Samsung : 256 Mo de DDR3 en 50nm

Samsung vient d’annoncer avoir produit des puces de 256 Mo (2 Gbits) de DDR3. Gravées en 50nm, cette puce remplacera avantageusement les précédentes solutions 2 Gbits qui intégraient en fait au sein d’une même puce deux dies de 1 Gbits.

La consommation est ainsi annoncée comme étant réduite de 40%, ces puces pouvant être utilisées pour mettre au point des SODIMM et des DIMM de 4 Go, voir de 8 Go en Registered et même de 16 Go en utilisant des package intégrant deux dies dans une puce. Côté de vitesse, ces puces sont capables de tenir le mode DDR3-1300 en 1.5 ou 1.35V. Leur production en volume devrait débuter en début d’année 2009.