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Avec le 545s, Intel est le premier à mettre sur le marché un SSD utilisant de la NAND 3D 64 couches. Au contraire du 540 pour lequel la mémoire était d'origine SK Hynix il s'agit ici bel et bien de mémoire Intel / Micron, plus précisément des die 32 Go en TLC, les 64 Go n'étant pas encore produits en volume.

Comme sur le 540, Intel reste fidèle à Silicon Motion pour le contrôleur qui passe en version SM2259. Seul le modèle 512 Go 2.5" SATA 6 Gbps est lancé à ce jour, il est annoncé comme atteignant 550/500 Mo/s en lecture/écriture séquentielle et 75K/90K IOPS en lecture/écriture aléatoire 4K. L'endurance est de 288 To, la garantie de 5 ans et le prix public de 179$.

Intel semble cibler clairement le Samsung 850 EVO avec ce modèle, on notera toutefois que le firmware initiale semble atteint d'un bug pouvant entrainer un plantage de la machine comme l'ont relevé nos confrères de Storage Review  !

En août 2013, The Tech Report avait lancé un test d'endurance qui avait duré 18 mois sur plusieurs SSD et dont le vainqueur avait été un Samsung 840 Pro 256 Go qui avait rendu les armes après 2400 To d'écriture.

Cette-fois c'est Heise.de  qui s'y est mis et c'est encore Samsung qui l'emporte puisqu'un 850 Pro a pu atteindre … 9100 To ! On est bien au-delà de la limite officielle de Samsung fixée à 150 To (plus de 60x !).

 

 

Pour ce test Heise.de a mesuré l'endurance de 12 SSD, deux exemplaires de chacun de ces modèles : OCZ TR150 , Crucial BX200 , Samsung 750 Evo , Samsung 850 Pro , SanDisk Extreme Pro et SanDisk Ultra II. Les BX200 se sont montré les moins endurants, avec respectivement 187 et 280 To, là-encore au-delà des 72 To garantis.

Bas prix n'est toutefois pas synonyme de faible endurance ainsi un des 750 EVO a pu atteindre 1200 To. A noter qu'une surintensité à fait planter un des systèmes de test et a également mis fin à la torture un Samsung 850 Pro et un Sandisk Extreme Pro, ce premier 850 Pro en était alors à 2200 To d'écritures.

Présenté en janvier à l'occasion du CES, le KC1000 de Kingston est enfin lancé à l'occasion du Computex. L'occasion de confirmer qu'il associe de la NAND MLC Toshiba 15nm au contrôleur Phison PS5007-E7, comme d'autres concurrents déjà disponibles.

De quoi atteindre 2.7 Go/s en lecture et 1.6 Go/s en écriture pour les modèles 480 et 960 Go alors que le 240 Go se contente de 0.9 Go/s en écriture. Au niveau des lectures 4K aléatoires il est question de 190K/160K IOPS en lecture/écriture. Des chiffres bruts en retrait par rapport à ce que propose Corsair avec le MP500 équipé des mêmes composants, Kingston exploitant un firmware différent.

Les KC1000 240, 480 et 960 Go seront disponibles sous peu au format M.2-2280 avec et sans carte PCI Express.

Les choses ne s'arrangent pas dans les relations entre Western Digital et Toshiba. Après avoir tenté d'obtenir un arbitrage le mois dernier, nos confrères d'EEtimes  rapportent que WD a déposé une injonction auprès de la cour supérieure Californienne pour bloquer la vente le temps que l'arbitrage auprès de l'ICC (la chambre internationale du commerce) soit réglé. Western Digital essaye de faire valoir les liens contractuels qui liaient Sandisk et Toshiba depuis la fin des années 90, suite à leur rachat de Sandisk en fin d'année dernière.

Nous avions eu l'occasion de l'évoquer, la situation est critique pour Toshiba qui pour survivre doit se séparer de son activité mémoire suite à des pertes très lourdes sur le nucléaire américain.

Plusieurs repreneurs sont envisagés, Western Digital fait partie des intéressés et aurait effectué une proposition de rachat de 18 milliards de dollars selon nos confrères. Toshiba doit choisir une offre d'ici à la fin du mois mais il semble peu probable que l'offre de Western Digital soit envisagée sérieusement, Broadcom aurait proposé 20 milliards de dollars tandis qu'une troisième offre regroupe Foxconn, Apple, Kingston, et Dell , avec des discussions en cours de finalisation avec Amazon, Alphabet (Google), Microsoft et Cisco !

L'été dernier, Samsung avait annoncé sa quatrième génération de mémoire flash V-NAND (utilisée notamment pour les SSD), avec pas moins de 64 couches pour des dies qui pourraient atteindre jusque 512 Gbit (soit 64 Go).

Ce type d'annonce est souvent effectué très en amont par Samsung, qui vient d'annoncer seulement aujourd'hui la production en volume de cette V-NAND TLC 64 couches. Le communiqué précise explicitement qu'il s'agit de dies de 256 Gbit (32 Go, on peut en empiler jusque 16 dans un "package" pour des puces atteignant 512 Go), ce qui est assez surprenant. Le constructeur aurait pu simplement omettre ce détail ! On ne sait pas si les modèles 512 Gbit seront annoncés ultérieurement ou s'ils ont été annulés.

Par rapport à la génération précédente, Samsung annonce une consommation inférieure de 30% (la tension d'alimentation passe de 3.3V à 2.5V), et une fiabilité accrue de 20%.

Ces puces avaient commencées à être fabriquées en petites quantités en début d'année, Samsung indique qu'il s'attend à ce que cette nouvelle génération représente plus de la moitié de sa production d'ici à la fin de l'année. Les produits commerciaux basés sur cette V-NAND devraient être annoncés dans les mois qui viennent.

On notera qu'a la fin du communiqué, Samsung évoque déjà sa prochaine génération de V-NAND qui pourrait dépasser 90 couches pour des dies de 1 Tbit.