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Après Corsair, qui annonçait un kit certifié DDR3-2333, c'est au tour de Kingston d'annoncer le kit 2x2 Go certifié le plus rapide du moment. Le KHX2400C9D3T1K2/4GX (c'est son nom), a reçu la certification Intel XMP  en DDR3-2400 avec des timings de 9-11-9-27 et une tension de 1,65v, le tout sur une Gigabyte GA-P55A-UD4P.

Kingston annonce aujourd’hui 4 nouveaux kits 2x2 Go DDR3 basse consommation, les HyperX "LoVo". Ils se distinguent de part leur tension d’alimentation, qui peut être de 1.35 voir même 1.25v :

KHX1866C9D3LK2/4GX : DDR3-1866 CL9 1.35v / DDR3-1600 CL9 1.25v, 178 €
KHX1600C9D3LK2/4GX : DDR3-1600 9-9-9-27 à 1.35v, 139 €
KHX1600C9D3LK2/4GX : DDR3-1333 9-9-9-27 à 1.25v, 135 €

Après avoir annoncé en juillet dernier des puces 256 Mo gravées en 40nm, Samsung est le premier à annoncer la production en volume d’une puce DDR3 de 512 Mo en 40nm. Ces puces offrent une densité qui permet d’atteindre des barrettes DDR3 de 16 Go pour desktop, 32 Go pour serveurs et 8 Go pour portables. Fonctionnant entre 1.35v et 1.5v de tension, elles permettent selon Samsung d'économiser jusque 35% d'énergie comparativement aux anciennes solutions en 50nm.

Tout comme pour les CPU, la maitrise des finesses de gravure est un élément critique pour les fabricants de mémoire. Augmenter le nombre de puces gravées par wafer (et donc baisser les coûts), diminuer la consommation et augmenter les fréquences sont les principaux enjeux de cette course à la finesse.

Micron et Nanya ont annoncés cette semaine avoir co-développés un nouveau procédé de production, leur ayant permit de créer des puces de 256 Mo de DDR3 gravée en 42nm.

Cette DDR3 42nm fonctionne nativement en 1,35v, alors que le standard JEDEC est de 1,5v pour ce type de mémoire. Au mieux, cette mémoire peut atteindre le mode DDR3-1866, et la densité maximale est annoncée à 2 Go par puce. La production de masse devrait débuter dans la seconde moitié de l'année, Micron et Nanya travaillant pendant ce temps sur la gravure en 3x nanomètres.

Micron dispose d'une avance technique confortable sur la NAND grâce à son association avec Intel, et son association avec Nanya devrait permettre aux deux fabricants de commencer à combler leur retard sur Samsung sur la DRAM.

Nous vous parlions hier des parts de marché relatives des principaux acteurs du marché de la DRAM. Dramexchange a compilé les mêmes données, mais cette fois pour le marché de la NAND Flash, et les résultats sont de nouveau assez parlant.

On retrouve encore une fois Samung en tête du classement 2009, avec 37,9% de parts de marché, suivi de près par Toshiba avec 34,2%. Cela signifie que tout comme pour la DRAM, le marché de la NAND Flash est majoritairement dominé par un petit nombre d'acteurs. Samsung et Toshiba contrôlent à eux seuls plus de 70% du marché, leur niveau de production a donc un impact fort sur les cours de la Flash.

Micron et Hynix suivent avec moins de 10% de PDM chacun (respectivement 9,4 et 9,1), Intel et Numonyx fermant la marche avec respectivement 6,9 et 2,5 %.