Actualités mémoires
DDR2-1120 (si si) chez OCZ
DDR2-1111 chez Corsair
DDR2-1100 pour OCZ
Evolution du prix de la mémoire
Computex : DDR3 chez A-Data
Puce DDR3 de 128 Mo chez Micron
En février 2005, Samsung était le premier à annoncer un prototype de mémoire DDR3. Depuis, les choses ont bougées et plusieurs constructeurs ont annoncés diverses réussites dans ce domaine. Du côté des plates-formes, la DDR3 sera supportée au troisième trimestre 2007 par Intel au travers des chipsets Bearlake-X (DDR3-1333) et Bearlake-G+ (DDR3-1066) et par AMD avec l’arrivée mi-2007 du Socket AM3.
Pour ce qui est des fabricants de mémoire, Micron annonce aujourd’hui être le premier à introduire une puce DDR3 de 128 Mo. Pour l’instant, il s’agit d’échantillons, la production en volume étant prévue pour le début de l’année prochaine, et Micron n’a pas donné d’indication précise sur les caractéristiques de cette puce.
Pour rappel, les principaux changements liés à la DDR3 sont d’une part la tension d’alimentation qui passe à 1.5V, contre 1.8V en DDR2 et 2.5V en DDR, ainsi que le prefetch, qui était passé de 2n à 4n bits lors du passage de la DDR à la DDR-2, passe désormais à 8n bits. L’organisation interne des cellules mémoire a donc été modifiée pour obtenir un débit doublé tout en conservant une fréquence de ces cellules de 133 MHz, comme pour la PC133, la DDR-266 ou la DDR2-533.
Seule la fréquence du buffer d’entrées / sorties et du bus mémoire externe a été augmentée, puisqu’elles passent à 533 MHz, ce qui permet un débit par pin de 1066 Mbits /s du fait de l’utilisation d’une transmission de type DDR. Il ne faut pas confondre DDR3 et GDDR3, cette dernière étant plus proche de la DDR2.
La DDR3 sera officiellement déclinée dans des versions DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333 et DDR3-1600, mais il s’agit ici de spécifications officielles qui seront validées par le JEDEC. A terme, les constructeurs de barrettes destinés à l’overclocking se battront sûrement pour être le premier à sortir une DDR3-2000 ...
Samsung PRAM, la mémoire parfaite ?
Samsung a annoncé avoir mis au point la première puce de PRAM, pour Phase-change Random Access Memory. Ce nouveau type de mémoire non volatile devrait, selon Samsung, remplacer dans les dix ans à venir la mémoire Flash de type NOR.
Le constructeur avance que la PRAM peut réécrire des données sans avoir à effacer les données précédemment accumulées, ce qui multiplierait les performances par 30 par rapport à de la mémoire flash « conventionnelle », tout en ayant une durée de vie 10 fois plus longue. De plus, une cellule de PRAM fera la moitié de la taille d’une cellule de Flash NOR, et elle nécessite 20% d’opérations de productions en moins.
Les premières PRAM devraient arriver sur le marché en 2008, et seront d’une capacité de 64 Mo. Pas peu fier, Samsung parle carrément de « perfect RAM » comme surnom de sa PRAM.

Alors, faut-il crier au miracle ? Pas totalement. Premièrement, les données fournies par Samsung sont très limitées. A quel type de mémoire Samsung fait-il référence en parlant de la mémoire flash « conventionnelle » ? La NOR ou la NAND ? Ces deux mémoires ont des caractéristiques très différentes. Par exemple la NOR, bien qu’ayant d’autres avantages, est très lente en écriture du fait d’un temps d’effacement excessivement long (0.5 à 1s), et le fait d’être 30x plus rapide mettrait en fait la PRAM à des niveaux comparables à la NAND.
