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Dossier : Intel Haswell-E, LGA 2011-v3 et DDR4 : Core i7-5960X, 5930K et 5820K

Publié le 29/08/2014 à 18:00 par Marc Prieur
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Intel remet au goût du jour sa plate-forme haut de gamme avec le LGA 2011-v3. Au menu des nouveautés, Haswell-E avec 8 cœurs, le chipset X99 mais aussi la DDR4 ! Pour quels résultats ?

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Baisse des ventes de cartes 3D en Q2

Tags : AMD; Intel; Nvidia;
Publié le 26/08/2014 à 12:10 par Guillaume Louel
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Jon Peddie Research vient de publier quelques chiffres sur le marché de la carte graphique additionnelle (hors GPU intégrés, qui inclus à la fois les PC fixes, portables et tablettes x86) pour le second trimestre 2014.


En ce qui concerne les parts de marché respectives, AMD et Nvidia reviennent à peu près au niveau de l'an passé avec 37.9 et 62% pour les deux constructeurs. Un chiffre en hausse pour AMD par rapport au premier trimestre ou sa part de marché était tombé à 35%.

Au-delà de ces chiffres, on retiendra surtout la baisse forte des ventes en volume sur ce trimestre, en baisse de 17.6% par rapport au second trimestre 2013 là où les ventes de PC desktop ne se sont contractées que de 1.7%. Plusieurs facteurs sont indiqués pour expliquer cette baisse forte, on notera surtout le pourcentage de PC desktop vendus avec une carte graphique additionnelle qui est en chute libre : de 63% au premier trimestre 2008, cette part était tombée au premier trimestre 2014 à 44% pour atteindre sur le second seulement 36%.

Au-delà de la percée des CPU avec partie graphique intégré qui contractent les volumes sur l'entrée de gamme, nous ajouterons également le relatif manque de nouveauté sur le marché de la carte graphique, qui n'aura pas stimulé les ventes auprès des joueurs.

1ère démo de DX12, +74% de fps

Publié le 14/08/2014 à 11:30 par Marc Prieur
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On trouve sur le blog MSDN DirectX et sur celui d'Intel Software des informations sur une démonstration faite par Intel lors du SIGGRAPH 2014 sur une Surface Pro avec un Intel HD 4400 Graphics.

La démonstration intègre pas moins de 50 000 astéroïdes et permet de passer de DirectX 11 à DirectX 12 et propose deux modes, débit d'image constant ou débit d'image libre. Pour rappel, à l'instar de Mantle d'AMD, DirectX 12 devrait permettre une réduction massive du coût CPU des commandes de rendu.


A débit d'image constant (ci-dessus), elle permet de mettre en avant une chute drastique de la consommation du processeur, alors qu'à débit d'image libre (ci-dessous) on passe de 19 à 33 fps. A noter que dans le même temps la répartition de la puissance entre CPU et GPU est modifiée en faveur de ce dernier, sur un système moins contraint par le TDP la hausse de performance sera donc encore supérieure.


Des résultats encourageants mais il s'agit bien sûr d'un cas idéal, à l'instar par exemple de Star Swarm Stress Test d'Oxyde pour ce qui est de Mantle. Intel précise qu'il compte rendre cette démonstration publique lorsque que DirectX 12 sera disponible, ce qui devra pour rappel attendre l'an prochain.

Intel désactive TSX suite à un bug

Publié le 12/08/2014 à 19:39 par Marc Prieur
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TechReport rapporte qu'Intel va déployer via de nouveaux firmware pour les cartes mères un nouveau microcode pour les processeurs Haswell visant à désactiver les instructions TSX que nous avions décrites ici.


Un développeur a en effet remonté à Intel un bug dans l'implémentation TSX au sein de Haswell pouvant entraîner des "défaillances logicielles critique". Ce bug a été confirmé par Intel qui n'a donc que d'autre choix de désactiver TSX.

Les premiers processeurs Broadwell seront également concernés par ce bug et auront donc le TSX désactivé en attendant un prochain stepping en cours de développement. Ce sera également le cas sur les Haswell-E/EP qui seront prochainement lancés sur la gamme Xeon, ce qui est assez dommageable vu que l'utilité de TSX se situe dans le monde professionnel. Selon AnandTech, Intel recommande dans ce cas d'attendre Haswell-EX, ce qui sous entend qu'aucun stepping correctif n'est prévu pour Haswell-E et qu'il faudra donc attendre Broadwell-E/EP dans un an pour disposer d'un correctif sur cette gamme de puce.

Intel précise son process 14nm

Tags : 14nm; Intel; Samsung; TSMC;
Publié le 12/08/2014 à 15:31 par Guillaume Louel
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En marge de son annonce sur Broadwell-Y, Intel a partagé quelques détails sur son process 14nm. Comme vous le savez, le process 14nm d'Intel souffre de retards. Le constructeur avait annoncé qu'il décalerait la mise en production d'un trimestre en novembre dernier, tout en publiant des indications autour de ses yields qui laissaient entendre un retard de 6 mois.

En pratique, il est difficile de mesurer réellement le retard du process même si Intel a partagé ce nouveau graphique de yields :


Plusieurs choses à voir sur ce graph, d'abord, si vous vous souvenez du dernier graphique de yields présenté par Intel, celui-ci diffère fortement. Là où le premier était aligné par rapport au début du développement du process, les graphiques sont désormais alignés sur la qualification du premier produit (Ivy Bridge en 22nm, Broadwell-Y en 14nm), étape préalable à la mise en production. Intel indique sur ce graphique que la qualification de Broadwell-Y a eu lieu en fin de second trimestre et qu'il est actuellement en production en volume. Si l'on ne connait pas la date précise de qualification d'Ivy Bridge, on sait que la production en volume avait débuté au troisième trimestre 2011, ce qui met donc au minimum deux ans et neuf mois entre la mise en production en volume du 22nm et celle du 14nm.

L'autre point le plus important concerne (on passera sur l'échelle absente une fois de plus) l'écart de yields entre la mise en production d'Ivy Bridge et celle de Broadwell-Y. Le constructeur a choisi, comme nous le supposions en novembre dernier, de lancer la production avec des niveaux de yields inférieurs. En pratique, le décalage de yields pour la mise en production, si l'on prend en compte la prédiction pour les prochains mois est de quatre mois (voir la ligne violette que nous avons rajouté au graphique). Ce qui ne signifie pas quatre mois de retard pour ce process – rappelez-vous que les graphiques ne sont plus alignés ! – mais qu'Intel a anticipé la mise en production de quatre mois par rapport à celle d'Ivy Bridge. Il est probable que, plus que le niveau de yields, ce soit une date butoir qui ait été utilisée pour déterminer la mise en production afin de s'assurer qu'un produit soit « livré » cette année.

En soit, ce choix est logique : le constructeur peut ainsi proposer un peu plus tôt des produits quitte à sacrifier sur ses marges, tout en honorant - on l'imagine - des contrats auprès de ses partenaires et en pouvant montrer aux investisseurs qu'un produit en 14nm a bel et bien été lancé en 2014. En pratique, si Intel pourra effectivement « lancer » un premier produit cette année, le gros du volume en 14nm devra attendre. Le constructeur ne le cache pas en indiquant que ses yields devraient être acceptables au premier semestre 2015 pour la production en volume de produits vendus en plus larges quantités que les Broadwell-Y.

Intel est également revenu sur la compétition en proposant une nouvelle version de son graphique à propos de la densité qui avait largement fait débat :


Cette fois ci, le constructeur mélange IBM et TSMC parmi ses concurrents, et met de côté Samsung (pour rappel, Samsung et GlobalFoundries ont annoncé un partenariat sur le 14nm autour du process 14nm développé par Samsung, hors de la Common Platform – l'alliance qui liait Samsung et GlobalFoundries à IBM). Le constructeur a le mérite d'indiquer la formule qu'il utilise pour mesurer la densité ce qui n'était pas le cas auparavant.

La densité des puces est un sujet pour le moins complexe et si la formule annoncée par Intel (gate pitch – l'écart entre deux transistors multiplié par metal pitch – l'écart de la couche métallique la plus basse qui sert à l'interconnexion des transistors) est correcte, elle ne prend en compte qu'en partie la question de la densité.

