Samsung 1er sur la DDR3

Samsung annonce qu’il est le premier à avoir produit un prototype de mémoire DDR3. Fonctionnant en 1.5V, cette puce de 64 Mo gravée en 80nm est de type DDR3-1066. A titre de comparaison, la DDR fonctionne en 2.5V et la DDR2 fonctionne en 1.8V. Pour que cela soit possible, le prefetch, qui était passé de 2n à 4n bits lors du passage de la DDR à la DDR-2, passe désormais à 8n bits.

L’organisation interne des cellules mémoire a donc été modifiée pour obtenir un débit doublé tout en conservant une fréquence des ces cellules de 133 MHz, comme pour la PC133, la DDR-266 ou la DDR2-533. Seule la fréquence du buffer d’entrées / sorties et du bus mémoire externe à été augmentée, puisqu’elles passent à 533 MHz, ce qui permet un débit par pin de 1066 Mbits /s du fait de l’utilisation d’une transmission de type DDR.

Selon Micron, en sus de la DDR3-1066, on devrait ensuite voir arriver la DDR3-1333 puis la DDR3-1600, respectivement un et deux ans plus tards. Samsung espère débuter la production commerciale de la DDR3 en début d’année prochaine. Selon IDC et sa boule de cristal, la DDR3 fera son apparition en 2006 dans le commerce, pour atteindre 37% de parts de marché en 2008 et 65% en 2009.

Il faut noter que la DDR3 n’a strictement rien à voir avec la GDDR3, qui est pour sa part un dérivé de la DDR2 utilisant un prefetch à 4n bits.