Les derniers contenus liés aux tags Samsung 850 Pro et Samsung 850 EVO
Les 2 contenus précédentsSamsung 850 EVO en approche
Dossier: Comparatif SSD : 28 SSD de 480 à 512 Go
Le 850 EVO 4 To en approche
(0) Réaction
La capacité des SSD ne cesse d'augmenter, ainsi après avoir lancé la version 2 To en juillet 2015, Samsung finalise l'arrivée de la version 4 To de son 850 EVO. Ce SSD vient en effet de faire une première apparition dans les listings d'une boutique Suisse. Sa disponibilité est annoncée pour début mai, alors qu'en début d'année Samsung parlait de la fin du second trimestre pour ce SSD.
Côté tarif il faut tout de même compter 1150 € HT. Une version 4 To du 850 Pro est également prévue, avec cette fois une disponibilité pour le troisième trimestre.
Un bug de TRIM sous Linux pour les SSD Samsung ? Non
Mise à jour : Finalement il ne s'agissait pas d'un bug côté SSD mais d'un bug du noyau Linux pour lequel Samsung a soumis un patch . Tout est bien qui finit bien !
Spécialisée dans les moteurs de recherche, Algolia vient de publier un billet concernant une problématique qu'ils ont rencontrée sur leurs serveurs tournant sous Linux avec les SSD Samsung. La commande TRIM était en effet mal interprétée sur ces disques ce qui entrainait une corruption des fichiers.
Algolia utilise des Samsung 840 Pro, 850 Pro, ainsi que des SM843T et PM853T, tous présentent ce problème qui a contrario n'a pas été rencontré avec des Intel S3500, S3700 et S3710. Il est à noter qu'il ne s'agit pas du premier souci de TRIM rencontré sous Linux pour les SSD Samsung puisque libata avait été patché en mai par un développeur de chez Oracle afin d'empêcher l'utilisation du Queued Trim sur tous les Samsung SSD 8*, les Crucial/Micron M500, M550 et MX100 faisant également partis de la liste des bannis sauf si ils sont en firmware MU02 pour les deux derniers.
Pour rappel le Queued Trim a été introduit avec le SATA 3.1, cette fonction permet à la commande TRIM de faire partie d'une file d'attente de commande ce qui permet de réduire les pertes de performances lorsqu'elle intervient. Algolia précise pour sa part que le problème concerne bien la version classique (un-queued) de TRIM sous Linux, et être actuellement en contact avec Samsung afin de permettre une résolution du bug. En attendant, si vous avez des serveurs sous Linux tournant des SSD Samsung, il est donc plus prudent de désactiver le TRIM.
Samsung 850 EVO et 850 Pro en version 2 To
Plusieurs revendeurs outre-rhin référencent des versions 2 To des derniers Samsung 850 EVO et 850 Pro, qui utilisent pour rappel de la mémoire V-NAND "3D" respectivement en version TLC et MLC. Jusqu'alors la capacité maximale de ces SSD était de 1 To. Il faut compter au mieux 800 € pour le 850 Evo 2 To, contre 930 € pour le 850 Pro 2 To. Aucune des deux modèles n'est actuellement en stock mais cela ne devrait logiquement pas trop tarder.
Samsung lance son 850 EVO en V-NAND TLC
Samsung lance officiellement son Samsung 850 EVO, testé entre autre par nos confrères d'AnandTech . Pour rappel ce SSD attendu depuis quelques mois déjà utilise à l'instar du 850 PRO de la mémoire Flash V-NAND 32 couches, mais cette fois non plus en mode MLC (2 bits par cellule via 4 niveaux de tension) mais TLC (3 bits par cellule via 8 niveaux de tension).
Le Samsung 850 EVO est décliné en versions 120, 250, 500 Go et 1 To. Dans tous les cas on trouve au sein du SSD des puces intégrant 8 die de 128 Gbit, avec au total une à huit puces selon la capacité. La DRAM, de type LPDDR2, varie entre 256 et 1 Go selon le modèle alors que seule la version 1 To dispose d'un contrôleur 3 coeurs, les versions inférieures utilisant un contrôleur à deux coeurs.
