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MLC 20nm chez Intel / Micron
MLC 3BPC en 25nm chez IMFT
MLC 25nm Intel/Micron en production
Flash NAND MLC 25nm pour Intel et Micron
CES: SSD Crucial M500 : 960 Go pour 550 € ?
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Crucial profite du CES pour dévoiler une nouvelle gamme de SSD dénommée M500 qui a la particularité de combiner la Flash NAND MLC IMFT 20nm, déjà utilisée par Intel avec la série 335, avec le contrôleur Marvel 88SS9187, mis en place par Plextor dans les M5 Pro. Cette mémoire Flash 20nm permet à Crucial de tirer les coûts vers le bas, de quoi pouvoir proposer un modèle 960 Go à moins de 600$ soit environ 550 € TTC.
Des capacités de 120 Go, 240 Go et 480 Go sont également prévues, Crucial ayant fait le choix d'un OP supplémentaire contrairement au M4 (respectivement 8, 16 et 32 Go sur ces versions, 64 Go sur la version 1 To). On ne sait pas ce qui a motivé ce choix, est-ce pour une meilleure tenue des performances en l'absence de TRIM ou pour contre-carrer une endurance plus faible de la MLC 20nm par rapport à la 25nm (elles sont pourtant censées être identiques) ?. En tout cas les chiffres d'endurance sont très conservateurs puisque Crucial annonce quelque soit le modèle 72 To d'écriture, un chiffre équivalent à celui des Crucial M4 128/256/512 Go. C'est certes 40 Go par jour pendant 5 ans mais cela ne fait par exemple que l'équivalent de 72 cycles sur le modèle le plus gros ... !
Les M500 existeront dans les formats mSATA et M.2 en plus du 2.5", mais seul ce format aura droit à la version 960 Go. Notez qu'en 2.5", l'épaisseur du SSD est de 7mm mais un adaptateur est prévu pour passer à 9.5mm, ce qui est nécessaire pour certains portables. Le débit séquentiel en lecture pourra atteindre 500 Mo/s alors qu'il sera de 130 Mo/s à 400 Mo/s en écriture suivant les capacités.
Si on compare le M500 au M4 niveau performances on remarque des gains notables en écritures sur la version 480 Go par rapport au M4 512 Go, alors que les lectures aléatoires sont en hausse sur toutes les capacités. Côté écriture aléatoire, les gains sont notables dès la version 240 Go. Attention toutefois, certains chiffres officiels du M4, notamment pour la lecture aléatoire des versions 64 et 128 Go, sont en fait sous-estimés par rapport à la pratique ce qui rend la comparaison difficile.
Il est clair par contre que le Crucial M500 120 Go offrira un débit nettement inférieur au M4 128 Go en écriture, alors que ce sera proche sur la capacité supérieure et en faveur du M500 au-delà. Ceci s'explique probablement par le fait que le M500 intègre moins de die Flash du fait d'une capacité unitaire supérieure de ceux-ci, ce qui limite donc les possibilités d'écritures en parallèle. En effet les M4 64 et 128 Go utilisaient des die 32 Gb, alors qu'en 20nm la capacité minimale est de 64 Gb.
Crucial insiste sur la fiabilité de ces nouveaux SSD qui sont équipés de condensateurs pour permettre l'écriture des données présentes dans le cache en cas de coupure de l'alimentation. Les M500 sont également équipés d'un contrôle de la température : une fois la limite de 65 °C atteinte, les performances seront limitées jusqu'à redescendre à 55 °C. Notez que les M500 seront également commercialisés auprès des intégrateurs sous la marque Micron
Intel lance son SSD 335 en MLC 20nm
Intel vient d'annoncer son Intel SSD 335, que l'on avait déjà aperçu au japon il y a peu. Décliné dans une unique capacité de 240 Go, il s'agit du premier SSD utilisant de la mémoire Flash NAND MLC IMFT gravée en 20nm. Cette mémoire avait été annoncée en avril 2011 pour une production en volume au cours du second semestre 2011, et il y a donc a priori eu quelques imprévus.
