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Samsung lance la production en volume du 10LPP

Tags : 10nm; 7nm; Process; Samsung;
Publié le 29/11/2017 à 17:43 par Guillaume Louel

Samsung vient d'annoncer  le démarrage de sa production en volume de puces 10nm de "seconde génération", connue sous le nom de 10LPP. C'est effectivement la seconde itération 10nm du fondeur qui avait proposé, pour quelques clients restreints (principalement Qualcomm et Samsung lui même) un 10LPE en début d'année.

Le constructeur annonce des gains par rapport à sa première génération d'environ 10% de performances supplémentaires, ou 15% de consommation en moins. Cette annonce est potentiellement importante car le 10LPP peut sur le papier concerner un plus grand nombre de clients.

D'un point de vue stratégie, Samsung a choisi de miser sur l'EUV dès le début de sa production 7nm (contrairement à ses concurrents) ce qui retardera mécaniquement l'introduction de son process et a valu l'annonce d'un 8LPP (la "troisième génération" de 10nm) il y a quelques semaines.

Le communiqué de Samsung indique également que sa nouvelle ligne de production, baptisée S3 est prête pour produire en 10nm et "au delà", incluant également la mention du 7nm avec EUV qui sera produit dans ce site.

Samsung annonce la qualification de son 8LPP

Tags : 10nm; 7nm; Process; Samsung; TSMC;
Publié le 19/10/2017 à 14:29 par Guillaume Louel

Samsung vient d'annoncer par le biais d'un communiqué de presse  que son nouveau process de fabrication 8LPP est désormais "qualifié et prêt pour la production".

Vous vous en souvenez peut être, Samsung avait annoncé une pléthore de process à venir dans une roadmap qui a le mérite de l'originalité (8LPP, 7LPP, 6LPP, 5LPP et 4LPP !).

Derrière la nomenclature 8LPP se cache une version optimisée de son process 10nm. Samsung annonce une réduction qui peut atteindre jusque 10% sur la consommation, et une réduction de la surface pouvant aller jusqu'à 10% poussé par une réduction non précisée du metal pitch. Le process est annoncé comme optimisé pour le mobile et les usages réseaux, même si Samsung tente d'indiquer qu'il est également attractif pour des usages "hautes performances".

Ce node avait pour rappel été introduit par Samsung pour temporiser l'arrivée de son 7nm, le constructeur ayant fait le choix audacieux de l'EUV ce qui place au mieux ce process pour la toute fin 2018 . A l'inverse, TSMC lancera d'abord son 7nm sans EUV et l'introduira par la suite. On notera au passage sur le site du constructeur  la confirmation de deux process séparés, un pour les applications mobiles et le second pour les applications "high performance". Nvidia participerait selon les rumeurs a l'élaboration de cette version hautes performances du process de TSMC. Une version du 7nm de TSMC (probablement la version mobile destinée à Apple) est entrée en production risque en avril dernier pour être complet.

Samsung se félicite d'avoir terminé la qualification de son 8LPP avec trois mois d'avances et s'attend à une mise en production en volume rapide (le passage d'une production risque à une production en volume est généralement plus rapide sur les process "dérivés") même si aucun délai n'est précisé.

Un nouveau 14nm chez Samsung

Tags : 7nm; ASML; Process; Samsung;
Publié le 11/09/2017 à 15:33 par Guillaume Louel

Samsung vient d'annoncer une nouvelle version de son process 14nm, qui fait suite aux 14LPE et 14LPP. Cette nouvelle version porte, c'est dans l'ère du temps, le nom de 11LPP. Il faut bien évidemment faire un parallèle avec le 12nm de TSMC qui est une variante de leur 16nm.

Samsung annonce atteindre une réduction de 10% de la surface des puces avec son 11LPP par rapport au 14LPP (la méthode n'est pas précisée, probablement de nouvelles bibliothèques optimisées) et des performances en hausses de 15% à consommation égale. Le coût et la disponibilité en volume devraient être l'argument principal de cette nouvelle variante de process qui sera disponible pour le premier semestre 2018.

En parallèle, Samsung profite du même communiqué de presse pour indiquer que son 7nm EUV est "à l'heure" et toujours prévu pour une production "initiale" sur le second semestre 2018. ASML avait annoncé cet été des progrès sur les sources lumineuses, Samsung devrait donner plus de détails sans son Samsung Foundry Forum qui se tiendra à Tokyo en fin de semaine.

