Actualités mémoires
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Kingston annonce un kit DDR3-2400
Kingston HyperX LoVo : 1.25v !
DDR3 512 Mo 40nm chez Samsung
DDR3 en 42nm chez Micron et Nanya
Samsung, également 1er sur la NAND Flash
DDR3-2000 CL7 pour AM3 chez G.Skill
G.Skill annonce la sortie de barrettes DDR3-2000 à destination de la plate-forme AM3. Validées sur une carte mère ASUS M4A89TD PRO à base de 890FX, ces barrettes sont certifiées pour cette vitesse à une tension de 1.65V et des timings de 7-9-7-24. Ces barrettes font parties de la gamme FLARE qui comporte également des kits DDR3-1800 en 2x2 Go depuis peu et qui est donc désormais composée de la sorte :
- DDR-2000 4Go (2Gox2) CL7-9-7-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL6-8-6-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL6-8-6-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL7-8-7-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL8-8-8-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL9-9-9-27 1.65V
Puce DDR3 512 Mo 40nm Elpida
Elpida vient d’annoncer qu’il avait terminé le développement de sa nouvelle puce DDR3-SDRAM. Gravée en 40nm, cette puce de 512 Mo pouvant atteindre le mode DDR3-1600 est capable de fonctionner en 1.5v mais aussi 1.35v. Une telle densité permet de fabriquer des barrettes DDR3 de 16 Go pour desktop, 32 Go pour serveurs et 8 Go pour portables.
Elpida indique qu’il échantillonnera ces puces au cours du second trimestre, pour une production en volume qui débutera au troisième trimestre. On notera que Samsung a déjà annoncé la production en volume de puces similaires il y a deux mois.
2x4 Go en DDR3-1333 chez OCZ
OCZ lance une nouvelle barrette haute densité, la OCZ3G1333LV4G. Affichant une capacité de 4 Go, cette barrette est spécifiée pour un fonctionnement en DDR3-1333 CL9 à 1.65v, et est également disponible en kit 8 Go de deux barrettes (OCZ3G1333LV8GK). A l’heure ou les barrettes de 2 Go affichent facilement un CL7 en DDR3-1333, avec des tensions de 1.5v voir 1.35v, on peut voir qu’il reste encore du chemin à parcourir aux barrettes haute densité pour afficher les mêmes résultats.
Flash NAND 2x nm chez Samsung
Samsung annonce avoir débuté la production de puces mémoires Flash NAND MLC de "classe 20nm", sans pour autant préciser la finesse de gravure exacte de ces mémoires (28, 25 nm ?). Ces puces de 4 Go offrent un débit de 20 Mo /s en lecture et de 10 Mo /s en écriture chacune, mais elles sont pour le moment destinée aux SD Card et à la mémoire embarquée.
En effet, même si Samsung ne l’indique pas, on peut penser que ces mémoires n’atteignent pas encore l’endurance nécessaire à une utilisation au sein de SSD. Il faut rappeler que Samsung à commencé à produire des Flash en 32 nm dès mars 2009, mais qu’à l’heure actuelle ces puces ne sont toujours pas utilisées dans des SSD pour des problèmes de lenteur en écriture.
Samsung indique qu’il échantillonne pour le moment ses clients avec des cartes SD basées sur les puces de classe 20nm, la production en volume devant s’étendre dans le courant de l’année. Concernant les SSD, Intel et Micron ont pour rappel annoncé début février une puce MLC 25nm qui devrait être utilisée au sein de SSD Intel dès le 4è trimestre.
G.Skill passe à la DDR3-2500
Après avoir été le premier à lancer un kit DDR3-2400 en janvier dernier, le fabricant et de nouveau premier sur la DDR3-2500. La tension reste identique à 1.65v, tout comme les timings à 9-11-9-28. Vendues sous la forme d’un kit 4 Go (2x2 Go) de PC3-2000, ces barrettes de la gamme Trident sont validées sur plate-forme P55 Express, précisément sur les cartes mères ASUS P7P55D-E Deluxe et P7P55D-E EVO. Le prix n’est pas indiqué, mais on peut s’attendre à un tarif de l’ordre de 200 €.
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