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Intel pourrait racheter Altera

Tags : altera; ARM; Intel;
Publié le 30/03/2015 à 11:28 par Guillaume Louel

Alors qu'Intel tente de développer une activité « foundry » depuis plusieurs mois, une rumeur persistante circule depuis quelques jours, culminant avec le Wall Street Journal : Intel serait en négociations avancées pour racheter Altera. Cette société qui développe des FPGA et des SoC était devenu en 2013 l'un des clients d'Intel pour son activité de fondeur en 14nm. Parmi les produits qui avaient été annoncés, on trouvait notamment des cores ARM.


Un rachat qui pourrait être coûteux puisque la capitalisation boursière d'Altera monte à 13,36 milliards de dollars au moment où nous écrivons ces lignes (celle d'Intel étant de 151,55 milliards). D'un point de vue stratégique, Intel souhaiterait renforcer son activité serveur en proposant des solutions FPGA dédiées, un marché sur lequel Altera et Xilinx (son principal concurrent) commençaient à se placer notamment dans des solutions ARM + FPGA qui viendraient concurrencer une partie de l'offre Xeon de la firme de Santa Clara. Il sera intéressant de voir - si ce rachat se confirme - si Intel continuera d'utiliser des cores ARM (Altera en utilise principalement) ou s'il souhaite faire pivoter l'offre d'Altera vers du x86 au fil du temps, et si oui avec quels cœurs basse consommation.

Racheter un de ses clients est dans l'absolu un drôle de signal, qui pourra jeter quelque peu le trouble sur la volonté réelle du constructeur de développer réellement cette activité de fondeur.

Intel et Micron annoncent aussi leur 3D NAND

Tags : 3D NAND; Intel; Micron;
Publié le 27/03/2015 à 13:32 par Guillaume Louel

Après l'annonce de Toshiba hier, Micron et Intel ont également annoncés leur version de mémoire NAND verticale, également appelée plus généralement 3D NAND.

Le principe de base de la 3D NAND est de changer la structure des cellules mémoires en transformant la structure planaire classique en une structure verticale que l'on empiler pour augmenter massivement la densité (plus de détails ici. En contrepartie, les fabricants utilisent des processus de fabrications plus anciens (40 nm par exemple pour la V-NAND de Samsung), mieux maitrisés ce qui permet d'envisager des perspectives d'évolution pour les années à venir.

 
 

Intel et Micron - comme Toshiba hier - n'ont pas été très précis sur le process de fabrication utilisé, même si l'on croit lire entre les lignes qu'il s'agit de 50nm. Par rapport à la NAND 50nm, la 3D NAND d'Intel augmente par 16 la densité (et par 2 par rapport à la NAND dernière génération). On retrouve chez Intel et Micron 32 couches superposées (identique a Samsung, 48 pour Toshiba) ce qui se concrétise par une densité de 256 Gbits pour des dies MLC, et 384 Gbits pour des dies TLC. Un pas en avant important en densité, pour rappel, la V-NAND TLC de première génération de Samsung ne propose « que » 128 Gbits (tout comme l'annonce de Toshiba d'hier). Samsung devrait entre cependant proposer sous peu de nouvelles densités.

Des premiers échantillons ont été produits et les deux sociétés devraient lancer la production en volume au quatrième trimestre, indiquant que les SSD 3D NAND dans les deux sociétés arriveront plutôt en 2016. En pratique, Intel et Micron annoncent pouvoir atteindre avec ces puces 3.5 To dans un format M.2, et 10 To dans un format 2.5 pouces. Pour atteindre cette densité, les sociétés empilent 16 dies dans un même package.

3D NAND 48 couches chez Toshiba

Publié le 26/03/2015 à 14:54 par Guillaume Louel

Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007 Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.


La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND

En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.

Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être durant la première moitié de 2016.

Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.

Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces fabriquées dans un process 40 nanomètres et empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.

Nouveaux Pentium et Core i3 Haswell en approche

Publié le 26/03/2015 à 14:00 par Guillaume Louel

Nos confrères de CPU-World nous rapportent le lancement imminent de nouvelles références dans la gamme des Core i3 et des Pentium Haswell. Il s'agira de la seconde évolution de ces gammes, le constructeur ayant déjà introduit de nouveaux modèles en juillet dernier en augmentant les fréquences de 100 MHz.

