques 2 To pour les remplacer par des modèles de 8 To. Une transition qui s'est effectuée sur les deux derniers trimestres.

Comme nous l'indiquions un peu plus tôt, ces nouveaux disques sont placés dans les nouvelles unités de stockages 60 disques de la société, une densité forte qui, ajouté au mode de fonctionnement spécifique du stockage réseau fait que l'on doit garder un certain recul sur les chiffres annoncés. Voici les chiffres sur les 67742 disques encore en fonctionnement du constructeur :

Nous avons marqué en rouge très clair les taux de pannes annualisés entre 2 et 3%, et en un peu plus foncé ceux au dessus de 3%.

Sur le 8 To, le constructeur a principalement déployé des modèles de Seagate (5120 disques), ainsi que quelques modèles HGST. Selon Backblaze, les résultats à trois mois de ces 8 To Seagate seraient les meilleurs obtenus par la marque jusqu'ici. Les 6 To ont d'après leurs statistiques également de bons taux annualisés, ce qui n'était pas le cas des 4 To. Dans l'absolu, les modèles Red de Western Digital ont, toutes capacités confondues, les taux de pannes annualisés les plus élevés dans le cas d'utilisation spécifique de Backblaze.

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !