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Sur son blog, notre confrère d'Electronics Weekly  revient sur la position de TSMC et GlobalFoundries suite à l'annonce par Intel de son introduction pour le procédé de photolithographie en 22nm de transistors Tri-Gate/FinFET.

A gauche un transistor planaire classique, à droite un transistor Tri-Gate/FinFET
L’auteur rappelle que TSMC avait annoncé en 2010  avoir développé un process 22/20nm FinFET, mais dans une optique pure de développement. TSMC avait indiqué à l’époque que la transition sur les process en production s’opérerait au-delà (16/14nm). TSMC confirme aujourd’hui  que la transition attendra comme prévu le 16/14nm, blâmant l’immaturité des outils.

Global Foundries de son côté (en concert avec la Common Platform alliance) confirme ne pas voir de nécessité aux FinFET avant d’arriver au-delà du 22/20nm. Intel disposera donc bien de l’avantage des FinFET pour au moins un node complet par rapport au reste de l’industrie. Reste à voir si le pari d’Intel - qui semble payant sur le papier en termes de performances – ne souffrira pas de l’immaturité de l’écosystème environnant sur le plan des volumes de production.

Intel vient d’annoncer la construction d’une nouvelle usine de fabrication de semiconducteurs. Basée à Chandler en Arizona (ou la firme dispose déjà d’usines depuis 1981, incluant une mise à jour récemment pour le 22nm), cette nouvelle fab visera la construction de processeurs 14nm. Elle devrait être opérationnelle en 2013. Si la nomenclature IRTS  définit 16nm comme appellation officielle au successeur du 22nm, Intel avait déjà dérogé à la règle en 2009 ou Mark Bohr, lors de l’IDF avait évoqué 15nm (et 16nm dans d’autres slides). TSMC en avril dernier avait évoqué 14nm, suivi par IBM en début d’année. Intel suit donc le mouvement.

Au-delà des batailles de communiqués de presse, le 14nm devrait voir l’arrivée chez Intel d’un nouveau type de transistors. Baptisés TriGate (3G) par Intel, ces transistors ne sont plus construits à plat mais dans l’espace :

L’avantage du design dans l’espace est que la gate entoure désormais le channel (l’espace entre la source et le drain) par trois côtés, réduisant les fuites de courant et améliorant aussi la dissipation d’énergie

Notons que si Intel avait évoqué précédemment que le passage au 16nm verrait l’arrivée des Tri Gate, le constructeur ne l’a pas encore confirmé. TSMC avait annoncé lui aussi l’année dernière qu’il utiliserait une technologie similaire pour son process 14 nm. Notons enfin que l’usine de Chandler utilisera des wafers de 300mm standards, l’industrie des outils tiers n’étant pas aussi pressée qu’Intel de passer au 450mm.