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G.Skill a misé sur la quantité au Computex en mettant en avant de gros kits DDR4 de 64 et 128 Go dans la famille Trident Z.

 

 

Pour la plateforme X99 et Broadwell-E, G-Skill pousse les spécifications légèrement vers le haut avec 3 nouveaux kits Trident Z :

• 64 Go, 8x 8 Go, 3600 MHz, 1.35v, CL-15-15-15-35
• 128 Go, 8x 16 Go, 3200 MHz, 1.35v, CL-14-14-14-34
• 128 Go, 8x 16 Go, 3466 MHz, 1.35v, CL-16-16-16-36

En 64 Go G.Skill passe ainsi de 3200 MHz CL-14 à 3600 MHz CL-15, alors que les kits 128 Go font leur apparition dans la gamme Trident Z. Auparavant les Ripjaws V se limitaient à 3000 MHz CL-14.

 

 

La plateforme Z170 n'a bien entendu pas été oubliée, avec un gros kit de 64 Go, mais aussi avec un autre qui repousse un peu plus haut la fréquence maximale commercialisée par G.Skill :

• 64 Go, 4x 16 Go, 3200 MHz, 1.35v, CL-13-13-13-33
• 16 Go, 2x 8 Go, 4500 MHz, 1.50v, CL-16-16-16-36

A 3200 MHz tout d'abord, G.Skill réduit la latence de CL-14 à CL-13 et proposera ce type de mémoire jusqu'à 64 Go. Ensuite, la fréquence maximale des Trident Z va passer de 4266 à 4500 MHz et ce avec une latence relativement agressive de CL-16. Le kit 4266 MHz actuel se contente par exemple de CL-19-26-26-46. Pour y parvenir, outre le tri très spécifique des puces, G.Skill a dû pousser la tension de 1.4 à 1.5V.

Enfin, G.Skill indique que ses modules Trident Z seront prochainement décliné dans de nouveaux coloris, alors qu'actuellement ils ne sont proposés qu'en gris/rouge.

Cet automne, Corsair lancera deux nouvelles déclinaisons de sa mémoire DDR4, à commencer par une version LED de ses modules Vengeance. Ceux-ci seront proposés avec des LED blanches ou rouges avec des capacités de 2x 8 Go, 2x 16 Go, 4x 8 Go, 4x 16 Go et des fréquences qui iront de 2400 à 4333 MHz, avec dans ce derniers cas des puces Samsung triées sur le volet.

 

 

Ensuite, Corsair prévoit de la DDR4 Dominator Platinum Special Edition qui profitera d'un radiateur à la finition améliorée disponible en versions chrome et noire satinée. Si Corsair se contentera d'une fréquence de 3200 MHz pour ces kits 2x 16 Go et 4x 8 Go, il s'agira pourtant des meilleurs puces Samsung issues des tris effectués par la marque. Cette fréquence réduite est liée au support du quad channel sur plateforme X99, mais la marge d'overclocking est annoncée très importante.

Il s'agit de kits qui seront exclusifs et probablement très onéreux même si Corsair n'a pas pu nous communiquer de tarif à ce point. Seuls 500 kits de chaque couleur seront produits.

A l'instar de la ReRAM qui devrait prochainement pointer le bout de son nez avec la 3D Xpoint, la PCM (ou PRAM) est une mémoire dite "universelle", c'est-à-dire une mémoire qui est censée combiner les avantages de la DRAM (vitesse, endurance) et celles de la Flash (densité, rétention, coût). Attention, cela ne veut pas dire pour autant que ce type de mémoire remplacera l'une ou l'autre des technologies, la DRAM ou la Flash restant un peu meilleure chacune dans leurs domaines de prédilection, il s'agira plutôt d'un compromis répondant à certains besoins.

Concernant la PCM, IBM vient de franchir une étape importante puisqu'après avoir réussi à stocker en 2011 2-bit par cellules, des chercheurs ont cette-fois réussi à stocker de manière fiable 3-bit par cellules. Cette densité accrue permettrait selon IBM d'avoir un coût significativement inférieur à la DRAM, plus proche de la Flash. Les données stockées ont pu l'être sur des cellules ayant au préalable été "usées" par un millions de cycles d'endurance, et les lectures se sont avérées fiable malgré des cycles de température variant entre 30 et 80°C.

