IBM et Infineon viennent d'annoncer leur association afin de développer conjointement la MRAM. La MRAM, ou Magnetic Random Access Memory, n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la Dynamic Random Access Memory, mais une charge magnétique, comme les disques durs par exemple. Selon IBM et Infineon la MRAM aurait à la fois les avantages de la SRAM (vitesse - environ 10 nanosecondes de temps d'accès a priori), de la DRAM (haute capacité, coût réduit) et de la Flash Memory (non volatilité), tout en consommant très peu (bon point pour les appareils mobiles donc). Bien entendu la lecture et l'écriture ne se feront pas comme sur un disque dur via un ensemble de bras portant des têtes de lecture / écriture.

En fait, les données sont stockées entre deux couches ferro-magnétiques. Les bits sont codés en orientant les éléments magnétiques, soit dans le sens parallèle ou non-parallèle ce qui crée une différence de potentiel entre les deux couches. Le courant passant en suite dans l'élément lit ces bits, à la manière d'une tête magnéto résistive de disque dur. L'écriture se fait en orientant ces éléments magnétiques au moyen d'un champ magnétique crée entre les deux couches via un lien entre ces deux dernières.

Le principal avantage est l'absence de tout transistor ou capacité qui nécessite d'être alimentée en continu pour garder son état. S'en suit donc une consommation électrique et un dégagement calorifique très fortement réduits. Le principal problème consiste en la présence de très nombreuses couches de métaux, de l'épaisseur de quelques atomes dont le but est de récréer une sorte de relief.

A cause de l'extrême complexité et concentration de ceux-ci (on se rapproche de plus en plus de la nano-techonogie), les premiers produits MRAM ne devraient voir le jour qu'aux environs de 2004 dans le meilleur des cas.