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Toshiba est le premier à mettre au point une NAND 3D capable de stocker 4 bits par cellule (QLC). La structure 3D de 64 couches est de type BiCS comme toutes les NAND 3D de Toshiba, chaque die fait 96 Go / 768 Gb, une capacité record. En empilant 16 dies dans un simple packaging on atteint 1,5 To ! Toshiba avait déjà évoqué cette mémoire en 2015 puis 2016, elle est actuellement échantillonnée aux fabricants de SSD et de contrôleurs, la date de production en volume n'est pas précisée.

Reste que plus on stock de bits par cellule plus les niveaux de tensions possibles sont nombreux : 2 en SLC, 4 en MLC, 8 en TLC et 16 en QLC. Et plus il y'a de niveaux de tension, plus la programmation de ce niveau doit être précis, ce qui la rallonge et nécessite plusieurs passes d'où une usure supérieure des cellules. Toshiba ne donne malheureusement aucune information de performance ou d'endurance pour cette nouvelle mémoire.

En 2009 déjà, Sandisk qui travaille avec Toshiba sur la Flash avait annoncé la première puce Flash 4 bits par cellule, d'une capacité de 8 Go elle était gravée en 43nm avec une structure planaire bien sûr. Le constructeur l'avait cantonné aux cartes mémoires à l'époque. Cette-fois Toshiba indique viser les SSD, les tablettes et les cartes mémoires.

MAJ : Toshiba a indiqué à AnandTech  que l'endurance de cette puce QLC était de 1000 cycles d'écritures. Un chiffre raisonnable, du niveau de ce que permet la TLC "2D". En 2016, Toshiba évoquait plutôt 500 cycles  pour ce type de mémoire.

Apacer a visiblement eu envie qu'on parle de son dernier SSD. Disponible en versions 240 et 480 Go, le PT920 Commando prend place dans un slot PCIe x4 (de préférence Gen3) et atteint 2.5 Go/s en lecture, la vitesse en écriture séquentielle allant de 860 Mo/s en 240 Go à 1350 Mo/s en 480 Go, pour 165K et 175K IOPS en écritures aléatoires 4K. Mais ce qui fait l'originalité de la chose, c'est avant tout son design… particulier ! Nous vous laissons seuls juges :

 

 

Même si ils sont en conflit ouvert côté juridique, Western Digital et Toshiba continuent de travailler en pratique au sein de leur joint-venture sur la NAND et viennent d'annoncer qu'ils avaient fini de développer avec succès leur nouvelle génération de NAND 3D 96 couches. L'échantillonnage aux clients doit commencer au cours de ce semestre, la production en volume étant prévue pour 2018. Dans un premier temps c'est une puce 32 Go qui sera produite, avant de passer à des capacités supérieures pouvant atteindre 128 Go. Des versions TLC comme QLC sont à l'ordre du jour.

Toshiba et Western Digital annoncent à cette occasion que la montée en puissance de leur 3è génération de NAND 3D 64 couches continue, confirmant l'objectif qui est que 75% de la production utilise cette technologie cette année. Les deux associés estiment même que leur joint-venture sera l'entité qui produira le plus de NAND 3D 64 couches cette année, devant Samsung ou IMFT (Intel / Micron).

Avec le 545s, Intel est le premier à mettre sur le marché un SSD utilisant de la NAND 3D 64 couches. Au contraire du 540 pour lequel la mémoire était d'origine SK Hynix il s'agit ici bel et bien de mémoire Intel / Micron, plus précisément des die 32 Go en TLC, les 64 Go n'étant pas encore produits en volume.

Comme sur le 540, Intel reste fidèle à Silicon Motion pour le contrôleur qui passe en version SM2259. Seul le modèle 512 Go 2.5" SATA 6 Gbps est lancé à ce jour, il est annoncé comme atteignant 550/500 Mo/s en lecture/écriture séquentielle et 75K/90K IOPS en lecture/écriture aléatoire 4K. L'endurance est de 288 To, la garantie de 5 ans et le prix public de 179$.

Intel semble cibler clairement le Samsung 850 EVO avec ce modèle, on notera toutefois que le firmware initiale semble atteint d'un bug pouvant entrainer un plantage de la machine comme l'ont relevé nos confrères de Storage Review  !

En août 2013, The Tech Report avait lancé un test d'endurance qui avait duré 18 mois sur plusieurs SSD et dont le vainqueur avait été un Samsung 840 Pro 256 Go qui avait rendu les armes après 2400 To d'écriture.

Cette-fois c'est Heise.de  qui s'y est mis et c'est encore Samsung qui l'emporte puisqu'un 850 Pro a pu atteindre … 9100 To ! On est bien au-delà de la limite officielle de Samsung fixée à 150 To (plus de 60x !).

 

 

Pour ce test Heise.de a mesuré l'endurance de 12 SSD, deux exemplaires de chacun de ces modèles : OCZ TR150 , Crucial BX200 , Samsung 750 Evo , Samsung 850 Pro , SanDisk Extreme Pro et SanDisk Ultra II. Les BX200 se sont montré les moins endurants, avec respectivement 187 et 280 To, là-encore au-delà des 72 To garantis.

Bas prix n'est toutefois pas synonyme de faible endurance ainsi un des 750 EVO a pu atteindre 1200 To. A noter qu'une surintensité à fait planter un des systèmes de test et a également mis fin à la torture un Samsung 850 Pro et un Sandisk Extreme Pro, ce premier 850 Pro en était alors à 2200 To d'écritures.