Le lancement de ces nouvelles références devrait se faire sous peu, afin de temporiser l'arrivée des versions Core i3 et Pentium de Skylake qui ne devraient être lancées que dans un second temps.

Côté nouveautés, on note trois processeurs qui viennent rajouter 100 MHz de plus en haut de trois des quatre séries d'entrée de gamme du constructeur, à savoir :

- Core i3-4170 : 3.7 GHz (3.6 GHz pour le Core i3-4160 actuel)
- Pentium G34 70 : 3.6 GHz (3.5 GHz pour le Pentium G3460)
- Pentium G3260: 3.3 GHz (3.2 GHz pour Pentium G3250)

La gamme des Core i3 4300 ne verra pas l'apparition d'un hypothétique i3-4380 (cette gamme se différencie des Core i3-4100 par la présence de 4 Mo de cache L3 au lieu de 3, et d'un GPU avec 20 unités au lieu de 16).


En parallèle à ces sauts de fréquences, quatre modèles avec un TDP réduit seront lancés, les Core i3-4370T, Core i3-4170T, Pentium G3460T et Pentium G3260T. Ces modèles disposent d'un TDP réduit à 35 watts (contre 54 pour les modèles classiques) mais cela se paye par une baisse de fréquences par rapport aux références non T. Ainsi, si le Core i3-4170 est cadencé à 3.7 GHz, la version T du même processeur est cadencée à 3.2 GHz. Des nomenclatures qui n'amélioreront pas la lisibilité déjà complexe de l'offre d'entrée de gamme d'Intel.

Seulement deux modèles pour Broadwell-K ?

Publié le 24/03/2015 à 12:17 par Guillaume Louel

Nos confrères de VR-Zone ont noté l'arrivée sur les sites d'Asus et d'Asrock des caractéristiques des Broadwell-K. Pour rappel, si aujourd'hui les versions mobiles « Ultrabook » et dual core sont disponibles, les modèles quad core mobiles et la déclinaison Desktop de Broadwell sont attendus pour mi 2015. Dans le cas de la version Desktop (baptisée Broadwell-K), Intel avait confirmé les rumeurs qui indiquaient qu'il s'agirait de modèles 65 watts qui incluraient qui plus est des IGP « Iris Pro » qui ont la particularité d'être accompagnés d'un large cache L4. Pour rappel, un Core i7 Haswell 4770K dispose d'un TDP de 84 watts (88 pour le 4790K).

La confirmation d'un TDP plus bas par Intel laissait penser que la gamme serait étroite et que les fréquences seraient certainement en retrait par rapport aux Haswell-K, et c'est le cas selon nos confrères. Seuls deux modèles, les Core i7-5775C et les Core i5 5675C seront lancés.


Côté fréquences on ne sera pas surpris de voir qu'elles sont en baisse. Là où le Core i7 4790K propose une fréquence de base de 4 GHz et 4.4 GHz pour sa meilleure fréquence Turbo, on se contentera de 3.3 et 3.7 GHz sur le Core i7 5775C. Le cache est également revu à la baisse avec seulement 6 Mo (contre 8 sur Haswell). Malgré l'absence de « K », les coefficients multiplicateurs de ces versions « C » seront bel et bien débloqués.

Ces deux modèles seront utilisables pour rappel sur des cartes mères Z97, la compatibilité Broadwell étant l'un des atouts mis en avant par Intel pour les différencier des très similaires Z87. Un argument qui, si cette gamme étroite se confirme, en décevra plus d'un. Si la présence d'un L4 apportera un petit plus, la comparaison face à un 4790K sur les tâches CPU pures devrait être rude, même si la partie graphique devrait être significativement plus performante. On notera que des versions R en BGA (pour intégration dans des All in one par exemple) seront également lancées, avec un troisième modèle exclusif et de petites variations dans les fréquences.

Les amateurs de performances CPU pures attendront la génération suivante, Skylake, qui sera disponible en version 95W « K » (avec coefficient multiplicateur débloqué). Une attente courte puisque ces modèles sont attendus – sauf nouveau retard - au troisième trimestre.


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