Du côté des performances annoncées on est au limite du SATA 6 Gb/s avec 540 Mo /s en lecture et 520 Mo /s en écriture. Attention toutefois ce débit en écriture est obtenu en partie grâce au cache TurboWrite qui utilise selon la version 9 à 36 Go de mémoire TLC pour disposer de 3 à 12 Go de mémoire SLC très rapide. Une fois ce cache rempli, le débit en écriture est de 150, 300, 500 et 520 Mo /s sur les versions 120, 250, 500 et 1 To.
En lecture 4K aléatoire le Samsung 850 EVO est à 10K IOPS en QD1 et 94 à 98K IOPS selon la capacité en QD32, en écriture on obtient 40K IOPS en QD1 dans le cache TurboWrite, 33K IOPS hors TurboWrite. En QD32 on est à 88 à 90K IOPS dans le cache TurboWrite, mais on retombe à 35K et 66K IOPS sur les versions 120 et 250 Go alors que les SSD 500 Go et 1 To seraient capable de maintenir le même niveau de performances.
Au-delà des performances c'est bien entendu de l'endurance qu'on attendait la V-NAND TLC et de ce côté on n'est pas déçu puisque les Samsung 850 EVO sont garantis 5 ans avec des endurances respectives annoncées à 75 To pour les versions 120 et 250 Go et 150 To pour les versions 500 Go et 1 To.
Comme d'habitude il ne s'agit ici que d'un chiffre pessimiste avec une amplification en écriture élevée, et les données SMART relevées lors des tests par AnandTech montrent que Samsung a validé les cellules pour 2000 cycles d'écritures (de quoi atteindre 2000 To sur la version 1 To donc en conditions optimales !), soit le double de celles d'un Samsung 840 EVO. Un Samsung 850 Pro est pour sa part annoncé à 150 To quelle que soit sa capacité, avec une endurance à 6000 cycles d'après son réglage SMART contre 3000 pour un Samsung 840 Pro.
La V-NAND TLC ne semble donc pas avoir à rougir devant la MLC que ce soit du côté des performances comme de l'endurance, avec un gros avantage qui est celui de la densité puisque Samsung annonce l'avoir doublé par rapport à de la mémoire TLC 19nm classique. Attention cela ne veux pas dire que le coût de production est inférieur, la V-NAND étant probablement nettement plus chère à produire à densité égale... mais de ce côté nous n'en sauront pas plus.
Finalement la seule déception se situe côté tarif, puisque les prix annoncés outre-Atlantique sont les suivant :
- 100$ en version 120 Go
- 150$ en version 250 Go
- 270$ en version 500 Go
- 500$ en version 1 To
Si les 20% de plus par rapport aux Samsung 840 EVO sont justifiés, le problème c'est que Samsung n'est pas seul au monde... et que le 840 EVO n'était pas très bien placé face au Crucial MX100 qui est encore moins cher. Le 850 EVO aura pour lui la garantie de 5 ans et une endurance officielle accrue sur la version 500 Go (le MX100 n'existe pas en 1 To, il est annoncé à 72 To d'endurance quelle que soit la capacité alors qu'elle est logiquement 4 fois supérieure en passant de 128 à 512 Go), mais est-ce suffisant ? Quoi qu'il en soit nous verrons bien quels seront les prix réellement pratiqués lorsque les 850 EVO arriveront sur les étalages, ce qui devrait arriver dans les prochaines semaines.
V-NAND TLC en production chez Samsung
Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa mémoire Flash 3D Vertical NAND (V-NAND) en version TLC, c'est-à-dire avec des cellules capables de contenir chacune 3 bits via 8 niveaux de tensions distincts. Le constructeur confirme au passage son avance sur ce type de mémoire Flash "3D", les autres constructeurs ayant prévus de débuter la production de ce type de mémoire en 2015 voir 2016.
Comme les versions MLC à 2 bits par cellule, ce sont 32 couches qui sont utilisées. Pour rappel la V-NAND permet un empilement vertical des cellules, ce qui permet malgré une finesse de gravure de 40nm d'atteindre une densité de bits par mm² comparable voir supérieure à celle obtenue par Micron et Toshiba/Sandisk en 16/15nm tout en conservant sur le papier une endurance supérieure.
Les nouvelles puces offrent une capacité de 128 Gbits, en comparaison des 86 Gbits proposés par les puces V-NAND MLC utilisées sur le 850 Pro. Un mois séparait l'annonce de leur production de celle du 850 Pro, l'annonce du 850 EVO utilisant la V-NAND TLC ne devrait donc plus tarder.
Les 2 contenus précédents
