Les contenus liés au tag MLC 19/20nm

Nos confrères de VR-Zone  viennent de publier ce qui serait un slide issu d'une roadmap Intel. Ce slide concerne la gamme SSD du constructeur pour 2012. Les slides font mention de certains produits que nous avions déjà évoqués lors précédemment comme les 520 Series (Cherryville) qui remplaceront les actuels 510 Series, les 710 Series (Lyndonville) ou la déclinaison PCI Express en SLC, les 720 Series (Ramsdale).

2012 signera l'arrivée de nouveaux modèles qui ont tous en commun le type de mémoire utilisé : de la mémoire MLC-HET 25nm (High Endurance Technology, voir cette actualité) introduite avec les 710 Series. Ainsi, le 520 Series devrait être remplacé par "King Crest", et le 720 Series par "Ramsdale MLC". Dans le cas du dernier, les capacités indiquées sont doublées par rapport aux modèles SLC.

Le 710 Series devrait être mis à jour au troisième trimestre 2012 sous la référence "Taylorsville". Ce dernier dont les capacités doublent utilisera une interface Serial ATA 6 GB/s (contre 3 GB/s pour le 710 Series). Les dernières références à être mises à jour seront les 320 Series qui passeront aussi au troisième trimestre à la mémoire MLC-HET et au Serial ATA 6 GB/s.

Toshiba et SanDisk annonce l'ouverture de leur usine conjointe, la Fab5, située au Japon dans la préfecture de Mie. Les équipements au sein de l'usine, dont la mise en chantier date de juillet 2010, sont la propriété de leur joint-venture Flash Forward.

La production en volume a déjà débutée en début de mois avec une gravure en 24nm sur des galettes de silicium de 300mm de diamètre, les premières puces étant attendues pour le mois prochain. Cette usine devrait ensuite passer à la gravure 19nm annoncée par Toshiba en avril, mais aucune date n'est précisée. Le passage à des puces 20nm chez IMFT et 19nm chez Toshiba devrait permettre de faire baisser le prix au Go des SSD lors de leur arrivée en 2012.

Toshiba annonce ce jour avoir produit des mémoires NAND Flash MLC avec une finesse de gravure de 19nm. La taille finale de la puce qui offre une capacité de 8 Go n’est pas indiquée, Toshiba indiquant que les échantillons seront disponibles dès la fin avril, avec une production en volume qui sera lancée au cours troisième trimestre. Aucune information n’est donnée concernant l’endurance de ces puces.

Il y a une semaine, IMFT a pour sa part annoncé une puce de 8 Go gravée en 20nm, annonçant la production en volume pour le courant du second semestre. Dans les deux cas, il y a peu de chance de voir débarquer les premiers SSD basés sur de telles mémoires avant 2012.

Intel et Micron viennent d’annoncer une nouvelle puce de mémoire Flash NAND MLC gravée en 20nm, confirmant ainsi leur avance technologique dans le domaine. Offrant une capacité de 8 Go, cette puce mesure 118mm², contre 167mm² pour une puce gravée en 25nm. Elle est produite par IMFT (IM Flash Technologies), la joint-venture regroupant les deux entreprises.

Cette puce mémoire 20nm offrirait les mêmes performances et la même endurance que la mémoire 25nm, et devrait donc constituer le prochain saut en terme de rapport capacité / prix du côté des SSD, sans aucune contrepartie négative. Actuellement au stade d'échantillonnage, cette puce devrait commencer à être produite en volume au cours du second semestre, période durant laquelle IMFT compte échantillonner une puce de 16 Go en 20nm.


Pour rappel, IMFT avait annoncé en février 2010 sa première puce 25nm. A l’époque sa production en volume devait débutée au second trimestre, et ce n’est que très récemment qu’on a commencé à voir débarquer des SSD l’utilisant. Il ne faut donc pas s’attendre à voir des SSD utilisant cette mémoire 20nm avant début 2012.