L'Intel Core Duo débarque sur Desktop

Publié le 05/04/2006 par
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En attendant l’architecture Core prévue pour la rentrée, Intel propose selon que l’on opte pour un portable ou un pc de bureau deux processeurs aux architectures diamétralement opposées, l’une optant pour un pipeling long et des fréquences élevées, l’autre optant pour un pipeline court et une meilleure efficacité de traitement par cycle d’horloge. Vous l’aurez compris, il est respectivement question des Pentium 4 / D / EE et des Pentium M / Core Solo / Core Duo.

Si nous avions testé le Pentium M à l’occasion de son arrivée sur PC de bureau au travers d’une carte mère DFI ou encore de l’adaptateur ASUSTeK CT-479, l’arrivée du Core Duo en janvier dernier n’avait pas fait l’occasion d’un test. C’est maintenant chose faite grâce à Gigabyte et sa GA-I8I945GTMFY-RH (reprenez votre souffle !), première carte mère Micro ATX pour Core Duo que nous ayons eu l’occasion de tester.

Pentium M à gauche, Core Duo à droite
Le Pentium M voit double
Les nouveautés du Core Duo par rapport au Pentium M sont multiples. La plus importante est bien entendu le passage à dual core. Gravé en 65nm, il est officiellement doté de 152 millions de transistors contenus au sein d’un die de 90mm².


On est finalement très proche des 140 millions de transistors sur un die de 84mm² du Dothan, si proche qu’on peut se poser des questions. En effet les 12 millions de transistors ne suffisent à priori pas à intégrer un second core de type Pentium M qui nécessite 20 à 25 millions de transistors, mais pourtant il est bel et bien là. Faute de réponse d’Intel précise à ce sujet, difficile de savoir ce qu’il en est vraiment. Les chiffres sont-ils inexacts ? On voit mal quel serait l’interêt pour Intel. Du coup, quelles optimisations ont permis à Intel d’économiser sur les transistors, que ce soit au niveau des unités d’exécution et/ou du cache ?

Toujours est-il qu’en terme de surface la partie logique a pris le dessus sur le cache, ce dernier étant bien plus dense en terme de transistor au mm² : ceci explique d’ailleurs le fait que malgré le nouveau process et la faible augmentation en terme de transistor la surface du die soit en légèrement augmentation.
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