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Motorola est le premier constructeur a annoncé l’échantillonnage de puces de MRAM (Magnetoresistive RAM). Ces puces d’une taille de 512 Ko sont gravées en 0.18µ, représentent une étape supplémentaire dans le développement de ce nouveau type de mémoire, puisque en février 2002 Motorola avait présenté une puce de 32 Ko, puis une puce de 128 Ko gravée en 0.6µ en juin de la même année.

Pour rappel, la MRAM n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la Dynamic Random Access Memory, mais une charge magnétique, comme les disques durs par exemple. Selon les constructeur, la MRAM aurait à la fois les avantages de la SRAM (vitesse - environ 10 nanosecondes de temps d'accès a priori), de la DRAM (haute capacité, coût réduit) et de la Flash Memory (non volatilité), tout en consommant très peu (bon point pour les appareils mobiles donc).

En 2001, Motorola avait annoncé qu'il atteindrait les 512 Ko en 2003. Le constructeur est donc dans les temps. De leur côté, IBM et Infineon envisagaient à la même période de passer directement à des puces de 16 et 32 Mo fabriquées en 0.13 Micron en 2004. Wait & See ...

Motorala a présenté lors de de l'IEEE International Solid State Circuits Conference les premiers chip de MRAM, en l'occurrence des puces offrant 32 Ko de stockage. Si vous ne connaissez pas encore la MRAM, vous pouvez lire cette news postée en décembre qui en expliquait le principe :

IBM et Infineon viennent d'annoncer leur association afin de développer conjointement la MRAM. La MRAM, ou Magnetic Random Access Memory, n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la Dynamic Random Access Memory, mais une charge magnétique, comme les disques durs par exemple. Selon IBM et Infineon la MRAM aurait à la fois les avantages de la SRAM (vitesse - environ 10 nanosecondes de temps d'accès a priori), de la DRAM (haute capacité, coût réduit) et de la Flash Memory (non volatilité), tout en consommant très peu (bon point pour les appareils mobiles donc). Bien entendu la lecture et l'écriture ne se feront pas comme sur un disque dur via un ensemble de bras portant des têtes de lecture / écriture.

En fait, les données sont stockées entre deux couches ferro-magnétiques. Les bits sont codés en orientant les éléments magnétiques, soit dans le sens parallèle ou non-parallèle ce qui crée une différence de potentiel entre les deux couches. Le courant passant en suite dans l'élément lit ces bits, à la manière d'une tête magnéto résistive de disque dur. L'écriture se fait en orientant ces éléments magnétiques au moyen d'un champ magnétique crée entre les deux couches via un lien entre ces deux dernières.

Le principal avantage est l'absence de tout transistor ou capacité qui nécessite d'être alimentée en continu pour garder son état. S'en suit donc une consommation électrique et un dégagement calorifique très fortement réduits. Le principal problème consiste en la présence de très nombreuses couches de métaux, de l'épaisseur de quelques atomes dont le but est de récréer une sorte de relief.

A cause de l'extrême complexité et concentration de ceux-ci (on se rapproche de plus en plus de la nano-techonogie), les premiers produits MRAM ne devraient voir le jour qu'aux environs de 2004 dans le meilleur des cas.