Actualités divers

Après s’être lancé avec plus ou moins de succès dans le domaine du watercooling "facile" depuis l’Hydrocool en 2003, Corsair annonce aujourd’hui deux ventirads, les A50 et A70.

Après avoir annoncé en juillet dernier des puces 256 Mo gravées en 40nm, Samsung est le premier à annoncer la production en volume d’une puce DDR3 de 512 Mo en 40nm. Ces puces offrent une densité qui permet d’atteindre des barrettes DDR3 de 16 Go pour desktop, 32 Go pour serveurs et 8 Go pour portables. Fonctionnant entre 1.35v et 1.5v de tension, elles permettent selon Samsung d'économiser jusque 35% d'énergie comparativement aux anciennes solutions en 50nm.

Après l'Obsidian 800D, Corsair annonce un nouveau boiter, basé sur ce dernier: l'Obsidian 700D.

Le 700D reprend la forme extérieure de son ainé, sa composition en aluminium et sa finition plutôt haut de gamme. Cependant, la baie de disques durs connectables à chaud a disparu, ainsi que la porte latérale vitrée. On trouvera à la place une plaque noire, et des emplacements de disques plus classiques, nécessitant l'ouverture du boîtier pour être accessibles.

Les dimensions (609 x 609 x 229 mm), l'agencement interne, la ventilation et le système de gestion des câbles restent identiques à ce que nous connaissions sur le 800D. Le 700D se positionne donc comme un 800D "light", au prix que Corsair affirme être inférieur, sans pour autant le dévoiler. Il faut dire que le 800D se vend aux alentours de 290€, ce qui est très élevé pour un boîtier.

L'USB 3.0 commence petit à petit à se répandre, et s'il lui faudra encore beaucoup de temps pour remplacer l'USB 2.0, le nombre de produits compatibles commence à croître rapidement.

Pour ceux qui se sentiraient à l'étroit avec les deux ports généralement proposés sur les cartes mère compatibles, Buffalo propose le BSH4A03U3 (à vos souhaits…), un hub USB 3.0 permettant de connecter quatre périphériques sur un seul port.

Il existe en blanc et en noir, et des diodes permettent d'identifier les ports en activité. Buffalo ne communique pas sur ce point, mais il est probable que ce hub soit basé sur le contrôleur VIA VL810 dont nous vous parlions le mois dernier.

Tout comme pour les CPU, la maitrise des finesses de gravure est un élément critique pour les fabricants de mémoire. Augmenter le nombre de puces gravées par wafer (et donc baisser les coûts), diminuer la consommation et augmenter les fréquences sont les principaux enjeux de cette course à la finesse.

Micron et Nanya ont annoncés cette semaine avoir co-développés un nouveau procédé de production, leur ayant permit de créer des puces de 256 Mo de DDR3 gravée en 42nm.

Cette DDR3 42nm fonctionne nativement en 1,35v, alors que le standard JEDEC est de 1,5v pour ce type de mémoire. Au mieux, cette mémoire peut atteindre le mode DDR3-1866, et la densité maximale est annoncée à 2 Go par puce. La production de masse devrait débuter dans la seconde moitié de l'année, Micron et Nanya travaillant pendant ce temps sur la gravure en 3x nanomètres.

Micron dispose d'une avance technique confortable sur la NAND grâce à son association avec Intel, et son association avec Nanya devrait permettre aux deux fabricants de commencer à combler leur retard sur Samsung sur la DRAM.