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Crucial annonce ce jour de nouvelles barrettes de mémoire DDR3-1333 atteignant une capacité de 4 Go. Destinées aux plates-formes Intel et AMD, ces barrettes classiques (Sans ECC et Unbuffered) permettent donc d’atteindre une capacité de 16 Go sur les systèmes classiques. Sur ce coup, Crucial est en fait en retard puisque Kingston ou encore G.Skill ont déjà de telles barrettes à leurs catalogues depuis quelques mois.

Après Toshiba et IM Flash Technologies (Micron / Intel), c’est au tour de Samsung d’annoncer des mémoires Flash NAND MLC stockant 3 bits par cellule (MLC 3PBC). Le fabricant indique avoir débuté la production en volume de ces puces gravées en 30nm. Pour rappel ce type de mémoire n’est destiné qu’aux clés USB et aux cartes mémoires, leurs performances et leur endurance n’étant pas suffisante pour une intégration sur un SSD.

Samsung vient d’annoncer qu’il avait débuté la production en 30nm d’une puce 4 Go Flash NAND MLC ayant la particularité d’avoir une interface de type DDR. Cette puce arrive 8 mois après la première puce MLC 30nm de Samsung, bien que ces dernières aient encore des problèmes de performances qui font qu’elles ne sont pas utilisées sur les SSD. Selon Samsung, ces nouvelles NAND Flash MLC DDR offriraient un débit 3 fois supérieur aux puces SDR.

G.Skill annonce ce jour l’arrivée de kits mémoires DDR3 offrant des capacités allant de 8 à 12 Go. 4 à 6 barrettes sont utilisées, ce dernier kit étant réservé au X58. Divers modèles sont disponibles, allant de la DDR3-1333 à la DDR3-2200 en passant par des modèles base consommation, comme vous pouvez le voir sur ce tableau fournit par le constructeur :

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