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Intel SSD 750 le 1er avril, sans poisson
Intel lance ses SSD 750 NVMe 400 Go et 1.2 To
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Oubliant un peu son compteur, c'est finalement en ce 2 avril qu'Intel a décidé de lancer officiellement sa nouvelle gamme de SSD PCI Express, les SSD 750. Nous vous avions déjà dévoilé les grandes lignes de ce que proposeraient ces produits dans cette actualité, il s'agit pour rappel d'une déclinaison « grand public » de sa dernière gamme professionnelle lancée l'année dernière.
Côté connectique, ces disques se retrouvent à la fois au format carte PCI Express 3.0 x4 et 2.5" utilisant un connecteur SFF-8639, Intel mettant en avant ce format pour des mini-PC haute performance de chez ASUS, Digital Storm et Falcon Northwest.
Côté performances on s'approche de ce que proposait le P3500 avec des débits séquentiels annoncés de 2,4 Go/s en lecture et 1,2 Go/s en écriture (contre 2,5 et 1,7 pour le P3500). On notera cependant une différence importante sur les écritures aléatoires 4K : le constructeur annonce 440K IOPS en lecture (contre 450K) mais surtout 290K en écriture, un chiffre largement en hausse puisqu'il n'était que de 35K sur le P3500, dépassant pour le coup toute la gamme pro (le P3700 2 To culmine à 175K IOPS en écritures aléatoires 4K). Des niveaux de performances qui font baver sur le papier, mais en pratique à ce jour seuls de très rares usages permettront d'avoir une différence visible par rapport un SSD 2.5" SATA classique.
Deux capacités, 400 Go et 1.2 To sont annoncées, utilisant toutes deux de la mémoire flash NAND MLC 20nm Intel. Les chiffres de performances du modèle 400 Go sont un peu inférieures à celles du modèle 1.2 To mais restent élevées comme vous pouvez le voir sur ce tableau :
On notera que les performances sont mesurées sur un segment de seulement 8 Go dans le tableau. La consommation annoncée n'est pas anodine : 4 watts au repos, 22 watts en écriture et 10 watts en lecture pour le modèle 1.2 To (4, 12, 9 pour le 400 Go), mais Intel a au moins intégré un radiateur qui devrait permettre de maintenir les performances en cas de charge continue ce qui n'est pas forcément le cas de certains SSD M.2 PCIe qui consomment moins et en sont dépourvus. Remarquons enfin que côté endurance, Intel annonce 5 années à 70 Go d'écriture par jour quelque soit la capacité (alors qu'en théorie le chiffre devrait être triplé sur le 1.2 To) tout en donnant un maximum à 219 To au total soit 71% de plus.
L'autre particularité technique de ces disques est qu'ils utilisent le NVMe, un protocole standard qui permet de réaliser des pilotes pour SSD PCI Express, à la manière de l'AHCI. Par rapport à ce dernier il améliore significativement les performances en réduisant la latence, augmentant le nombre de commandes qui peuvent être placées en queue (l'AHCI est limité à 32, le NVMe à 65536) et en supprimant les problèmes de synchronisations qui permettent de réaliser des pilotes multithreads efficaces. Un support natif de NVMe est disponible sous Windows 8.1 ou sous Linux (et Windows 7 via Hotfix ), mais Intel fournit également son propre pilote pour Windows.
Côté tarif il faut compter 389$ pour le modèle 400 Go et 1029$ pour la version 1.2 To pour accéder aujourd'hui à cet avant-goût de ce que seront les SSD "classiques" dans quelques années. A quand une version 800 Go ?
