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Plusieurs acteurs majeurs de l'industrie viennent d'annoncer une alliance dans le but de développer une nouvelle interface mémoire. Ils se sont regroupés au sein d'un consortium baptisé Gen-Z.

La page de description du consortium  insiste sur un mode de fonctionnement transparent et ouvert. Le consortium en lui même est une organisation à but non lucratif (pour les puristes, une entreprise américaine de type "not for profit"). Le mode de développement sera transparent, et le standard final sera publié, disponible et utilisable gratuitement.

Techniquement il s'agit de proposer une nouvelle manière d'interconnecter la mémoire, ou plutôt les multiples types de mémoires qui pourront coexister à l'avenir.

Le consortium prend l'exemple des nouveaux "types" de mémoires, appelés SCM (Storage Class Memory) comme peuvent l'être les RRAM, MRAM, ou les implémentations commerciales annoncées comme 3D XPoint chez Intel/Micron ou la Z-NAND de Samsung. Ces nouveaux types de mémoires viennent s'ajouter à la mémoire traditionnelle (DRAM) qui voit aussi arriver de nouvelles variantes (HBM ou HMC).

L'idée de base du consortium est de proposer une interface avec des commandes très simples, proches de celles utilisées pour la DRAM, mais qui puissent être utilisées aussi bien au sein d'un package, sur la carte mère, ou au delà (communication entre serveurs dans un data center). Le tout se doit de rester compatible avec l'existant, y compris les systèmes d'exploitations qui pourront exploiter ces nouvelles mémoires de manière transparente. Un but assez noble tant la question de comment adresser ce nouveau tiers de mémoire avait été évitée jusqu'ici.

Le consortium annonce qu'il utilisera entre autre le protocole IEEE 802.3 (Ethernet) comme protocole de communication interne (on pourra aussi utiliser Ethernet pour la couche physique de transport). En plus des protocoles, un nouveau connecteur devrait être annoncé pour tenter de standardiser ces futurs types de mémoire, il supportera jusque 112 GT/s.

Les objectifs fixés sont particulièrement audacieux, et on ne pourra que se féliciter de voir tant d'acteurs majeurs de l'industrie s'associer pour tenter de proposer un nouveau standard :

L'absent le plus notable est Intel, et il est difficile de ne pas voir cette alliance comme formée contre la firme de Santa Clara qui a tendance à développer ses bus de manière propriétaires, particulièrement pour tout ce qui touche au monde serveur.

Il est tout de même intéressant de voir que Micron, partenaire d'Intel sur 3D Xpoint est présent dans le consortium (3D Xpoint est même mentionné dans les slides de présentation). Il sera intéressant de suivre l'évolution de ce standard qui pourrait apporter des solutions concrètes aux problématiques d'interconnexions.

Vous pouvez retrouver la présentation du consortium ci dessous :

 

 

Le Flash Memory Summit a été l'occasion pour Micron de reparler de mémoire 3D XPoint. Pour rappel, Intel et Micron avaient annoncé cette mémoire l'année dernière, avec pour ambition de proposer un intermédiaire entre la mémoire RAM classique (très rapide, volatile) et la NAND (moins rapide, mais non volatile).

Côté technique les deux sociétés n'avaient pas dévoilé grand chose, on sait désormais qu'il s'agit de mémoire à changement de phase (PRAM) associée à un switch Ovonyx. A l'époque, les constructeurs avaient indiqué que leur mémoire était en production et un lancement "courant 2016" était attendu. En début d'année cependant, les perspectives ne semblaient pas très encourageantes.

Plus récemment, chez Intel, une roadmap avait filtré en juin, laissant penser que les premiers SSD utilisant la mémoire 3D XPoint pourraient arriver entre la toute fin de l'année et le début de l'année prochaine. Intel utilisera la marque commerciale Optane pour distinguer ses disques, et l'on aurait droit dans un premier temps à un "accélérateur" m.2 (un petit SSD de faible capacité en PCIe x2) suivi de modèles PCIe Gen3 NVMe s'interfaçant d'abord en x4 puis en x2.

Côté Micron, le constructeur avait simplement dit qu'il fallait s'attendre à "voir" sa 3D XPoint cette année. C'est en quelque sorte ce qui s'est passé puisque Micron a fait une démonstration lors d'une présentation pendant le premier jour du Flash Memory Summit, annonçant au passage qu'elle sera disponible sous le nom commercial QuantX. Comme chez Intel, on verra d'abord sous la marque QuantX des SSD, la déclinaison DIMM étant prévue pour plus tard.

Côté technique donc, on notera la confirmation de la latence très faible évoquée à l'époque, environ 10 microsecondes en lecture et 25 en écriture, environ dix fois moins que ce que permet la mémoire NAND.

C'est du côté des IOPS que l'on aura obtenu un peu plus d'informations. Durant l'IDF 2015, Intel avait fait la démonstration d'un SSD atteignant 400 000 IOPS sur une charge de 70%/30% en lecture écriture QD8 sans préciser le nombre de lignes PCIe utilisées.

Lors de la démonstration du Flash Memory Summit, les prototypes de Micron ont atteint 900000 IOPS sur la même charge (70%/30%) sur un lien PCIe Gen3 x4, et près de 1.9 millions d'IOPS sur un lien x8. On notera que quatre capacités, 200, 400, 800 et 1600 Go étaient utilisées par Micron dans ses graphiques. Reste que pour ce qui est d'une éventuelle commercialisation, il faudra encore attendre. Un post de blog de Micron  se contentant de parler d'une sortie "au cours des douze prochains mois".