Actualités informatiques du 21-04-2011
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Nouvelle usine IM Flash
Intel et Micron annoncent l’ouverture officielle de leur nouvelle usine de mémoire Flash à Singapour. Fruit d’un investissement de 3 milliards de $ au sein de leur joint-venture IM Flash, cette usine emploiera à terme 1200 personnes.
En fait, l’usine a commencé la production de mémoire 25nm sur des galettes de silicium de 300mm dès la mi-2010, et la capacité maximale devrait être atteinte dans le courant de l’année. Il s’agit de la 2è usine IM Flash après celle de Lehi dans l’Utah, qui est à l’origine des premières puces 20nm. IM Flash sous-traite par ailleurs une partie de sa production dans l’usine de Micron de Manassas en Virginie.
19nm pour la Flash chez Toshiba !
Toshiba annonce ce jour avoir produit des mémoires NAND Flash MLC avec une finesse de gravure de 19nm. La taille finale de la puce qui offre une capacité de 8 Go n’est pas indiquée, Toshiba indiquant que les échantillons seront disponibles dès la fin avril, avec une production en volume qui sera lancée au cours troisième trimestre. Aucune information n’est donnée concernant l’endurance de ces puces.
Il y a une semaine, IMFT a pour sa part annoncé une puce de 8 Go gravée en 20nm, annonçant la production en volume pour le courant du second semestre. Dans les deux cas, il y a peu de chance de voir débarquer les premiers SSD basés sur de telles mémoires avant 2012.
SSD : Attention aux benchs
Dans notre dernier comparatif sur les SSD, nous indiquions que certains outils pourtant populaires n’étaient pas forcément totalement adaptés aux tests de SSD.
Nous citions par exemple CrystalDiskMark :
Certains outils tels que le populaire CrystalDiskMark donnent des résultats clefs en mains, mais ils ne sont malheureusement que partiels. Par exemple, le fichier de test n’est "que" de 4 go, ce qui est logique pour un test rapide, mais cela entraine d’une part des résultats assez variables et d’autre part les tests aléatoires n’adresse le support que sur un espace somme toute restreint.Un lecteur nous ayant indiqué qu’il trouvait nos résultats faibles en lectures aléatoire sur le Vertex 3 240 Go comparativement à d’autres tests, nous avons décidé d’apporter ici quelques détails supplémentaires.
Si on test les lectures aléatoires 4 Ko, avec 3 commandes simultanées, sur un Vertex 3 240, on obtient, selon la taille du fichier de test composé de données incompressibles :
- 1000 Mo : 72 Mo /s
- 2000 Mo : 72 Mo /s
- 4000 Mo : 52 Mo /s
- 8000 Mo : 44 Mo /s
- 16000 Mo : 44 Mo /s
A contrario sur un Crucial M4 256 Go, on obtient 58 Mo/s que le fichier de test soit de 1000 ou 8000 Mo. Le Vertex 3 sera donc avantagé si les accès aléatoires sont testés sur une zone très restreinte, alors que par essence les accès aléatoires sont censés représenter les performances lorsqu’on accède à des données qui peuvent être placées n’importe où sur le SSD, notamment dans le cadre d’un usage multitâche intensif. Pour cette raison, nous testons les accès aléatoires sur l'intégralité du SSD.
Ce phénomène avantage donc le Vertex 3 (entre autre) dans des tests tels que CrystalDiskMark, mais aussi dans d’autres tels que PC Mark Vantage dont les fichiers de tests n’occupent que quelques centaines de Mo. Attention donc à ne pas prendre tous les résultats de benchmarks pour argent comptant !