On est bien sûr encore loin d'une production en volume, ce prototype ne comporte ainsi que 4 millions de cellules et est gravé en 90nm. Reste donc à voir si les nombreuses étapes nécessaires avant la commercialisation pourront être franchies et dans quel délai.

Micron a indiqué dans un billet de blog  que sa GDDR5X était déjà produit en volume, étape qui devait initialement se faire durant l'été. Le fabricant est donc en avance, chose assez logique vu l'annonce par Nvidia de la GTX 1080 dont la disponibilité interviendra dès ce 27 mai.

Pour rappel cette carte embarquera 8 Go de GDDR5X à 10 Gb/s sur un bus 256-bit, ce qui permettra d'obtenir une bande passante maximale de 320 Go/s, à comparer aux 336 Go/s et 224 Go/s des GTX 980 Ti et 980 en GDDR5 7 Gb/s sur 384 et 256-bit.

A noter que sur la page catalogue , si cette GDDR5X 10 Gb/s n'est plus annoncée comme étant en "Sampling" elle est en "Contact Factory", il faut peut-être y voir une exclusivité pour Nvidia. Les versions 11 et 12 Gb/s restent pour leur part en phase d'échantillonnage.

Bien que Nvidia ait dans un premier temps opté pour la mémoire HBM 2 de Samsung, de toute évidence parce qu'elle est la première disponible, SK Hynix avait comme chaque année fait le déplacement à la GTC. L'occasion de poser quelques questions au fabricant.

Concernant l'estimation de la disponibilité de cette mémoire, nous n'en saurons pas plus par rapport aux dernières rumeurs qui parlent du troisième trimestre. SK Hynix nous a par contre confirmé que ce serait bien le module 4Hi de 4 Go qui serait lancé en premier lieu, suivi par la version 8Hi de 8 Go et enfin par la version 2Hi de 2 Go. Le fabricant nous a expliqué que cette organisation de la production n'est par contre en rien liée à des challenges supplémentaires pour passer à 8 couches de DRAM ou pour condenser les canaux dans le cas de la version 2Hi. Ces choix auraient été effectués uniquement par rapport aux commandes fermes qui lui ont été passées.

Cette arrivée tardive de la version 2 Go, que l'on pourrait plutôt imaginer pour les solutions d'entrée de gamme démontre une fois de plus que ce type de technologie va prendre du temps à apparaître sur ce segment.

A noter que concernant la différence de consommation en passant d'un module 4Hi à 8Hi, SK Hynix n'a pas voulu communiquer de nombre précis mais après insistance nous a indiqué qu'il s'agissait d'un nombre à un chiffre, et que la différence n'aurait ainsi qu'un impact limité au vu de la consommation des GPU haut de gamme qui y seront associés. Ce ne serait donc pas un frein pour doubler la mémoire d'un Tesla P100 par exemple.

La mémoire HBM 2 Samsung exploitée par Nvidia sur le Tesla P100 a la particularité d'être de hauteur identique à celle du GPU GP100, ce qui facilite le refroidissement de l'ensemble. Pour cela, l'épaisseur de la dernière couche de DRAM a été adaptée à celle du GPU en prenant en compte tous les éléments de la chaîne d'assemblage, comme vous pouvez l'observer ci-dessous (le spacer est en fait la dernière couche de DRAM) :

Pour la mémoire HBM 2, et contrairement à la HBM 1, SK Hynix fait de même et propose une production personnalisée avec épaisseur variable des modules. Pour le fabricant ce n'est pas un souci dans un premier temps puisque cette mémoire correspond de toute manière à des commandes spécifiques. Par contre à l'avenir, SK Hynix s'attend à ce que le JEDEC standardise ce point ou tout du moins en limite les variantes à 2 ou 3 chaînes de production.