Samsung détaille sa roadmap jusqu'au 4nm

Tags : 10nm; 5nm; 7nm; ASML; Process; Samsung;
Publié le 29/05/2017 à 14:09 par Guillaume Louel

Samsung a donné quelques détails  sur les prochaines versions de ses process de fabrication, annonçant pas moins de cinq nouveaux process baptisés 8LPP, 7LPP, 6LPP, 5LPP et... 4LPP. Quelques informations sont données sur les différences. Ainsi, le 8LPP sera une variante du process 10nm de Samsung qui profitera de gains de performances ainsi que de gains de densité, possiblement par l'utilisation de nouvelles bibliothèques (les blocs de base qui servent à créer les puces).

Le 7LPP sera le prochain "vrai" node de Samsung. Prévu pour la fin 2018, il s'agira du premier node à introduire la lithgraphie EUV. Le constructeur indique dans son communiqué de presse avoir co-développé avec ASML une source lumineuse 250W pour cette mise en production (pour rappel, tous les fabricants ont collaboré avec ASML sur l'EUV, TSMC évoquait également 250W fin 2018 pour la mise en production de l'EUV).

Le 6LPP sera une variante optimisée du 7LPP qui utilisera ce que le marketing appelle du "Smart Scaling", diverses techniques permettant d'améliorer la densité. Il s'agira surtout pour Samsung de profiter de l'apprentissage de son premier process EUV pour optimiser légèrement les choses.

Le 5LPP sera vraisemblablement le "node" suivant au sens traditionnel du terme, il servira à préparer le terrain pour le suivant. Car c'est au niveau du 4LPP qu'un gros changement arrivera avec un passage à un nouveau type de structure de transistor. Samsung utilisera des transistors dit Gate All Around (GAAFET) qui sont une variante des FinFET où la Gate entoure le canal. La version de Samsung sera baptisée MBCFET (Multi Bridge Channel FET) et utilisera une nanosheet sur laquelle aucun détail n'est donné pour l'instant.


Les différences entre les types de transistors (source )

Ces nodes et ces variantes devraient apparaître progressivement dans les années à venir, Samsung évoquant simplement son 4LPP pour 2020 pour ne pas s'engager plus fortement sur le timing. On ne leur en tiendra pas rigueur, il est assez rare que les fondeurs partagent publiquement, et avec tant de visibilité leur roadmap.

On pourra bien entendu s'interroger sur les nomenclatures choisies par Samsung, mais au-delà de cela, la tendance reste commune chez tous les fondeurs qui multiplient les variantes d'un même process. TSMC en est à sa quatrième version de "16nm", baptisée pour le coup 12FFC, tandis qu'Intel annonçait fin mars pour la première fois trois versions de 14nm et de 10nm.

Derrière ces annonces, on retrouve des constatations communes, il est de plus en plus difficile de réduire la taille des puces, et les gains de performances et de densités apportés ne sont plus forcément aussi importants qu'auparavant (même si les fondeurs, Intel en tête, continuent d'innover sur les formules mathématiques pour ne pas dire que la loi de Moore ralentit).


Le passage au 5nm chez tous les fondeurs est attendu autour de 2020 en production risque, même si chez Intel on parlerait logiquement de "7nm", cf cette roadmap basée sur des estimations publiées sur le blog SemiWiki 

Mais au-delà du marketing derrière les variantes, le rythme annoncé par Samsung reste assez soutenu laissant penser à un écart de deux ans entre le 7nm et le 5nm, ce qui est très agressif et aligné sur ce que devrait proposer TSMC (qui lancera son 7nm d'abord sans EUV, le 8LPP lui étant opposé par Samsung). TSMC a confirmé  qu'il lancera le début de sa production en 7nm ce trimestre (la production en volume est attendue l'année prochaine). Le 5nm démarrera ses essais de production en 2019 pour une production volume en 2020 chez le fondeur taiwanais.

La confiance de Samsung sur l'EUV est également un point que l'on ne négligera pas, la lithographie à immersion touche aujourd'hui ses limites et si les problèmes de l'EUV ne sont pas tous résolus, la technologie devrait donner un peu de marge aux fondeurs.

12nm et EUV à 7nm pour TSMC

Publié le 13/01/2017 à 13:46 par Guillaume Louel

TSMC a publié hier ses résultats financiers pour le dernier trimestre 2016. Le fondeur taiwannais a annoncé pour ce trimestre un revenu brut de près de 7.8 milliards d'euros, en hausse de 28.8% par rapport à la même période sur l'année précédente. Sur la totalité de l'année 2016, TSMC aura augmenté son revenu de 12.4% par rapport à 2015.

Pour 2017, TSMC s'attend à voir ses revenus progresser de "seulement" 5 à 10% (ce qui n'a pas manqué de décevoir les analystes financiers). Lors de la présentation des résultats, quelques informations supplémentaires ont été données.

