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Lors de l'IDF, Samsung a annoncé qu'il allait lancer en 2016 de la mémoire HBM. Pour rappel ce type de mémoire a été co-développée par AMD et Hynix et est devenu un standard ratifié par le Jedec, il a fait sa première apparition sur les R9 Fury X.

A l'instar de la seconde génération de HBM Hynix prévue également pour l'an prochain, la HBM de Samsung sera basée sur des dies de 8 Gb qui seront empilés par 2, 4 ou 8 au sein de puces capables de fournir une bande passante de 256 Go /s chacune.

Cela permettra d'envisager de nombreuses configurations, de 2 Go à 256 Go /s à 48 Go à 1.5 To /s, les GPU haut de gamme devant probablement se "contenter" de 8 à 16 Go à 1 To /s, une bande passante doublée par rapport à la Fury X qui devrait être la bienvenue avec le passage des GPU au 14/16nm.

Alors que certaines rumeurs indiquaient qu'AMD allait avoir les faveurs d'Hynix en ce qui concerne l'approvisionnement en HBM de seconde génération du fait de leur passif, l'arrivée de Samsung sur ce marché devrait donc faire les affaires de Nvidia qui prévoit également d'utiliser ce type de mémoire avec sa prochaine architecture Pascal.

Le partenaire d'Intel sur la mémoire 3D XPoint était présent sur l'IDF avec un stand ou l'on pouvait apercevoir un wafer de NAND 16nm, ainsi qu'un module 3D NAND de 256 Gbits.

La société a également effectué une présentation ou elle a évoqué ses technologies mémoires. Le constructeur continue de travailler sur l'Hybrid Memory Cube (HMC), une technologie qui supperpose des dies de mémoires avec une couche de contrôleurs logiques. La troisième génération est en cours de développement même si l'on ne sait pas encore ce qu'elle apportera.

Micron est également revenu sur la complexité de la fabrication de la mémoire DRAM a 20nm et au dela. L'augmentation des coûts via les masques et les opérations rend de plus en plus difficile chaque passage à un nouveau node. Malgré tout le fabricant s'est felicité de ses yields atteint en 20nm et a indiqué travailler sur le 15nm et au delà.


Côté NAND, Micron a confirmé que le 16nm serait son dernier node « traditionnel » et qu'il passait au delà à une gamme 100% 3D NAND. Cette variante de la NAND permet pour rappel de construire les cellules verticalement pour les empiler en augmentant la densité. Un avantage important qui permet d'utiliser des process plus anciens, et mieux maitrisés, autour de 50nm pour la première génération de Micron. La seconde génération de 3D NAND apparaitra en 2016.

3D XPoint a été peu évoqué, si ce n'est sur le fait qu'il y aura une seconde génération de cette mémoire en 2016. On notera que Micron parle toujours sur ses roadmaps d'une seconde nouvelle mémoire qui arriverait en 2017. Une variante de STTRAM (Spin Transfer Torque RAM) semble être l'une des possibilités, il faudra attendre un peu avant d'en savoir plus !

Cooler Master lance ces nouveaux boitiers, les MasterCase 5 et Pro 5, qui inaugurent le système FreeFrom du constructeur. Derrière ce nom se cache un ensemble d'accessoires permettant de faire évoluer le boitier tant au niveau du look extérieur que de l'agencement intérieur, une bonne idée mais qui nécessitera bien sûr de passer à la caisse soit via la boutique en ligne maison soit via des revendeurs agréés.

Le châssis est donc commun, il faut compter pour l'ensemble une dizaine de kilos pour 235x548x512mm. Côté stockage on dispose de 2 baies 5.25", 2 à 5 baies 3.5"/2.5" (dont la hauteur est complètement réglable) et deux paniers 2.5" supplémentaires à positionner soit en bas de la carte mère soit derrière cette dernière.

Si on se passe des baies 5.25" on pourra installer 3 ventilateurs 140mm ou un radiateur 280mm à l'avant, alors qu'à l'arrière on peut installer un ventilateur ou radiateur 140mm, contre deux ventilateurs 140mm ou un radiateur 240mm au-dessus. Le ventirad peut mesurer jusqu'à 19 cm de hauteur, l'alimentation 20cm de longueur alors que pour la carte graphique on a droit à 29,6 à 41,2cm selon la position de la cage HDD.


Le MasterCase 5 dispose de poignées supérieures et d'une porte classique alors que le MasterCase Pro 5 se passe des poignées mais à droit à une fenêtre latérale, un top cover en mesh permettant de sortir le radiateur supérieur du châssis principal, un troisième ventilateur 140mm (2 en façade, 1 à l'arrière) et passe de 2 à 5 baies 3.5" / 2.5". Côté tarif il faudra tout de même compter 125 et 160 €, alors que la tarification et la liste exacte des accessoires ne sont pas communiquées.

Nvidia vient s'ajouter à la liste des fabricants touchés par des problèmes de batterie et annonce aujourd'hui un rappel volontaire des tablettes Shield dont la batterie pourrait surchauffer et entraîner un risque d'incendie.

Comme vous pouvez l'imaginer compte tenu des aspects légaux, Nvidia en dit le moins possible mais conseille de suivre la procédure d'échange et de cesser d'utiliser la tablette, même si en pratique les risques sont probablement infimes.

Les tablettes affectées ont été commercialisées entre juillet 2014 et juillet 2015, soit depuis le lancement de la Shield Tablet jusqu'à ce jour. Il existe par contre 2 variantes de la batterie : la B01 ne pose pas de problème contrairement à la Y01 qui doit être remplacée. C'est le cas pour notre échantillon de Shield Tablet.

La procédure de retour est assez simple : la dernière mise à jour de la tablette permet de vérifier la version de la batterie et d'activer le remplacement si nécessaire. Nvidia fera alors parvenir une tablette corrigée et l'ancienne sera renvoyée par la suite (elle sera désactivée en se connectant aux serveurs Nvidia dès que la nouvelle sera activée).

Nvidia a mis en place un site internet pour procéder au rappel et expliquer étape par étape la procédure à suivre : http://fr.tabletrecall.expertproductinquiry.com/registration .

G.Skill lance de nouveaux kits DDR4 destinés aux futurs Skylake, les Ripjaws V et Trident Z. Les vitesses vont de DDR4-2133 à DDR4-4000, un nouveau record plutôt impressionnant ! Celle-ci est atteinte sur un kit 8 Go (2x4 Go) validé sur une carte mère ASRock Z170 OC Formula à une tension comprise entre 1.35 et 1.40V.

La gamme est très (trop ?) large avec pas moins de 12 niveaux de fréquences, jusqu'à 4 capacités par fréquence et deux niveaux de tensions, sans compter les divers coloris. Les tensions sont généralement de 1.2V de DDR4-2133 à DDR4-2800, et de 1.35V entre DDR4-2800 et DDR4-3800. Côté latences, elles sont forcément relâchées à haute fréquence avec 17-18-18-38 en DDR4-3600, 18-20-20-38 en DDR4-3800 et 19-25-25-45 en DDR4-4000, une hausse très importante pour ce dernier kit qui fait qu'en pratique il pourrait être… moins rapide que le DDR4-3800 !

Les tarifs n'ont pas été communiqués, mais ils augmenteront logiquement de manière exponentielle au-delà de la DDR4-3000.