De plus, quand Samsung parle de durée de vie, est-ce qu’il s’agit de la durée de rétention, qui est actuellement d’environ 10 ans, ou de l’endurance aux cycles de lecture / écriture, actuellement 100 000 ? Dans tous les cas, en indiquant que la PRAM remplacera la mémoire NOR et pas la NAND et la NOR, Samsung avoue lui-même qu’il ne s’agit pas vraiment de la « perfect RAM ». Il manque en effet à la PRAM d’atteindre les mêmes densités que la NAND afin de réduire le coût au méga, puisqu’il est question de puce 64 Mo là alors que la NAND dépasse désormais le Gigaoctet.
Mais au fait, la mémoire parfaite, ce ne devait pas déjà être la MRAM ?
Memoire « Crossfire » chez OCZ
En novembre 2005, Corsair et NVIDIA avaient fièrement annoncés les premières mémoires certifiées SLI, une certification à la dénomination douteuse puisqu’il n’y a pas de rapport direct entre le SLI, une technologie permettant de combiner la puissance de plusieurs GPU, et la mémoire centrale du système. Une certification « nForce 4 » à l’époque aurait été plus juste, même si devant le nombre de cartes mères disponibles et de bios pour ces cartes mères on peut également douter d’une certification si globale.
En mai 2006, le duo récidivait avec la « SLI Memory ». Si on pouvait encore se demander ce que venait faire le SLI là dedans, cette fois il s’agissait d’aller au delà d’une vague certification puisque les mémoires embarquaient une technologie nouvelle, l’EPP.

Aujourd’hui, c’est au tour d’OCZ d’annoncer un modèle affublé d’une désignation qui n’a pas grand-chose avec la mémoire, l’OCZ PC2-5400 CrossFire Certified. Ce qui la distingue par rapport aux autres mémoires déjà rapportées comme certifiées CrossFire par ATI ? Le look, et juste ça. En dehors de ça, il s’agit de modules de 1 Go de DDR2-667 certifiées pour un fonctionnement en 4-4-4-12 à 1.9V. Côté certification, on peut émettre les mêmes doutes que chez NVIDIA, et cela va même plus loin puisqu’en sus des cartes mères à base de chipset ATI, ATI doit également certifier celles à base d’i975X.
Quitte à copier, pourquoi ne pas se contenter des bonnes idées ?
La DDR2 toujours en hausse
Après une hausse de 12,6% le mois dernier, le prix de la DDR-400 continue de grimper, puisque la puce de 64 Mo a augmentée de 3,9%. Mais la hausse la plus importante se situe encore est toujours au niveau de la DDR2 avec encore 7% de plus sur la DDR2-533 et 7.6% sur la DDR2-667 par rapport à la fin du mois d’août, mois durant lequel les prix avaient déjà augmentés de 20,4 et 20,8% !
Du coup, si la DDR2-533 reste moins chère que la DDR-400 avec 5,94$ la puce de 64 Mo contre 6,13$, ce n’est plus le cas de la DDR2-667 qui est désormais à 6,19$.
Flambée du prix de la DDR2
Contrairement aux températures, les prix de la mémoire sont à la hausse en cette fin d’été. En effet, si durant le mois de juillet on avait enregistré une hausse de 4,7% sur la DDR et une baisse de 2.3% sur la DDR-2, cette fois les deux modèles ont subit une augmentation.
Ainsi, une puce de 64 Mo de DDR-400 coûte désormais 5,9$ soit 12,6% de hausse ce mois. Mais ce sont surtout les DDR2 qui ont le plus augmenté, avec +20,4% sur la DDR2-553 et +21,8% sur la DDR2-667 qui sont désormais aux tarifs respectifs de 5,55 et 5,75 €.
Après être passée de 4,3 à 5,3$ en un mois et demi en début d’année, la DDR2-533 avait connu depuis lors une baisse de tarif pour atteindre un plancher de l’ordre 4,5$ en fin de mois passé. La hausse est cette fois du même ordre en un mois, et il faut espérer qu’elle ne perdurera pas même si la demande est généralement plus forte durant la période actuelle.


