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Nouvelle usine NAND 3D pour Toshiba

Publié le 08/11/2016 à 12:03 par Guillaume Louel

Après avoir inauguré en juillet dernier sa nouvelle usine de mémoire flash au Japon, Toshiba vient d'annoncer qu'il s'engage à en construire une nouvelle.

Elle se situera toujours sur le même site japonais de Yokkaichi situé dans la ville de Mie, et sera dédiée à la production de la 3D NAND BiCS de Toshiba.

Le début de la construction est prévu pour 2017 et la société s'attend à ce que la première "phase" (l'usine sera construite en deux temps) soit opérationnelle à l'été 2018. Toshiba construira également un nouveau building dédié spécifiquement au R&D, où il centralisera des équipes qui étaient jusque là éparpillées.

L'annonce est faite par Toshiba qui n'est pas très clair sur le rôle que jouera Western Digital dans le financement. On rappellera que Toshiba et Sandisk collaboraient au sein d'une Joint Venture (Flash Forward). Le rachat de Sandisk par Western Digital avait lié les deux entreprises qui sont en compétition sur le marché des disques durs.

Le communiqué précise simplement que selon leurs "discussions" avec Western Digital, ils s'attendent à ce que ce dernier continue à participer aux investissements et aux opérations de cette usine. L'absence de communiqué commun chez WD laisse penser que les relations sont possiblement tendues entre les deux sociétés.

Nouvelle usine NAND 3D Toshiba / Western

Publié le 15/07/2016 à 15:17 par Marc Prieur

Toshiba et Western Digital viennent d'annoncer l'inauguration d'une nouvelle usine de semi-conducteur au Japon, New Fab 2. Initiée en septembre 2014 alors que SanDisk n'avait pas encore été racheté par Western Digital, cette usine de 27600m² est la propriété de la joint-venture Flash Forward. Elle sera utilisée pour produire de la NAND 3D.

Depuis octobre 2015 des équipements ont commencé à être installés dans les locaux, et la première production a débuté en mars. Toshiba et Western précisent qu'ils ont l'intention d'étendre les capacités de production de l'usine en fonction des conditions de marché.

3D NAND 32 Go TLC chez SanDisk et Toshiba

Publié le 04/08/2015 à 07:55 par Marc Prieur

SanDisk et Toshiba, qui sont pour rappel associés pour la production de NAND au sein de la joint-venture Flash Forward, viennent d'annoncer une nouvelle étape côté NAND 3D. Après l'annonce en mars d'une puce de 128 Gbits (16 Go) en MLC, c'est au tour d'une puce 256 Gbits (32 Go) en TLC, soit avec 3 bits stockés par cellule au lieu de 2 en MLC, de voir le jour.


Dans les deux cas c'est une structure verticale de type BiCS (Bit Cost Scalable) qui est utilisée, avec 48 couches. Cette mémoire devrait arriver sur le marché en 2016 et sera produite dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon qui sera terminée au premier semestre de cette même année.

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