Actualités ssd

Rapidement présenté lors du CES, l'ASUS RAIDR EXPRESS se dévoile un peu plus sur SweClockers. Ce nouveau SSD PCI-Express prend la forme d'une carte fille PCI-Express x2 Gen2 (soit 1 Go /s dans chaque sens) qui intègre un pont PCI-Express vers SATA, deux contrôleurs SandForce SF-2281 et de la NAND MLC Toshiba 19nm.

Dans un premier temps des versions totalisant un espace accessible de 120 et 240 Go seront lancées, avec des performances annoncées à 765/775 Mo /s en lecture/écriture séquentielle pour le premier et 830/810 Mo /s pour le second. Les lectures et écritures aléatoires sont de 100K IOPS, mais il faut noter qu'il n'est pas précisé si ces performances sont obtenues avec des données compressibles ou non.


La consommation est élevée pour un SSD puisque de 7 watts au repos et 16 watts en activité, la faute probablement au pont PCI-E vers SATA. On notera que ASUS met en avant le support du TRIM, une fonctionnalité également supportée par les SSD PCI-Express OCZ mais qui n'a jamais été fonctionnelle sous Windows. Les produits OCZ sont gérés comme des périphériques SCSI, et si un équivalent TRIM est disponible (SCSI Unmap) il n'est géré que par Windows 8… mais pas par les pilotes OCZ.

Il faut espérer pour le RAIDR qu'ASUS fera mieux, car dans la négative les utilisateurs sur une plate-forme Intel récente auront tout intérêt à utiliser deux SSD SATA 6 Gb/s en RAID 0, le TRIM étant supporté dans cette configuration. Côté logiciel ASUS livrera un logiciel de RAMDisk, un logiciel de configuration (SSD TweakIt), un logiciel permettant de répartir la charge entre RAIDR, disque dur et RAMDisk (ROG HybriDisk), un logiciel de benchmark (ROG CrystalDIskMark), une boite à outil pour la mise à jour et l'effacement sécurisé et Kaspersky Anti-Virus 2013. Le RAIDR EXPRESS devrait être lancé à la mi-mai.

Samsung annonce avoir débuté la production en volume de puces Flash NAND de 128 Gb (soit 16 Go) avec une densité de 3 bits par cellule (MLC 3BPC ou TLC). Ces puces sont gravées en utilisant un process de "classe 10nm", sans plus de précision comme d'habitude chez Samsung. La finesse de gravure se situe plutôt dans la fourchette haute, probablement 17, 18 ou 19nm.

Ce même process est également utilisé depuis novembre dernier pour une puce 64 Gb en MLC classique, et Samsung met en avant que la TLC 128 Gb en 1xnm a une densité plus de deux fois supérieure à sa MLC 64 Gb en 21nm, que l'on retrouve entre autre sur le Samsung 840 Pro.

A terme cette puce devrait se retrouver sur le futur "Samsung 850", l'actuel Samsung 840 utilisant des puces 64 Gb TLC 21nm. Il faut noter que la production en volume de ces puces avait été annoncée en octobre 2010, alors que le Samsung 840 n'a fait son apparition qu'en octobre 2012. On peut penser que ce délai sera cette fois nettement réduit.

Toshiba est le premier à avoir annoncé la production d'une puce TLC de 16 Go, c'était en janvier 2012. Bizarrement, elle mesure 170mm² pour un process 19nm alors que celle annoncée en février 2013 pour une production au second trimestre par Micron est en 20nm et mesure 146mm². Samsung ne donne pas la taille de sa puce. A ce jour le Samsung 840 reste le seul SSD à utiliser de la mémoire TLC, les mémoires Toshiba et Micron n'ayant pas encore été utilisées à cette fin.

Selon Nordic Hardware , OCZ devrait lancer un Vertex 5 avant la fin de son trimestre fiscal en cours, c'est-à-dire avant fin mai.

Les détails concernant cette déclinaison sont encore peu nombreux, il devrait a priori s'agir d'une combinaison d'une légère évolution du Barefoot 3 utilisé dans l'OCZ Vector avec de la Flash MLC 20nm ONFI fabriquée par IMFT. Ceci permettra de faire baisser le coût du SSD, reste à savoir quel sera l'impact sur les performances dans le cas où OCZ utiliserait des die 128 Gb avec des pages de 16 Ko comme c'est le cas pour le Crucial M500.

Hitachi Storage (HGST, filiale de WD) avait déjà parlé de l'interface SAS 12 Gb /s en mai 2012. Cette évolution de l'interface SAS a pour intérêt de doubler le débit par rapport au SAS ou SATA 6 Gb /s, passant ainsi à 1,2 Go /s utiles (du fait du codage 8b10b). Il faut noter qu'un tel débit était déjà atteignable en SAS 6 Gb /s en couplant deux ports comme l'avait fait Toshiba en août dernier. En couplant deux ports il sera donc cette fois possible d'atteindre le SATA 24 Gb /s soit 2,4 Go /s utiles par disque !

Trois gammes de SSD destinés aux entreprises utilisant l'interface SAS 12 Gb /s et de la MLC Intel sont lancées par Hitachi GST. Le SSD800MH sera disponible en capacités 200, 400 et 800 Go. Il peut atteindre les 1,2 Go /s et 750 Mo /s en lecture et écriture séquentielle 64K, pour 145K et 100K IOPS en lecture et écriture aléatoire 4K. Hitachi GST annonce une endurance permettant 25 écritures complètes par jour pendant 5 ans, soit 36,5 Po pour la version 800 Go.

Le SSD800MM sera disponible dans les mêmes capacités mais est légèrement moins rapide avec dans le même ordre 1,15 Go /s, 700 Mo /s, 145K et 70K IOPS. Son endurance est également moindre avec 10 écritures complètes par jour pendant 5 ans.

Enfin le SSD1000MR utilise moins de réserve de Flash et les capacités utilisables sont donc de 250, 500 et 1000 Go. Ses performances sont de 1,2 Go /s, 700 Mo /s, 145K IOPS et 20K IOPS, le niveau de performance ne pouvant être maintenu au même niveau que les autres sans TRIM et sans réserve de Flash. Logiquement l'endurance s'en ressent aussi et Hitachi GST ne garantit "que" 2 écritures complètes journalières pendant 5 ans.

La consommation de ces SSD est de l'ordre de 2 watts au repos et de 9 à 11 watts en charge selon la capacité. Au format 2.5", ils mesurent 15mm d'épaisseur et sont en cours de qualification auprès des OEM, leur disponibilité étant prévue pour juin.