Actualités informatiques du 19-11-1999

3dfx et NVIDIA viennent d'annoncer leur résultats financier pour le 3ème trimestre de leur année fiscale 2000, qui se terminait le 31 Octobre. Le chiffre d'affaire de 3dfx s'élève à 105 Millions de $, contre 97 Millions de $ pour NVIDIA (forcément, une carte ayant un prix de vente "légèrement" plus élevé qu'un chip). 3dfx a perdu 17 Millions de $ (0.73$ / action), alors que NVIDIA a gagné 10.6 Millions de $ (0.29$ / action).

Sur les 9 premiers mois de l'exercice, le CA de 3dfx s'élève à 251 Millions de $ (+77% par rapport au 9 premiers mois de l'année précédente), contre 246.1 Millions de $ pour NVIDIA (+165%). Le résultat sur la même période est de – 31 Millions de $ pour 3dfx (+ 19 Millions sur les 9 premiers mois de l'année précédente), contre + 23 Millions de $ pour NVIDIA (- 3.5 Millions sur les sur les 9 premiers mois de l'année précédente).

Des chercheurs du Bell Labs ont annoncé  la mise au point d'un nouveau type de transistor de 50 nanomètres, connu sous l'appellation de "transistor vertical" car tous ses composants sont établis sur un disque de silicium avec un courant électrique qui circule verticalement. A titre de comparaisons, les transistors actuels sont formés dans un disque de silicium et mesurent typiquement 180 nanomètres (0.18 microns) avec le courant électrique qui circule horizontalement. L'autre différence majeure avec un transistor conventionnel réside dans le fait que celui ci ne dispose seulement que d'une seule "porte" qui commute le courant, tandis que le transistor vertical des laboratoires de Bell ressemble à un bloc rectangulaire avec une "porte" de chaques côtés ce qui doublerait les vitesses de traitement. Même si des approches similaires ont plusieurs fois été menées dans les 25 dernières années, ce nouveau transistor serait plus facile à industrialiser. Les fabricants actuels de semi-conducteur emploient normalement la lumière pour modeler les circuits. Or, les experts estiment que la technique utilisant la lumière finira par atteindre ses limites rendant particulièrement ardu la mise au point de dispositifs de l'ordre du nanomètre. L'approche du transistor vertical devrait résoudre ces problèmes en employant une technologie couramment mise en oeuvre dans l'industrie du semi-conducteur, utilisée pour créer des couches extrêmement minces, uniformes et reproductibles de matériel. Les chercheurs de laboratoires de Bell présenteront leurs résultats en décembre à l'International Electron Devices Meeting qui aura lieu à Washington.

Lien complémentaire :
- Communiqué de presse de Bell Labs