Intel ne donne que peu de précisions sur ce SSD pour le moment. Le contrôleur reste comme sur le 330 un SandForce SF-2281, associé cette fois à de la mémoire IMFT MLC 20nm synchrone. Les performances suivantes sont donc dans le cas de données très compressibles :
- Lecture séquentielle : 500 Mo /s
- Ecriture séquentielle : 450 Mo /s
- Lecture aléatoire 4K QD32 : 42 000 IOPS
- Ecriture aléatoire 4K QD32 : 52 000 IOPS
Le SSD 335 240 Go utilise une interface SATA 6 Gbps, il est garanti 3 ans et Intel annonce une endurance minimale de 20 Go d'écritures par jour sur cette durée. Cette nouvelle génération de mémoire 20nm est censée être aussi endurante que la 25nm, mais moins chère à produire. Toshiba grave de son côté de la mémoire MLC 19nm, utilisée sur le Plextor M5P, alors que Samsung est en 21nm sur les mémoires MLC et TLC respectivement utilisées sur les Samsung 840 Pro et 840.
Les Intel 335 arrivent en boutique
Pas encore officiels... mais ils pointent déjà le bout de leur nez à Akihabara. Depuis ce début de semaine les clients japonais peuvent en effet s'offrir un SSD Intel 335 de 240 Go pour un peu moins de 17 000 Yens, soit à peu près 170€ au cours actuel du Yen.
Ces SSD sont les premiers modèles utilisant de la NAND 20 nm produits par la joint-venture IMFT, fruit du rapprochement d'Intel et de Micron. Les premiers modules à ces finesses de gravures ont été annoncées par IMFT mi-avril 2011. Il aura donc fallu patienter près de 18 mois entre l'annonce et l'arrivée en magasin. Portant la référence SSDSC2CT240A4K5, ce SSD utilise un contrôleur SF-2281 et affiche des performances avec des données compressibles de 500/450 Mo/s en lecture/écriture, et des accès séquentiels à 42K IOPS / 52K IOPS en lecture/écriture.
Pour rappel le taux de TVA est (encore) de 5% au Japon; ce qui laisse présager d'une arrivée en Europe de ces SSD aux alentours des 200€. La gamme SSD 335 devrait également s'enrichir de modèles 180 Go et 80 Go dès le premier trimestre 2013.
Intel se désengage partiellement d'IMFT
Intel vient d'annoncer par un communiqué de presse son désengagement partiel d'IMFT. Montée avec Micron en 2006, IM Flash Technologies est une joint venture dédiée à la production de puces de mémoire flash NAND. L'accord annoncé aujourd'hui indique le désengagement d'Intel dans deux des trois usines qui appartenaient à la joint venture, celle de Singapour lancée en avril dernier, ainsi que la production partiellement en cours dans une usine de Micron à Manassas en Virginie. Les deux usines appartiendront désormais à Micron.
Intel conserve cependant ses parts dans la troisième usine d'IMFT, située à Lehi dans l'Utah qui produit actuellement des puces 20nm. L'accord stipule que Micron continuera à fournir Intel en puces NAND au-delà de la capacité de la joint venture. Les deux sociétés indiquent également souhaiter étendre le champ d'action d'IMFT en dehors de la mémoire flash NAND, vers d'autres types de, dixit le communiqué, mémoires émergentes.
128 Gb de Flash en 20nm chez IMFT
Intel et Micron viennent d'annoncer une nouvelle puce Flash MLC de 128 Gb gravée en 20nm. En combinant 8 de ces puces au sein d'un même packaging il est possible d'atteindre une capacité de 128 Go, une première. Les échantillons de la puce sont prévus pour le mois de janvier, la production en volume devant débuter au cours du premier semestre 2012.
Cette mémoire devrait de plus être nettement plus rapide lors d'accès séquentiel puisqu'elle utilise interface ONFI 3.0 à 333 MT/s soit le double des puces actuelles en 25nm. Les accès aléatoires 4K seront par contre le parent pauvre puisque la taille des pages sera désormais de 16 Ko contre 8 Ko pour les die 64 Gb et 4 Ko pour les die 32 Gb. Ces modifications devraient retarder l'intégration de ses puces dans les SSD et il ne faut pas l'attendre avant 2013.
IMFT annonce au passage que la puce 64 Gb (8 Go) 20nm annoncée en avril dernier est pour sa part désormais produite en volume. Elle mesure pour rappel 118mm², contre 167²mm pour son équivalent 25nm, et offre les mêmes caractéristiques en termes d'endurance ou de performances. Son arrivée devrait permettre de faire baisser le prix au Go des SSD, mais il faudra attendre la mi-2012 pour la voir débarquer dans nos boutiques.
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