Actualités informatiques du 23-04-2015

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128 Go en DDR4-2800 chez G.Skill sur LGA2011-v3

Tags : DDR4; G.Skill;
Publié le 23/04/2015 à 17:58 par
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G.Skill vient d'annoncer le kit DDR4 128 Go le plus rapide à ce jour puisqu'il fonctionne en DDR4-2800. Les latences sont de 16-16-16-36 pour une tension de 1.35v, et le tout a été validé sur ASUS X99 Rampage V Extreme.


Ce kit devrait être très cher, probablement nettement plus de 2000 €, mais G.Skill déclinera également la capacité de 16 Go par barrette sur des kits par 4 et avec des vitesses inférieures, DDR4-2133 par exemple. Pour atteindre une telle capacité sur des barrettes Unbuffered G.Skill intègre les toutes dernières puces DDR4 1 Go fabriquées en 20nm par Samsung dont la production a débuté en octobre 2014.


Officiellement le contrôleur mémoire des processeurs Core i7 LGA2011-v3 se limite à des puces de 512 Mo ce qui fait qu'Intel annonce une capacité maximale de 64 Go, mais déjà en LGA2011 ASUS avait trouvé une parade pour supporter 128 Go de DDR3. On ne sait pas si cette fois un bios spécifique est nécessaire.

ASML vend 15 machines EUV à Intel

Tags : 10nm; 7nm; ASML; Intel; TSMC;
Publié le 23/04/2015 à 10:42 par
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La société ASML s'est fendu hier d'un communiqué de presse pour indiquer avoir signé un accord important pour la vente de machines de lithographie EUV. Nous étions revenus sur le sujet à la fin du mois dernier, après de long et multiples retards, cette technologie de lithographie nouvelle génération avait effectué quelques progrès substantiels, notamment chez TSMC, qui avait commandé deux machines NXE:3350B livrables cette année, des machines dédiées au 10nm.

Le communiqué d'ASML indique que la firme néerlandaise a trouvé un accord avec un de ses « gros client américain » pour livrer, dans un délai non précisé, 15 machines EUV. Deux de ces machines au moins seront de type NXE:3350B (10nm) et seront livrées cette année.


Il ne faut pas trop d'imagination pour deviner que le client en question est Intel. La société avait investi de manière importante dans ASML en 2012 même si elle restait prudente sur l'utilisation à venir de la technologie. Cet accord semble montrer un regain d'intérêt autour de l'EUV, même si à l'image de TSMC on s'attend probablement à un déploiement initial autour du 7nm.

La cadence de production des machines sera en effet étalée dans le temps. Six (à huit) machines NXE:3350 devraient être vendues cette année (deux à Intel, deux à TSMC et possiblement deux à Samsung qui était le troisième à avoir investi dans ASML en 2012). La production devrait s'intensifier progressivement puisque ASML table sur la production de douze machines en 2016, vingt-quatre en 2017 et 48 en 2018.

On notera enfin que si l'intérêt autour de l'EUV se porte aujourd'hui pour la fabrication de circuits logiques (processeurs), ASML compte également déployer l'EUV auprès des fabricants de mémoire DRAM dans un second temps. La production de mémoire flash NAND en EUV pourrait suivre avec un décalage de deux à trois ans selon le CEO d'ASML.

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