Intel lance discrètement les Braswell D/M
Nos confrères de CPU World ont noté l'arrivée dans la liste de prix d'Intel de quatre nouveaux processeurs Atom. Il s'agit de SoC Braswell en 14nm, destinés au marché des PC portables d'entrée de gamme et de variantes équivalentes côté desktop (on se souvient de ce NUC Bay Trail par exemple, et bien évidemment des cartes mères Bay Trail-D). Des puces qui viennent remplacer en pratique les versions D et M de Bay Trail, et comme nous l'indiquions à l'époque, Intel utilise les marques Celeron et Pentium pour mettre en vente ces puces utilisant une architecture « Atom ». On rappellera que la version dédiée plus spécifiquement au marché des tablettes, Cherry Trail, a déjà été lancée un peu plus tôt.
Quatre modèles sont lancés, en version deux et quatre cœurs. On retrouve pour ces cœurs l'architecture Airmont (un die shrink de Silvermont sur lequel Intel communique peu, d'autres améliorations sont possiblement présentes) du constructeur tandis que pour la partie GPU, il s'agit d'une architecture graphique « Gen8 » du même type de celle utilisée sur Broadwell, avec jusqu'à 16 unités d'exécutions. Pour ce qui est de ce lancement sans fanfare, on rappellera qu'à l' origine, ces puces auraient dû débarquer en 2014. On notera enfin que la liste de prix Intel inclus les nouveaux Pentium et Core i3 Haswell dont nous vous parlions la semaine dernière.
Intel pourrait racheter Altera
Alors qu'Intel tente de développer une activité « foundry » depuis plusieurs mois, une rumeur persistante circule depuis quelques jours, culminant avec le Wall Street Journal : Intel serait en négociations avancées pour racheter Altera. Cette société qui développe des FPGA et des SoC était devenu en 2013 l'un des clients d'Intel pour son activité de fondeur en 14nm. Parmi les produits qui avaient été annoncés, on trouvait notamment des cores ARM.
Un rachat qui pourrait être coûteux puisque la capitalisation boursière d'Altera monte à 13,36 milliards de dollars au moment où nous écrivons ces lignes (celle d'Intel étant de 151,55 milliards). D'un point de vue stratégique, Intel souhaiterait renforcer son activité serveur en proposant des solutions FPGA dédiées, un marché sur lequel Altera et Xilinx (son principal concurrent) commençaient à se placer notamment dans des solutions ARM + FPGA qui viendraient concurrencer une partie de l'offre Xeon de la firme de Santa Clara. Il sera intéressant de voir - si ce rachat se confirme - si Intel continuera d'utiliser des cores ARM (Altera en utilise principalement) ou s'il souhaite faire pivoter l'offre d'Altera vers du x86 au fil du temps, et si oui avec quels cœurs basse consommation.
Racheter un de ses clients est dans l'absolu un drôle de signal, qui pourra jeter quelque peu le trouble sur la volonté réelle du constructeur de développer réellement cette activité de fondeur.
Intel et Micron annoncent aussi leur 3D NAND
Après l'annonce de Toshiba hier, Micron et Intel ont également annoncés leur version de mémoire NAND verticale, également appelée plus généralement 3D NAND.
Le principe de base de la 3D NAND est de changer la structure des cellules mémoires en transformant la structure planaire classique en une structure verticale que l'on empiler pour augmenter massivement la densité (plus de détails ici. En contrepartie, les fabricants utilisent des processus de fabrications plus anciens (40 nm par exemple pour la V-NAND de Samsung), mieux maitrisés ce qui permet d'envisager des perspectives d'évolution pour les années à venir.
Des premiers échantillons ont été produits et les deux sociétés devraient lancer la production en volume au quatrième trimestre, indiquant que les SSD 3D NAND dans les deux sociétés arriveront plutôt en 2016. En pratique, Intel et Micron annoncent pouvoir atteindre avec ces puces 3.5 To dans un format M.2, et 10 To dans un format 2.5 pouces. Pour atteindre cette densité, les sociétés empilent 16 dies dans un même package.
3D NAND 48 couches chez Toshiba
Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007 Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.
La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND
En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.
Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être opérationnelle durant la première moitié de 2016.
Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.
Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.
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