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Après la PRAM, c'est autour d'une autre arlésienne, la MRAM, de franchir une étape significative dans son développement. Pour rappel, cette mémoire non volatile n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la DRAM, mais une charge magnétique, à l'instar les disques durs. Depuis ses débuts, elle est présentée comme la mémoire idéale, capable de remplacer la DRAM, la SRAM et la NAND.

La lecture des données utilise le principe de la magnétorésistance à effet de tunnel, en mesurant la différence de potentiel entre deux couches ferromagnétiques. L'écriture se fait en modifiant le spin des électrons dans une des ces deux couches.

L'avancée présentée par Toshiba se situe au niveau de l'élément de base d'une mémoire STT-MRAM (spin torque transfert MRAM) qui intègre ces deux couches ferromagnétiques, le MTJ (magnetic tunnel junction). Ce nouveau MTJ nécessite en effet une intensité 6 fois plus faible pour l'écriture, alors que l'écart de résistance entre les états correspondants aux bits 0 et 1 passe de 15 à 200%, ce qui permet de fiabiliser la lecture.

Toshiba annonce ainsi qu'il a pu réduire l'intensité nécessaire pour écrire un MTJ de 50nm à 9µA, et qu'un MTJ de 30nm devrait être parfaitement fonctionnel. Selon le constructeur, les prévisions de l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) sur la STT-MRAM ne tablaient pas sur de telles performances avant 2024.

Cette avancée ouvre la voie à la commercialisation d'ici 3 à 4 ans de puces STT-MRAM offrant des densités de l'ordre d'un Gigabit. Toshiba vise une production en volume dans un processus de fabrication antérieur d'une génération par rapport à celui utilisé sur la DRAM, ce qui ne l'empêche pas d'indiquer que les coûts de production des STT-MRAM et DRAM devraient être proches. Rendez-vous en 2015 pour voir si la promesse est tenue !

Toshiba annonce ce jour avoir produit des mémoires NAND Flash MLC avec une finesse de gravure de 19nm. La taille finale de la puce qui offre une capacité de 8 Go n’est pas indiquée, Toshiba indiquant que les échantillons seront disponibles dès la fin avril, avec une production en volume qui sera lancée au cours troisième trimestre. Aucune information n’est donnée concernant l’endurance de ces puces.

Il y a une semaine, IMFT a pour sa part annoncé une puce de 8 Go gravée en 20nm, annonçant la production en volume pour le courant du second semestre. Dans les deux cas, il y a peu de chance de voir débarquer les premiers SSD basés sur de telles mémoires avant 2012.

Toshiba profite de la 52ème Magnetism and Magnetic Materials Conference à Tampa, en Floride, pour présenter ses dernières avancées sur la MRAM. Pour rappel, cette mémoire non volatile n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la Dynamic Random Access Memory, mais une charge magnétique, à l'instar les disques durs.

Le japonais a trouvé une nouvelle application à l'enregistrement perpendiculaire, créant ainsi le PMA (Perpendicular Magnetic Anisotropy) dont le principe de fonctionnement est similaire à celui utilisé dans les disques durs PMR. Les bits sont codés en orientant les éléments magnétiques perpendiculairement, vers le haut ou vers le bas plutôt qu'horizontalement. Cela nécessite notamment une optimisation de la structure et des matériaux employés. L'intérêt pour la MRAM s'en trouve donc renforcé, reste à savoir quand elle débarquera pour supplanter la Flash de type NOR.