Morris Chang, Chairman de TSMC s'est lancé dans quelques prédictions pour le marché 2017, s'attendant à voir le marché des smartphones grimper de 6% en unités, et celui du PC se contracter de 5% en unités également (il envisage également un déclin de 7% sur les tablettes tout en voyant le marché Internet of Things progresser de 34%).

Sur le 16/14nm, Morris Chang estime que la part de marché de TSMC est entre 65 et 70%, en dessous de ses attentes (TSMC dispose encore de 80% du marché sur le 28nm par exemple). Toujours poétique, le Chairman voit dans le 10 et le 7nm un "ciel bleu" par rapport à la compétition.

Quelques détails plus techniques ont été donnés, notamment par rapport à un "12nm" qui avait été évoqué ici ou là dans la presse. En pratique, TSMC travaille sur une nouvelle version de son process 16nm (une quatrième après les 16FF, 16FF+ et 16FFC) qui incorpore des améliorations importantes de densité. L'appellation commerciale exacte n'a pas été donnée, et on ne sait pas exactement quand elle sera disponible. On s'attendra dans quelques semaines à une annonce officielle, même si TSMC à confirmé aujourd'hui l'existence de ce "12nm".

Pour le 10nm, si le début de production est bien en cours, le gros du volume se situera sur la seconde partie de l'année (coïncidant avec le lancement des prochains iPhones dont le SoC utilisera le 10nm TSMC).

Sur le 7nm, plus de 20 sociétés travailleraient déjà sur des designs pour l'année prochaine, un chiffre qui devrait doubler dans l'année. Sur la question du 7nm en lui même, nous nous étions interrogés sur la manière dont le constructeur augmenterait la densité. Pour rappel, TSMC s'engage à lancer la production du 7nm dès la fin de l'année, il s'agira du node qu'utiliseront la majorité de ses clients, le 10nm devrait avoir une durée de vie courte et être réservé à quelques gros clients.

Le 10nm rappelle d'une certaine manière le 20nm de TSMC, lui aussi utilisé par des gros clients uniquement avant un passage rapide au 16nm. Cependant, avec une augmentation de la densité de 1.63x entre le 10 et le 7nm, la recette utilisée est plus complexe que pour le passage 20/16nm (qui ne proposait qu'une augmentation de densité de 1.15x). Nos confrères de SemiWiki, très au fait des détails, ont confirmé  il y a quelques jours que des changements sur les tailles minimales des cellules sont en grande partie à l'origine des gains de densité et que pour réduire les coûts, TSMC évitera au maximum de généraliser le quadruple patterning (SAQP). Le 10 et le 7nm auront donc bel et bien des similarités techniques.

Pour essayer d'y voir un peu plus clair, et étant donné que plus aucun constructeur ne suit de règles équivalentes pour parler de densité, SemiWiki a publié ce graphique intéressant qui montre une "estimation" de la densité comparée de tous les fondeurs :

D'après SemiWiki, le 10nm d'Intel et le 7nm de TSMC auraient, après ajustement, une densité comparable. Il s'agit bien entendu d'estimations qui valent ce qu'elles valent, vous pouvez retrouver l'explication de la formule utilisée ici , mais elles donnent un bon ordre d'idée de ce à quoi il faut s'attendre (un seul bémol à cette analyse : les prévisions concernant GlobalFoundries nous semblent excessivement optimistes, en grande partie à cause des annonces de GlobalFoundries qui nous paraissent déconnectées de leur capacité d'exécution ces dernières années).

En pratique le 10nm de TSMC disposera tout de même d'une meilleure densité que l'actuel 14nm d'Intel, TSMC pourra donc se targuer d'avoir dépassé Intel côté process lorsque les premiers produits 10nm seront disponibles plus tard dans l'année. Et si Intel reprendra l'avantage avec "son" 10nm, TSMC sera effectivement - et pour la première fois - à parité dès la fin de l'année en lançant la production de son 7nm. Une situation qui durera un moment, et pour la première fois les constructeurs "fabless" pourront disposer d'un process équivalent en densité à celui d'Intel.

On notera enfin, concernant le 7nm, que TSMC a confirmé qu'ils inséreront l'EUV au bout d'un an de production à 7nm (soit fin 2018) pour créer une nouvelle version du 7nm (à l'image des multiples 16nm). Des propos plutôt optimistes concernant la lithographie EUV qui sera, Mark Liu le rappelle, indispensable à 5nm. Et un timing qui coïncide exactement avec le lancement de la production du 7nm de Samsung qui utilisera elle, dès le début, l'EUV !

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