Puce DDR2 2 Gbits et TSV chez Samsung

Samsung annonce avoir développé des puces de DDR2 d'une capacité de 2 Gigabits en recourant à la technologie through-silicon vias.

En pratique, il s'agit de quatre die de 512 megabits intégrés au sein d'un même packaging et communicant entre elles via des connexions verticales en cuivre dont les tracés sont réalisés au laser. En assemblant 16 puces de 2 Gigabits sur une seule barrette, le coréen va pouvoir proposer des modules doubles faces d'une capacité de 4Go.

Samsung ne donne pas de date précise quand à la production en volume de ces puces, et il faut noter qu’en soit une densité de 2 Gigabits n’est pas exceptionnelle puisque Samsung comme Micron échantillonnent déjà ce type de puce en DDR2, et ce jusqu’en DDR2-667 CL5. Reste que selon Samsung, cette technologie permettrait de gagner en densité, de réduire la consommation et vraisemblablement les perturbations électriques (longueur des connexions réduites oblige), d'où la possibilité d'une montée en fréquence plus aisée.