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L'eMMC 5.1 arrive chez Samsung
Intel SSD 750 : PCIe, NVMe et 2,5 Go /s ?
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Firmware critique pour les OCZ ARC 100 et Radeon R7
Firmware MU02 pour le Crucial MX100
Crucial vient de mettre en ligne la première mise à jour du firmware pour le MX100 lancé il y a 9 mois. La mise à jour vers ce firmware MU02 est optionnelle, voici la liste des améliorations :
- Improved stability, Efficiency, and Performance during power state transitions
- Improved handling of environments with unstable power supplies
- Improved handling of environments with SATA interface signal integrity issues
- Improved response time for SMART read commands
- Corrected error handling NCQ Trim Commands
- Corrected reporting of SMART Attribute 5
Pour la mise jour il y a deux possibilités sont offertes, la première sous la forme d'une ISO téléchargeable sur cette page , la seconde via l'outil Crucial Storage Executive pour Windows 7 / 8. Notez toutefois que la mise à jour n'est pas encore disponible sous l'outil, on imagine que ce sera le cas dans les jours qui viennent.
Intel SSD 750 le 1er avril, sans poisson
Intel a mis en ligne un compte à rebours qui se termine du fait du décalage horaire le 1er avril chez nous. Il est question de la prochaine révolution dans le domaine du SSD et cette vidéo de Newegg TV enregistrée à l'occasion du salon PAX East 2015 en dit un peu plus puisqu'on peut voir deux SSD, l'un au format carte fille et l'autre en 2.5" 15mm, annoncés comme disposant du protocole NVMe et tirant partie du PCIe Gen3.
Il s'agit sans aucun doute des Intel SSD 750 dont nous vous avions déjà parlé mi-février et qui sont des déclinaisons "enthusiast" des Intel SSD DC P3500 qui atteignent 2.5/1.7 Go /s et 450K/35K IOPS en lecture/écriture.
Micron affûte ses armes pour la NAND 3D
Micron vient d'annoncer que les travaux visant à doubler la capacité de production de sa Fab10 de Singapour avaient débutés. Avec 23 700m² supplémentaires, cette extension nommée F10X permettra à elle-seule de graver de la NAND 3D Micron de 2nde génération sur 140 000 wafers par mois, soit le niveau actuel de production de la Fab 10 qui produit pour l'instant de la NAND 16nm.
Micron a également donné quelques détails supplémentaires sur ses avancées côté NAND lors d'une conférence destinée aux analystes en février . On a notamment appris à cette occasion de la 16nm TLC était actuellement produite à Singapour et que le fabricant avait pour intention de lancer des SSD l'utilisant au second semestre. Pour la suite Micron mise à 100% sur la NAND 3D et la première génération devrait pour sa part être produite à compter de la mi-2015, pour une introduction sur des SSD en toute fin d'année.
Micron travaille pour rappel conjointement avec Intel sur cette NAND 3D, un domaine dans lequel ils accusent du retard sur Samsung. Ils ont toutefois l'intention de le rattraper ce retard avec une puce 256 Gb 32 couches qui offrira une meilleure densité par mm² que Samsung et un coût inférieur. On notera que si les projections de coût font état de versions MLC et TLC pour la NAND 3D 32 couches, pour les futures versions générations 48, 64 et 96 couches seule la TLC est mentionnée. Actuellement en développement, la NAND 3D de 2nde génération qui sera produite dans l'extension de F10X débarquera un an après la 1ère, suivie un an plus tard de la 3è génération.
Samsung retire la mise à jour du 850 Pro
Mi-février, Samsung a mis en ligne un nouveau firmware EXM02B6Q pour ses Samsung 850 Pro. Cette version apportait une amélioration de la compatibilité avec les plateformes en SATA 3 Gb/s et une hausse des performances dans certains cas non précisés.
Malheureusement dans les jours qui ont suivi de nombreux utilisateurs ont reporté une corruption des données sur le SSD après mise à jour. Ce qui devait arriver arriva, et Samsung a retiré discrètement le firmware de son site il y a deux jours ... sans autre forme de communication officielle. On ne pourra pas reprocher au géant coréen un manque de constance de ce côté vu le mutisme dont il fait preuve dans le cas des Samsung 840 et 840 EVO.
C'est en tout cas l'occasion de rappeler que si les mises à jour des SSD ne sont que rarement problématiques, elles ne sont également que rarement critiques et donc urgentes. Par ailleurs il est toujours recommandé de faire une sauvegarde avant une telle manipulation.
128 Go UFS 2.0 en production chez Samsung
Alors qu'il vient à peine d'annoncer de la mémoire flash eMMC 5.1, Samsung indique qu'il a débuté la production en volume de la première puce 128 Go utilisant le standard Universal Flash Storage 2.0. Par rapport à l'eMMC qui utilise un bus 8 –bit parallèle half-duplex, l'UFS dispose d'un bus série haute vitesse full-duplex. Comme sur l'eMMC 5.1, l'UFS 2.0 gère une queue de commande mais son architecture basée sur l'architecture SCSI devrait être plus efficace dans ce domaine.
Samsung annonce que cette première génération de puce atteint 19K IOPS en lecture aléatoire et 14K IOPS en écriture aléatoire, des chiffres en hausse par rapport à la dernière eMMC 5.1 qui était à 11K et 13K IOPS. On notera que Samsung compare l'UFS 2.0 à l'eMMC 5.0 dans son communiqué afin d'afficher un écart plus important… et que bizarrement aucun chiffre n'est donné pour la lecture et l'écriture séquentielle, Samsung se contentant de parler d'un boost de performance permettant d'atteindre des niveaux dignes d'un SSD... mais lequel ? Pour rappel l'eMMC 5.1 était à 250 Mo /s et 125 Mo /s. Le constructeur annonce enfin une consommation en baisse de 50% par rapport à l'eMMC 5.0.
En sus de la version 128 Go Samsung proposera des versions 64 et 32 Go, et précise qu'il prévoit que l'UFS sera utilisé sur le haut de gamme alors que l'eMMC restera utilisé sur le milieu et l'entrée de gamme.
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