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Après Toshiba et IM Flash Technologies (Micron / Intel), c’est au tour de Samsung d’annoncer des mémoires Flash NAND MLC stockant 3 bits par cellule (MLC 3PBC). Le fabricant indique avoir débuté la production en volume de ces puces gravées en 30nm. Pour rappel ce type de mémoire n’est destiné qu’aux clés USB et aux cartes mémoires, leurs performances et leur endurance n’étant pas suffisante pour une intégration sur un SSD.

Samsung vient d’annoncer qu’il avait débuté la production en 30nm d’une puce 4 Go Flash NAND MLC ayant la particularité d’avoir une interface de type DDR. Cette puce arrive 8 mois après la première puce MLC 30nm de Samsung, bien que ces dernières aient encore des problèmes de performances qui font qu’elles ne sont pas utilisées sur les SSD. Selon Samsung, ces nouvelles NAND Flash MLC DDR offriraient un débit 3 fois supérieur aux puces SDR.

G.Skill annonce ce jour l’arrivée de kits mémoires DDR3 offrant des capacités allant de 8 à 12 Go. 4 à 6 barrettes sont utilisées, ce dernier kit étant réservé au X58. Divers modèles sont disponibles, allant de la DDR3-1333 à la DDR3-2200 en passant par des modèles base consommation, comme vous pouvez le voir sur ce tableau fournit par le constructeur :

3 mois après avoir annoncé se lancer sur ce marché, Elpida vient de terminer le développement d’une puce de GDDR5 128 Mo offrant un débit de 6 Gbps. En soit, ce débit n’est pas exceptionnel puisque Hynix avait déjà annoncé fin 2008 une puce à 7 Gpbs. Toutefois, les puces actuellement utilisées sur les Radeon 5800 sont des modèles à 5 Gbps.