Intel a par exemple toujours été en retard sur ses concurrents sur la question du metal pitch. Le 22nm d'Intel disposait d'un metal pitch de 90nm… tout comme le 28nm de TSMC. En pratique, pour le 14/16nm, voici les chiffres qui sont annoncés :


C'est sur cette formule (90x64 comparé à 70x52) qu'Intel annonçait un gain de 35% par rapport à TSMC. Bien sur, la densité finale d'une puce ne dépend pas que de cette formule, les règles de design, la taille des SRAM, et d'autres facteurs jouent de manière importante sur la densité « réelle » de transistors obtenus au mm2 sur une puce, la formule metal pitch x gate pitch n'indiquant que le cas « idéal ». C'est sur ces autres facteurs que TSMC estime gagner 15% de densité « réelle » au total entre son process 20 et 16nm. Si l'on ne peut pas reprocher à Intel de choisir la formule qui l'arrange le plus pour mettre ses produits en avant, on peut apprécier que cette fois ci, la formule choisie soit au moins précisée !

On notera par contre qu'Intel continue d'ignorer Samsung qui devrait pourtant être son plus sérieux concurrent sur le 14nm. Samsung pour rappel avait annoncé une production en volume de son process 14nm pour la fin de l'année 2014.


Sur le papier et comme indiqué plus tôt, le process d'Intel semble être supérieur aux autres process 16/14nm de première génération annoncés (on se souviendra que et TSMC, et Samsung ont annoncés une seconde version de leurs process), en partie par le choix fait d'obtenir une réduction forte sur la taille des interconnections atteignant un metal pitch de 52nm qui sera en avance pour la première fois depuis plusieurs process sur ce que proposeront ses concurrents.


Il s'agira également de la seconde génération de FinFet pour Intel. Outre l'apprentissage effectué par le premier, on peut noter sur les photos fournies par le constructeur quelques changements dans la forme des Fin. Là ou en 22nm les gates avaient une forme trapézoidale, les fins ont désormais une forme rectangulaire plus proche de la forme idéale attendue. On se souviendra qu'IBM et la Common Platform avaient soulevés les questions de forme et de variabilité du process d'Intel :


Il sera intéressant de voir si Samsung (et TSMC) aura comme le laissait entendre IBM à l'époque appris de la première version du process d'Intel.


On notera également une augmentation de la hauteur des fins (de 34nm à 42nm) qui devrait permettre une amélioration des performances, quelque chose qui devrait être très utile notamment sur les usages SoC pour limiter la consommation. Si Intel ne donne pas de chiffre de performances concernant les transistors, le constructeur donne quelques chiffres concernant Broadwell-Y. Sur cette puce, et par rapport à son équivalent Haswell, les courants de fuites seraient réduits par deux, avec un rapport performance par watt de 2x.

Pour résumer, Intel semble avoir fortement optimisé son process pour les usages mobiles qui sont aujourd'hui les marchés les plus porteurs (qu'il s'agisse des PC portables ou des tablettes/smartphones) et il sera intéressant de voir comment les gains (forts) annoncés sur Broadwell-Y se traduiront sur le reste des produits 14nm du constructeur. Si le retard d'Intel dans la mise au point de son process est conséquent, et que le lancement de Broadwell-Y se fait dans des conditions non optimales (yields plus faibles qu'attendus, et produits à fort volumes repoussés en 2015), le constructeur semble disposer sur le papier d'un process solide et ambitieux, qui semble corriger les problèmes de sa première génération FinFet. Reste que les délais dans sa mise au point ont permis à la concurrence de se rapprocher - au moins dans les annonces avec un Samsung qui devrait être particulièrement agressif. L'avantage technique apporté par ses process de fabrication reste toujours réel et important pour Intel, et sur le papier son 14nm devrait permettre à Broadwell-Y des avancées notables. Mais la domination d'Intel sur le sujet des process ne semble plus - si l'on s'en tient aux annonces respectives des uns des autres - aussi hégémonique qu'elle le fut ces dernières années.


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